碳原子线修饰碳糊电极对于对苯二酚的电催化作用

用直接混合法制备了碳原子线修饰碳糊电极,并研究了对苯二酚在该电极上的电化学行为.与未加碳原子线的空白碳糊电极相比,碳原子线修饰碳糊电极可使对苯二酚的氧化峰负移0.152V,还原峰正移0.161V,ΔEp减小了0.313V,反应的可逆性明显变好,说明该电极具有具有较高的电催化活性.同时还探讨了电解质溶液、浓度、扫描速率等因素对电催化性能的影响.     

丁二酮肟修饰碳糊电极的制备及对Cu（Ⅱ）的测定

提出用丁二酮肟修饰碳糊电极的制备及对Cu（Ⅱ）的测定.以铂丝电极为对电极,Ag/AgCl电极为参比电极,在pH=3.2的邻苯二甲酸氢钾—盐酸缓冲溶液中通过在-1.0V电位下富集后,在-1.0V～＋0.6V电位范围内作线性扫描溶出伏安法测定,峰电流与Cu（Ⅱ）浓度在4.0×10^-6～5.0×10^-5mol/L范围内呈良好线性关系,当富集300s时检测限为1.0×10^-9mol/L,且大多数阳离子不干扰测试结果.     

碳糊修饰电极测定抗坏血酸的研究及应用

在1.0 mool/L KCl的介质中,采用邻苯二甲酸二正辛酯修饰碳糊电极测定抗坏血酸(AA),抗坏血酸的浓度在9.1×10-6-3.4×10-3mol/L范围内与峰电流呈线性关系,相关系数r=0.9994,检测限5.7×10-6mol/L,并且探讨了电极过程的特性.测定了市售抗坏血酸片和橙汁中抗坏血酸的含量,结果满意.     

槲皮素在碳纳米管修饰碳糊电极上的电化学行为及测定

本文研究了槲皮素在多壁碳纳米管修饰碳糊电极上的电化学行为.实验结果表明:槲皮素在多壁碳纳米管修饰碳糊电极上的电极过程为一受吸附控制的两电子、两质子参与的准可逆过程,电子传递系数α=0.53.槲皮素的氧化峰电流与槲皮素浓度在1.0×10-7～6.0×10-3mol/L范围内呈良好的线性关系,可应用于槐花米中槲皮素含量测定.     

CTAB-蒙脱石修饰碳糊电极伏安法测定废水中的苯酚

用十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)和蒙脱石修饰碳糊电极,在pH=6的缓冲溶液中,苯酚在0.686 V(vs.Ag/AgCl)出现灵敏的氧化峰,苯酚浓度在10-3~10-5mol.L-1范围内与氧化峰电流呈线性相关。石墨碳基质经表面氧化处理,有效增大了氧化峰电流。以KH2PO4、NaAC(pH=6.0)作电解质底液,扫速100mV/s,用所制备的CTAB-蒙脱石修饰碳糊电极测定苯酚,检测限为1.2×10-7mol.L-1,平均回收率101.1%,RSD(n=5)6.22%。所建立的方法用于废水中苯酚的测定,能获得良好结果。     

碳糊电极吸附伏安法测定痕量锑

根据锑与溴邻苯三酚红(BPR)生成的络合物在碳糊电极上的吸附特性, 建立了测定痕量锑的吸附伏安法. 整个分析过程分3个步骤: 吸附富集、还原和溶出. 用单因素变化法得出最佳试验条件为: 以含40 μmol/L BPR的0.10mol/L HCl为富集底液; 富集时间150 s; 还原和溶出介质为0.20mol/L HCl; 还原电位为-0.50V; 还原时间为60 s;扫描范围为-0.5～0.20V. 考察了共存离子的影响. 二次导数溶出峰电流与锑(Ⅲ)浓度在1. 0nmol/L～0. 50μmol/L范围内呈良好的线性关系, 检出限达0.5nmol/L. 该方法已成功应用于人发和水样中锑的测定.     

