MOS管短沟道效应及其行为建模

随着集成电路工艺的不断革新,集成电路器件的尺寸不断减小,当MOS管的尺寸小到一定程度时,会出现短沟道效应,此时MOS管特性与通常相比有很大不同。本文介绍了描述短沟道MOS管特性的一些公式,然后利用硬件描述语言VHDL-AMS对短沟道MOS管进行了行为建模,并利用混合信号仿真器SMASH5.5对模型进行了仿真,将短沟道MOS管模型特性与一般模型特性作了比较。     

基于MOS管低频功率放大器的设计

基于集成运放NE5532设计而成的一种低频功率放大器,由直流稳压电源、电压放大电路、MOS管功率放大级电路、带阻滤波电路及数据采集显示模块五部分组成,其主要功能是将10Hz-50KHz的低频小信号放大,输出功率大于5W且波形无明显失真,并将系统的输出功率、直流电源的供给功率和整机效率实时显示出来。     

P沟道增强型MOS管的工作原理及特性曲线

针对P沟道增强型MOS管的结构讨论它的工作原理及其基本特性     

V—MOS管发电机调节器的研制

V－MOS管发电机调节器结构简单方便，无移动触点。价格低廉，适用于国内各种汽车。电压不超过12V，功率不超过350W即可。调节器由三极管BG和场效应管V-MOS开头电路。调节励磁绕组LQ的励磁电压来调节输出电压。     

IGBT及其驱动和保护电路的研究

优越的性能使IGBT成为大中电力电子装置首选的功率器件,驱动与保护电路是电路设计中的难点和关键。该文介绍了IGBT的研发新进展,研究了IGBT栅极驱动和保护电路的设计思想,并给出了以EXB840为驱动器的实用电路。研究表明,这种混合驱动集成电路对可靠保护IGBT很有益处。     

IGBT电焊机的稳定性设计

介绍了IGBT模块在电焊机中的应用以及IGBT电焊机的众多优点和缺点,指出了IGBT电焊机存在的安全隐患;在此基础上,从电压保护、电流保护、吸收电路以及热保护等方面论述了电源中IGBT模块必要的典型保护方法.     

IGBT的基本特性仿真研究

本文首先从IGBT内部结构组成和工作原理两方面出发,阐述了一种新的简便的IGBT建模方法,利用此方法建立的模型参数数量大为减少,结构简单且参数容易提取,减小了模型计算量,对IGBT的基本特性进行了仿真研究.     

MOS二极管热弛豫时间的二维数值模拟

本文对二维半导体器件模拟软件MEDICI进行了简单介绍,运用MEDICI对MOS二极管进行瞬态分析,观察不同时刻载流子浓度和耗尽层宽度的变化,并讨论了热弛豫时间与器件衬底浓度的关系.     

浅淡气候类型的判断原则和方法

今年高考地理试题对气候知识的考查占有一定分量,再一次说明气候知识是中学地理教学的重要内容之一.而气候知识中气候类型的判断就成了中学地理教学的重点和难点,为了更好地掌握气候类型的判断,我对这个问题作了一些探索.     

一种新的IGBT驱动保护电路

针对IGBT驱动保护问题,提出了一种新的驱动保护电路．采用555集成电路作延时降压电路．电路具有状态检测功能、延时缓降栅压功能和降压功能等功能．此电路的特点是简单,定时精度高,可靠性高,反应快．     

基于MOS工艺的单级运算放大器实验教学改革

随着高校的扩招,中国高等教育逐步走向大众化教育。如何发挥高校服务社会经济发展的功能,服务地方社会经济发展,已成为普通高等院校的大学生教育的基本出发点。培养具有创新精神的应用型人才是现阶段各普通高等院校对本科生的基本目标。本文以"基于MOS工艺的单级运算放大器电路设计"实验为例,阐述了如何通过实验过程及实验方式的改革将理论知识融入到集成电路设计专业的基本实验中,在常规实验里培养学生的创新思维方式,实现具有创新精神的应用型人才培养目标。通过对实验过程的改革,,学生在实验整个过程中不仅能将理论教学内容与实际电路设计流程融会贯通,而且能根据相关理论知识设计新电路结构,真正做到"学以致用"。     

