类氧离子基态能量的变分计算

利用对角和法则,导出了类氧离子非相对论基态能量解析表达式,在考虑了电子间交换相互作用以及内外壳层电子的不同屏蔽效应的基础上,利用变分原理确定了类氧离子基态各电子的波函数,并进一步计算了类氧离子基态的不同光谱项的能量值,计算结果与实验数据,误差均小于0.5%.     

压力对有限深量子阱中基态能的影响

考虑电子有效质量及禁带宽度随流体静压力的变化,讨论有限深量子阱中电子的基态能.对GaAs/ALxGa1-xAs量子阱系统中电子的基态能进行了数值计算,给出基态能随铝组份,阱宽和压力的变化关系.结果显示,基态能随阱宽和压力的增加而减小,随铝组份增加而增大.     

量子线侧耦合量子点的输运特性研究

利用等价单粒子多通道网格方法,研究了量子线侧耦合量子点系统的输运特性.在不同温度、相互作用能和跳跃积分值下,计算得到的电导随门压的变化曲线呈现出反共振电导特性.通过计算电子波的相位特性,得到了反共振特性起源于电子共振和非共振路径干涉的结果.     

密度泛函理论研究C2MH3(M=B,Al,Ga)的结构与电子性质

密度泛函理论研究表明C_2BH_3采取三员环状基态结构（C2v,^1A^1）,双电子占据的高域π分子轨道以及三角形几何中心处计算的较大的核独立化学位移NICS负值表明它具有芳香性,然而等价电子的C2AlH3与C2GaH3则采取非环状的乙烯状基态结构（C2v,^1A^1）.在与优化计算相同的理论水平上,最后预测了所有基态的红外光谱.     

对原子基态是等效电子时基态光谱项的研究

本文根据自旋平行的两个电子泡利排斥原理,按照洪特定则,运用角动量合成投影规律.对原子基态是等效电子时基态光谱项的研究.并提出原子基态是等效电子时基态光谱项确定的一种简易方法.     

2 1维BCS型超导体的相变温度与自旋密度波的关系

对于2 1维BCS型超导体与自旋密度波共存的系统,在平均场近似下,应用含温度格林函数方法得出了超导相变温度Tc与自旋密度波序参量M的关系。对典型系统作数值计算表明,在这类超导体中,自旋密度波将降低相变温度Tc,说明目前发现的高Tc超导体是不同于BCS型超导体.     

MgS分子的基态(~1∑~+)结构与解析势能函数

应用原子分子反应静力学方法推导出了MgS基态分子的电子状态和离解极限,采用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法,分别在6-311++G(df,pd)、6-311++G(2df,2pd)、6-311++G(3df,3pd)和cc-PVDZ等基组下,优化出MgS分子的基态稳定结构为单重态的C∞V构型,得出其相应的平衡核间距、基态的简正振动频率和离解能.并运用量子化学从头计算的方法,计算出各阶力常数和光谱数据,得出MgS分子的解析势能函数,该势能函数再现了MgS平衡结构的准确性.     

外电场下BH分子（X^1∑^＋）的电子结构研究

首先采用多种方法对BH分子基态进行几何优化,在此基础上选用B3LYP／6—311＋＋g＊＊方法得到不同外电场（-0．015--0．015a．u．）下BH分子基态的稳定电子结构,分别计算了外电场下BH分子基态键长、能量、电荷分布、频率、偶极矩及能级分布的规律,最后得出外电场对BH分子的电子结构影响成不对称性,从而为进一步研究BH分子的电子结构提供一些有价值的参考数据．     

强激光场下NH_3分子波包演化和粒子数布居研究

计算了质量加权坐标系下NH3分子基态、激发态和离子基态势能面,研究了基态波包演化情况以及波包在基态激发态之间布居情况.通过研究证实了NH3分子存在拉伸振动,同时发现基态、激发态粒子数布居存在拉比振荡现象.     

外电场下BH分子(X1∑+)的电子结构研究

首先采用多种方法对BH分子基态进行几何优化,在此基础上选用B3LYP／6—311＋＋g＊＊方法得到不同外电场（-0．015--0．015a．u．）下BH分子基态的稳定电子结构,分别计算了外电场下BH分子基态键长、能量、电荷分布、频率、偶极矩及能级分布的规律,最后得出外电场对BH分子的电子结构影响成不对称性,从而为进一步研究BH分子的电子结构提供一些有价值的参考数据．     

w-BN (001)B面上铁(钴、镍)纳米线的高自旋极化研究

文章用密度泛涵理论(DFT)和广义梯度近似(GGA)研究了铁、钴和镍在纤锌矿结构氮化硼(w-BN)(001)B面上排列的纳米线的电子结构和磁性,计算了原子的磁矩和态密度,发现在w-BN(001)的B面上的铁和钴纳米线具有高自旋极化的特性,并与孤立的铁、钴和镍原子线的电子结构进行了比较研究,这种高自旋极化材料在微电子器件中可以用作自旋过滤器.     

w—BN（001）B面上铁（钴、镍）纳米线的高自旋极化研究

文章用密度泛涵理论（DFT）和广义梯度近似（GGA）研究了铁、钴和镍在纤锌矿结构氮化硼（w—BN）（001）B面上排列的纳米线的电子结构和磁性，计算了原子的磁矩和态密度，发现在w—BN（001）的B1址的铁和钴纳米线具有高自旋极化的特性，并与孤立的铁、钴和镍原子线的电子结构进行了比较研究，这种高自旋极化材料在微电子器件中可以用作自旋过滤器．     