芦丁在碳糊电极上的电化学行为

文章研究了芦丁在碳糊电极上的电化学行为.实验结果表明,芦丁在碳糊电极上的电极过程为一受扩散控制的两电子、两质子参与的准可逆过程.芦丁的氧化峰电流与芦丁浓度的平方根在1-100 mg/L范围内呈良好的线性关系.将该方法用于芦丁片中芦丁含量测定,结果满意.     

电分析法检测药物中铋（Ⅲ）的含量

研究了Bi^3＋在碳糊电极上的阳极溶出伏安特性,结果表明：在1．0mol·L^-1的HCl溶液中,于-0．055V处出现一灵敏的溶出峰,电极反应过程是受吸附控制的电极过程。并考察了测定Bi^3＋的最优化条件,在1．0mol·L^-1的HCl溶液中,于0．4V富集80s后,以120mV／s扫描速度进行测定,结果表明：在1．0×10^-7-1．0×10^-4mol·L^-1浓度范围内,Bi^3＋的溶出峰电流Ip与其呈良好的线性关系,检出限为6．0×10^-8mol·L^-1（信噪比RSN=3）。将该法应用于药物中铋含量的测定,回收率在99—102％,结果令人满意。     

5-溴水杨醛甘氨酸修饰碳糊电极测定微量Cu2+的研究

在pH=9.0 H3BO3-Na2B4O7缓冲体系中,以5-溴水杨醛甘氨酸修饰碳糊电极为工作电极,Cu2 于 120mV(vs.SCE)处产生一灵敏的吸附波,其二阶导数峰电流与Cu2 浓度在4.0×10-9~8.0×10-7mol.dm-3范围内呈良好的线性关系,相关系数为0.9964,检出限为6.0×10-10mol.dm-3(3倍信噪比)。应用该法测定发样中Cu2 的含量,结果令人满意。     

多泥沙河流水电站水轮机的抗磨蚀防护技术

由于水轮机磨损的预防和修复技术关系到电站的安全运行和经济效率,所以越来越多的受到了人们的重视。本文主要说明了水轮机磨蚀的机理和主要部位,总结分析我国水轮机磨蚀预防和修复存在的问题以及较为成熟的技术,详细介绍了两种效果较好的抗磨涂层的实际应用情况,并提出优化运行抗磨措施。     

基于集群磁流变单晶碳化硅基片抛光加工的工艺研究简

基于集群磁流变效应超光滑平面抛光理论及试验装置对单晶碳化硅基片进行了平面抛光试验,结果表明,金刚石磨料对单晶Sic基片具有较高的材料去除率;加工间隙在1．5I砌左右具有较好的加工效果,随着加工时间的延长表面粗糙度越来越小,且30min内表面粗糙度变化率达到89％以上。通过优化工艺参数对单晶SiC进行集群磁流变平面抛光,发现经过30min加工,表面粗糙度Ra从42．1m下降到4．2nm,表明集群磁流变效应平面抛光用于加工单晶SiC基片可行且效果显著。     

非晶碳化硅薄膜光学特性的热退火效应

通过Raman光谱、紫外-可见透射光谱技术及原子力显微镜对非晶碳化硅薄膜结构和光学特性的热退火效应进行了研究。结果表明,碳化硅拉曼谱带随退火温度的增加而逐渐红移和尖锐化,显示了薄膜中晶化有序度的提高。退火后薄膜包含大量紧凑的纳米团簇,膜面相对于未退火样品较为粗糙。根据紫外-可见透射光谱导出的光学带隙从原始样品的1．86eV连续增加到经1050℃退火样品的2．23eV。碳化硅薄膜中纳米团簇的形成及其晶化程度的增加导致了薄膜光学带隙的蓝移效应。     

铁氰化钴修饰碳糊电极过氧化氢传感器的研究

研究了铁、钴、镍、铜与铋形成的普鲁士蓝及类普鲁士蓝的制备,并将它们用于修饰碳糊电极得到电化学传感器。研究表明：铁氰化钴修饰碳糊电极对H2O2有明显的电催化作用,将它用于H2O2的测定取得较好的结果,测定的线性范围为5．34×10^-6～5．34×10^-4mol·L^-1。该电极具有灵敏度高、稳定性和重现性好等特点。     

