Mn掺杂GaAs稀磁半导体的第一性原理研究

稀磁半导体因兼有半导体及金属共同特性,在电子器件和磁性方面有着广泛应用.因此,无论从理论还是应用上研究稀磁半导体都具有重要意义.本文基于第一性原理计算研究了Mn掺杂GaAs稀磁半导体的稳定结构、磁序特点、磁性来源及电子结构.首先,计算研究了GaAs的电子结构,证实其半导体特点;其次,研究发现了铁磁(FM)构型为Mn掺杂的GaAs体系的最稳定构型,并且基于该稳定构型进一步研究发现Mn掺杂GaAs的磁性主要来源于Mn原子;最后,研究发现Mn掺杂GaAs体系的电子结构具有稀磁半导体特性,并基于此展望了Mn掺杂GaAs稀磁半导体的应用前景.     

智能汽车破浪有时 车载存储帆济沧海

<正>在汽车电动化和智能化的趋势推动下,叠加上产业升级带来汽车格局重塑机遇,汽车存储芯片高成长、空间大,在半导体版图中位置愈加突出。空间：从GB到TB,智能化趋势推动市场高速增长。汽车存储芯片是CAGR15%+的高成长性赛道,预计2025市场空间超80亿美金。汽车存储芯片市场将成为一个高成长的半导体细分赛道,在存储芯片和半导体投资版图中位置愈加清晰和突出。     

TMT:国内半导体迎来发展机遇期

半导体行业属于周期性行业,与GDP增速、技术升级密切相关.随着人工智能、大数据、物联网、AR/VR、可穿戴设备等新兴信息技术领域应用的发展,半导体行业重新步入了新一轮的景气周期. 我国半导体产业起步较晚,整体技术实力与国际相比仍无明显的竞争优势,作为全球半导体需求最大的国家,目前我国半导体市场仍严重依赖于进口,产品自给率仍处于较低水平.     

zigzag型石墨烯纳米带电学性质第一性原理研究

采用第一性原理计算了zigzag型石墨烯纳米带的电学性质.计算结果表明:zigzag型石墨烯纳米带的能带结构与碳纳米带的宽度密切相关;掺杂Al原子的ZGNR显示半导体特性.计算结果能为石墨烯纳米带改性实验提供有效指导,有利于推动石墨烯纳米带在纳电子学方面的应用.     

平面栅功率MOS场效应晶体管结构研究进展

随着新能源应用的需求,直流变换器不断向小型化、高功率密度、低压大电流方向发展,作为直流变换器关键器件的功率金属氧化物半导体场效应晶体管,不断创新优化结构,获得更低导通电阻、更高开关速度,从而推动了与互补金属氧化物半导体制造工艺兼容的平面栅技术功率器件的发展。文章探讨了平面栅功率器件的研究进展,包括屏蔽沟道、肖特基势垒结等结构。     

半导体传感器在中国的研究和发展

本文评述了中国自80年代开展半导体传感器研究以来的情况,内容包括概述、各种半导体敏感器件、分析技术等.     

半导体应用于CPU冷却的可行性分析

介绍了半导体制冷器的基本原理,对半导体制冷用于CPU冷却的传热模型作了分析,探讨了半导体应用于CPU冷却的可行性,最后给出了半导体冷却CPU的实施方案.     

光电耦合器及其应用

半导体光电耦合器现已发展成为一类特殊的半导体隔离器件.它体积小、寿命长、无触点、抗干扰、能隔离,并具有单向信号传输等特点.本文介绍了光电耦合器的特点、典型结构及应用,以及简易测试方法.     

论导体、绝缘体、半导体的区别与联系

导体、绝缘体、半导体可以从定义和实质两方面来区别.定义划分:物理学中,导体、绝缘体、半导体主要是根据导电性能的强弱来区分的;实质区别:导体、绝缘体、半导体实质上的区别在于构成它们的物质的微观结构不同.但是,导体、绝缘体、半导体之间没有绝对的界线,在外部条件(如温度、高压等)发生变化时,它们之间可以相互转化.     

医用小功率半导体激光器可调驱动电源的设计

半导体激光器的稳定性更取决于电流控制器.实际中的电流源在应用于半导体激光器中的时候,仍有许多需要改进的地方.本文描述了一种用于驱动在医疗器械中所使用的小功率半导体激光器的新型电源的设计方法.     