数字化IGBT串联谐振电源控制系统研究

为改进目前IGBT串联谐振电源所存在的不足,文章开发一种数字化IGBT串联谐振电源控制系统,并制造试验样机一台。实验结果表明该控制系统具有较强抗干扰性,同时具有一定可塑性和智能,能够配合现场各种复杂工艺过程。该系统整体性能表现优越,是新一代IGBT串联谐振电源产品。     

基于IGBT的超音频感应加热系统设计

对串联谐振半桥感应加热电源进行了研究,使用SG3525芯片和EXB841芯片设计控制驱动电路,具有过流保护功能.在研究的基础上,设计并制作了20kHz的串联谐振感应加热设备样机,它能在实验工况下安全可靠地运行.     

寄生电容对IGBT开关过程集电极电压变化率的影响

在绝大多数情况下,IGBT的开关过程都非常迅速,其集电极电压波形的dv/dt非常大。但是在实验中也会观测到一些相对比较缓慢的开关过程。较慢的开关过程可能由多种因素引起。通过实验和理论分析可以证明,其主要起因是IGBT的寄生电容。     

研究NPN管和PNP管放大器输出波形的一个方法

本文介绍了一种NPN型管和PNP型管放大器输出波形分析比较的方法,从实验测试和理论分析两个方面进行了说明,浅显易懂.     

IGBT死区补偿算法及其实现

针对IGBT存在的死区效应,解决了死区补偿中的两个关键问题:利用重构电压法进行死区补偿;为避免相电流过零点的直接检测,首先将相电流经过滤波,然后对其进行反变换处理,最终计算得到IGBT的实际死区时间,并在软件中进行相应的补偿.在完成纯积分的问题后,通过电压磁链观测补偿效果.最后对上述内容进行了实验验证,实验结果验证了该方法的可行性和正确性.     

基于IGBT逆变器的大功率直流稳压电源

针对目前国内用于电源的晶闸管静态逆变器,其逆变频率的范围窄,限制在8KHz以下,实际产品一般仅为1KHz左右,且当感应器改变时,不能进行频率调节等问题,通过应用IGBT逆变器设计了一款大功率的直流稳压电源,该电源以16位单片机MPS430为控制核心,组成大功率直流稳压电源的控制系统.该系统不仅具有较高的可靠性,还具有良好的工艺性能.由于使用了高频器件,整个系统具有小型化、轻量化、高效率等优点,符合现代大功率直流稳压电源的发展潮流.本文就其设计的主要思想进行了阐述.     

有关在移动通信中语音质量评估体系—MOS值的探讨

对语音质量评估体系中的MOS评分方法进行了原理探讨,并结合具体的测试实验分析了GSM体系中不连续发射、功率控制、切换、编码方式等功能对语音质量MOS值的影响.     

MOS场效应晶体管辐照特性的实验研究

通过对NMOS和PMOS场效应晶体管在^60coγ射线下的辐照实验，研究辐照对不同宽长比（W／L）及不同偏置电压下的MOS管的阈值电压及其转移特性的影响。实验证明辐照使MOS管的阈值电压负向漂移，辐照时非零栅源电压引起的MOS管阈值电压漂移明显大于零栅源电压情况，宽长比对阈值电压漂移量影响不大。     

基于MOS模型的大学生创业政策环境评价指标体系构建研究

基于Lundstrom＆Stevenson（2005）开发的M-O-S模型,在Lundstrom＆Stevenson提出的创业环境评价指标的基础上,结合我国创业政策环境以及我国大学生创业的实际情况,构建我国大学生创业环境评价指标体系,并采用主成分分析法进行指标的优化与筛选,得到科学合理的有关我国大学生创业政策环境的评价指标体系,为我国大学生创业环境评价提供理论指导。