掺镁铝酸钙光学性质的理论计算

运用密度泛函理论平面波超软赝势,对镁离子掺杂的钙铝氧化物磷光体（Mg0．5Ca0．5Al2O4）的电子结构和光学性质进行了计算．计算结果表明,杂质的引入使材料的带隙降低了0．43 eV,光学吸收范围展宽,吸收强度增大,在低能吸收区出现一个额外吸收峰．对电子结构的分析表明,杂化了的Ca3d轨道与O2p轨道的强相互作用占据着导带底部,镁杂质能级进入导带靠近导带底部是决定掺杂材料光学性质的主要因素．     

高压对 C 掺杂碱土金属氧化物磁性的影响

采用第一性原理的平面波赝势方法,结合广义梯度近似,分别计算了在常压和高压下,C掺杂碱土金属氧化物X4CO3（X＝Ca,Sr和Ba）的磁矩,体积和总能量随压强的变化情况以及Ca4CO3的能带结构和电子态密度。结果表明,随着压强的增大,X4 CO3的铁磁性减弱最终发生磁相变由铁磁态转变为非铁磁态。特别是Ca4 CO3在69 GPa时,C原子的自旋贡献随着压强的增大显著地下降。     

尖晶石型ZnGa2O4光学性质的第一性原理计算

首先采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法(包括PBE、PBESOL、PW91、RPBE、WC)对尖晶石型ZnGa2O4的结构进行了优化,得到和实验值最接近晶格常数a0=0.8378 nm;然后在结构优化的基础上采用GGA-WC计算ZnGa2O4的电子结构和光学性质.结果表明,ZnGa2O4为间接带隙复合氧化物,带隙宽为2.335 eV; ZnGa2O4的静态介电常数为3.45,静态折射率为1.85,介电函数吸收边位于4.0 eV附近;ZnGa2O4的反射系数在19.3 eV附近取得最大值,吸收系数在11.0 eV～17.5eV间取值均较大,电子能量损失谱的共振峰在20.5 eV处,并与此能量时反射系数R(ω)的陡降相对应.     

C掺杂β-Si3N4的电子结构和光学性质

运用密度泛函平面波赝势方法（PWP）和广义梯度近似（GGA）,对替代式C掺杂β-Si3N4的超晶胞电子结构进行了模拟计算,分析了β-Si3N4：C的电子结构和光学性质．对C掺杂前后电子结构的异同以及价键的一些性质进行了对比分析发现,由于C的掺杂,价带宽度展宽,导带宽度和禁带宽度均变窄;态密度出现了几个新的峰,平均峰值有所减小．通过对比分析光吸收系数发现,相对于β—Si3N4的光吸收系数,β-Si3N4：C的吸收系数有所降低,并且向长波方向移动,100nm处的吸收峰向长波方向移动约11．8nm．     

三角反铁磁AgCrO2磁结构和磁电性质研究

从多铁材料出发,介绍了三角反铁磁多铁材料ACrO2（A=Li,Na,K,Ag或Cu）的最新研究进展．这类多铁材料的磁性和铁电性存在很强的耦合和相互调控效应,铁电性来源于非共线螺旋自旋序,具有丰富的物理内涵,在自旋电子学等领域有着广阔的应用前景．基于密度泛函理论（DFT）的投影扩充波（PAW）方法,在广义梯度近似（GGA）下,对AgCrO2的磁结构和磁电性质进行了研究．共线磁结构计算结果表明,AgCrO2材料具有条纹反铁磁基态．态密度分析显示,Cr^3＋对体系的物理性质起决定性作用．通过非共线磁性结构计算,分别给出了平行于（110）而（11^-0）面内120°自旋构型．AgCrO2与（11^-0）具有很强的层内耦合作用,而层间耦合作用非常微弱,是典型二维三角格子Heisenberg材料．     

钯钇氢分子结构与热力学性质

在钯Pd和钇Y原子相对论有效原子实势和基函数SDD下,使用密度泛函理论B3LYP方法计算得到钯钇氢气态分子的结构、光谱数据、能量E、熵S等性质．计算固体钯钇氢的E和S时,近似以气体分子的电子能和振动能代替固体分子的E,用电子熵和振动熵代替固体分子的S．在此近似条件下,计算了不同温度下的热力学函数及生成反应的标准焓变△H°、标准熵变△S°和标准自由能变△G°．结果表明：固体钯钇氢分子具有热力学稳定性．     

双模激光场中电子-氩原子弹性散射

应用玻恩一阶近似理论,在电子入射方向平行于激光场的极化方向的特殊散射模式下,利用光学势模型研究了激光场中电子-氩原子散射问题。利用静电屏蔽势,应用第二玻恩近似公式对双模激光场中电子-氩原子散射进行了计算。在相位不同、散射截面出现关于ν=0对称和镜面对称的情况下,这个理论方法给出了较好的结果。     

SrTiO3晶界电子结构的理论研究

晶界在影响SrTiO3晶体电学性质方面起着重要作用.为了理解晶界结构与电子结构的关系,建立了3个晶界模型和SrTiO3原胞,应用Material Studio的CASTEP模块对它们的能带结构和态密度进行了模拟运算,分析了晶界的存在和晶粒取向度的不同对Ti和O原子的电子结构的影响.结果显示,晶界处会形成明显的缺陷态,而晶粒取向度与晶界角度的不同与缺陷态的性质没有直接的关系.这些发现对了解陶瓷中的晶界电子结构具有积极的意义.