制冷技术的发展与应用

本文阐述了制冷技术的组成、原理、分类和发展史.通过对生活式制冷与半导体制冷的对比分析其各自的优缺点,并对绿色环保的太阳能制冷技术和半导体制冷技术进行了介绍.     

半导体光放大器非线性效应探讨

在分析半导体光放大器的增益饱和及非线性相移的基础上,论述了半导体光放大器的5种非线性效应,探讨了基于半导体光放大器非线性效应的波长转换器的工作原理.     

太阳能光解水转化为氢能的研究进展

自从Honda和Fujishima发现太阳光照TiO2半导体电极能分解水产生氢气这一现象以来,科学家们一直致力于用半导体光催化剂和其它光催化剂用于太阳光解水获得既可储存又清洁的氢能的研究,不断地提高半导体光催化性能,而且也取得了令人瞩目的成果.本文综述了近年来在光催化水解领域中的众多半导体包括简单氧化物,复合氧化物,金属配合物和染料敏化半导体等光催化剂材料的结构、基本原理和催化特性的研究进展.     

例析中考热点——半导体性质

半导体的导电性能介于导体与绝缘体之间,受温度和光照等外在条件的影响较大.在半导体中掺人少量的其他元素,半导体的导电性能就会得到很大的改善.用半导体制成的二极管、三极管、光敏电阻、压敏电阻、热敏电阻等,已成为电子仪器的重要元器件.近年来,以半导体性质为命题载体的中考题也成为一大考试热点.同学们在完成这类习题时,要认真阅读题目所给素材,从中获取有用的信息,再结合物理规律解题.     

半导体:被忽视的投资板块

投资要点: 1、功率器件是半导体子行业中被忽略的投资洼地. 2、封测是贯穿全年的投资主线. 功率器件是半导体子行业中被忽略的投资洼地.汽车电子、工业自动化等巨大的下游需求带来行业驱动力,我国企业已经在技术上有一定的积累,市场份额增长潜力巨大.另外,功率半导体下游终端行业相对于手机、平板等消费电子市场波动小,产品更新换代慢,行业内公司业绩相对稳定.再加上功率半导体企业估值在半导体设计行业里相对较低,所以我们认为未来1～2个季度,功率半导体将会是行业热点.     

家用半导体空调器的优化设计

阐述了家用半导体空调器的优化设计.通过合理匹配半导体电堆,使空调器处于最佳化运行电流状态,从而取得较为理想的制冷效果.     

一类不可逆半导体热泵热力学分析

应用热力学理论,研究了线性唯象传热律下半导体热泵的性能特性,分析了电流、面积分配及传热率等参数对最优性能的影响,得到一般半导体热泵的优化参数.     

半导体物理学课程教学探索

本文针对《半导体物理学》的课程特点,依据笔者在《半导体物理学》课程实际教学活动中的感受以及目前国内相关的教学研究文献,总结了适用于目前《半导体物理学》教学手段和经验,以其达到更好的提高《半导体物理学》的教学质量的目的.     

日本研发成功0.095微米技术

日本NEC公司日前宣布半导体制造技术的0.1微米工艺已被该公司突破。它在世界上率先研发成功的0.095微米的半导体工艺技术将应用于大规模集成电路，并且将于2001年5月推向市场。与以往采用0.13微米工艺技术制造的旧产品比较，采用0.095微米工艺技术制造的新产品的集成化程度提高了19倍，可以节省电能30％，并且能够获得1千兆赫的运行速度。这对于高速大容量通信系统和对节电要求很高的移动设备来说，具有极其重大的应用价值。因此，专家们认为，半导体工艺0.1微米的突破将对互联网的发展产生巨大的推动作用。NEC公司表示将在3类半导体产品中优先采用0.095微米工艺技术，这3类产品包括大容量通信终端与生成图形用的高速型半导体产品、普及互联网及数字信息家电用的高密度型半导体产品及移动设备用的低耗能型半导体产品。     

半导体热敏特性研究实验装置的改进

运用电量热器、万能电桥等改进大学普通物理实验:“半导体热敏特性研究”的实验装置,使得实验装置简化,便于实际操作,扩大了温度变化范围,正确展示了半导体热敏特性.