佐匹克农测定方法研究

首次用碳糊电极吸附伏安法测定了Zopiclone的浓度 .对底液、PH值、电极组成等进行了研究 ,在PH为 3.17的HAC -NaAC中 ,Zopiclone产生两对可逆峰 ,峰高与浓度在 1.3× 10 - 8～ 1.3×10 - 7mol/L间呈线性关系 ,相关系数为 0 .9996 ,下限为 3.9× 10 - 9mol/L ,并对顺德制药厂产的Zopi clone片剂进行了应用分析 .     

黑硅材料在光电探测研究领域的前景及挑战

在详细介绍黑硅材料的形成机理,包括超过固溶度的S原子引起的高红外吸收基础上,介绍了黑硅材料在光电探测研究领域的应用,并指出黑硅光电探测器目前面临如何平衡退火消除缺陷及由此带来的红外吸收下降的问题,但黑硅探测器件的增益机制问题仍然不清楚,有待解决．     

乙二醇二乙醚二胺四乙酸碳糊修饰电极测定痕量银

研究了在0.1mol·L-1KNO3和HAc-NaAc(1:1)的介质中,采用EGTA碳糊修饰电极测定痕量银的新方法,银离子浓度在1.0×10-9～1.0×10-6mol·L-1范围内与峰电流呈线性关系,检出限为5.7×10-10mol·L-1,相关系数r=0.997.该电极在-0.8V电位下富集银离子,在0.51V得到一个灵敏的阳极溶出峰.将本方法用于矿石和定影液样品中银的测定,结果令人满意.     

Silicon carbide nanotubes with special morphology prepared by super critical hvdrothermal method and photoluminescence character

Silicon carbide nanotubes (SiCNTs) with special morphology synthesized by supercritical hydrothermal method at 470 ℃ and 8 MPa have been reported in this paper.SiCNTs with special morphology were characterized by transmission electron microscopy (TEM) and high-resolution TEM (HRTEM).There are two kinds of silicon carbide with special morphology:One is oval SiCNTs with small aspect ratio,the other is bamboo cone-shape structure.SiCNTs have been analyzed by fluorescence spectrometer.The results indicate that the SiCNTs have strong photoluminescence (PL) property.The SiCNTs with oval shape are one kind of intermediate state of growth process of nanotube.The growth mechanism of silicon nanotubes has been proposed based on experiment data.The investigations of growth mechanism of SiCNTs with bamboo structure show that the defect produced in the growth process play the important role in SiCNTs with special structure.     

Nafion/MWCNT复合修饰电极测定痕量锡的伏安法

研究了利用Nafion/多壁碳纳米管(MWCNT)复合修饰玻碳电极测定痕量锡的阳极溶出伏安法。结果表明,在pH值为1.2的NH4Cl—HCl电解液中,当Sn(Ⅳ)在Nafion/MWCNT复合修饰电极表面富集时间为3min,电位扫描速度为200mV/s时,该修饰电极在伏安图上能出现一灵敏的氧化峰,峰电位约为-570mV,利用该峰可以进行痕量锡的检测;峰电流与Sn(Ⅳ)浓度在4.0×10-8~1.0×10-6mol/L的范围内呈良好线性关系,相关系数为0.997,检出限为1.0×10-8mol/L;该修饰电极稳定性较好,用于实际水样中锡含量的测定,平均回收率为97.48%,所得结果令人满意。     

多巴胺在聚L-谷氨酸修饰碳黑微电极上的电催化氧化

研究了聚L-谷氨酸修饰碳黑微电极的制备及多巴胺在该电极上的电化学性质。实验表明:该修饰电极对神经递质多巴胺的电化学氧化有显著的催化作用,采用二次导数线扫伏安法对多巴胺进行定量分析,线性范围为1.0×10-4~4.0×10-8mol/L,检出限为8.0×10-9mol/L。该聚合物修饰电极具有良好的选择性,能有效地排除抗坏血酸对测定的影响,用于样品分析,结果满意。