HgTe量子点体系中的电子输运

文章为探究HgTe量子点和传统半导体量子点的性能优劣，理论上研究HgTe量子点的电子性质，利用非平衡格林函数方法，研究了两个铁磁电极之间的HgTe量子点在小偏压下的电流输运性质，并将其与传统半导体量子点进行比较。研究发现，对于HgTe量子点体态，其电子性质与输运性质与传统半导体量子点类似；对于HgTe量子点边缘态，量子点边缘处的电子可以延伸到量子点的中心，从而在小偏压下就会产生电流，导致HgTe量子点的输运性能优于传统半导体量子点。同时，输运电导会随着量子点的半径减小、温度增高而减小。     

正常金属-量子点-超导系统的共振隧穿

研究了正常金属-量子点-超导系统的输运特性,并考虑了相互作用在点上和对势在超导一边,输运特性依赖于库仑阻塞效应和Andreev反射的竞争,在有限温度下,电导对门压展现出一系列的峰,它们取决于量子点的能级间隔和电荷能.不同种类共振峰的详细分析也被给出.     

量子点的输运特性研究

研究了电子隧穿通过量子点的相干输运特性。考虑量子点上的库仑相互作用,得到了电导—门压的共振隧穿曲线,并讨论其物理意义。     

空穴输运的量子波导理论

在近20年,介观物理已经变成凝聚态物理中最引人瞩目的领域。在介观结构中的电子输运验证了量子的本质。在电子的量子波导理论基础上提出了一个在狭窄的介观结构中对空穴输运的一维量子波导理论,并把这个理论方法应用在量子干涉装置中,得出了一个在狭窄线路中的空穴输运的解析理论。     

空穴输运的量子波导理论

在近20年,介观物理已经变成凝聚态物理中最引人瞩目的领域。在介观结构中的电子输运验证了量子的本质。在电子的量子波导理论基础上提出了一个在狭窄的介观结构中对空穴输运的一维量子波导理论,并把这个理论方法应用在量子干涉装置中,得出了一个在狭窄线路中的空穴输运的解析理论。     

Rashba多量子阱异质结中自旋轨道耦合效应对电子输运的影响

根据量子相干输运理论,利用传递矩阵的方法,研究自旋电子在铁磁体（F）／半导体多量子阱（SWM）／铁磁体的一维结构中,考虑自旋轨道耦合效应时的量子相干输运的特性．通过计算发现在这种一维多量子阱结构中的自旋电子的输运特性发生了一定的变化．这有利于进一步提高自旋电子的隧穿系数和自旋极化率．     

正多边形量子环链自旋输运性质研究

研究了考虑Rashba自旋轨道耦合的任意正多边形量子环链的自旋输运性质.当不考虑Rashba自旋轨道耦合时,量子环链中电子的透射电导不发生自旋极化和翻转;当考虑Rashba自旋轨道耦合时,Rashba自旋轨道耦合可以控制量子环链中电导的极化.点连接的量子环链透射电导存在奇偶震荡现象,线连接的量子环链透射电导的极小值不随链长度变化.     

电子在三个耦合量子点中输运的主方程

本文基于S.A.Gurvitz等人通过直接求解薛定谔方程方法,在一些假设和近似下计算出电子在三个耦合量子点模型中的输运主方程,即几率演化方程.     

量子线侧耦合量子点的输运特性研究

利用等价单粒子多通道网格方法,研究了量子线侧耦合量子点系统的输运特性.在不同温度、相互作用能和跳跃积分值下,计算得到的电导随门压的变化曲线呈现出反共振电导特性.通过计算电子波的相位特性,得到了反共振特性起源于电子共振和非共振路径干涉的结果.     

四端量子波导中电子的输运几率

量子波导理论研究不仅是对基础物理而且对量子器件研究具有重要意义,我们采用模匹配方法,研究了非均匀磁场下开放的四端量子波导中的电子输运性质。结果表明,从一端入射的电子可以透射到两个与之垂直的输出端和一个与之平行的输出端。在没有外加磁场的情况下,两个垂直输出端的输运几率是相同的,但垂直端与水平端的输运几率不同;在外加磁场下,由于磁边缘态效应,两个垂直输出的输运几率也有着相当大的差别。     

磁量子结构中电子自旋极化输运性质的研究

研究了双磁垒量子结构中,磁场强度和偏压大小对电子自旋极化输运的影响。结果表明:零偏压下,电子在反平行等强磁垒结构中输运不会产生自旋极化;电子传输的阈值能量随磁场强度或偏置电压的增大而增大;在一定的磁场强度和偏压大小下,比较由半导体InAs和GaAs两类材料构成的量子结构中电子输运自旋极化度,发现它们的电子输运自旋极化度都随入射能量的增大而呈振荡衰减趋势,朗德有效因子高的InAs材料比GaAs的自旋极化度高出一个数量级。     

平行耦合双量子点结构的低温输运性质

使用双杂质的Anderson模型的哈密顿量,从理论上研究了一个嵌入并联耦合量子点(DQD)的介观电路在低温情况下的非平衡电子输运性质,并用隶玻色子(slave-boson)平均场近似方法求解了哈密顿.结果表明在低温情况下,这个系统中的Kondo效应、库仑阻塞效应以及外加偏压的复杂相互关系决定了电子的输运性质随偏压的增加,电流先是快速增大而后缓慢增大;随耦合强度的增加,微分电导由Kondo单峰变成Kondo双峰,且峰值降低,双峰距变宽.     

杂质散射波导理论在T型量子调制晶体管中的应用

近年来,在量子波导管中由于杂质的弹性散射的效应能被精确地以一维散射问题来研究。文章在电子输运的量子波导理论基础上研究了介观结构中δ势杂质散射的一维量子波导理论,并把这个理论方法应用在T型量子调制晶体管中杂质散射波导理论中,发现介观结构的振荡结构被破坏了。     

低维量子系统输运特性解析

介绍了低维量子系统电子输运中的普适电导涨落、库仑阻塞、近藤效应和有待解决的问题,以期对想进入该领域的相关人员提供参考.     

具有三体相互作用的一维硬核玻色链的粒子输运

利用密度矩阵重正化群的方法,研究了具有三体相互作用的一维硬核玻色链的粒子输运.研究表明,在弱相互作用下,系统是弹道输运,其弹道传输速度依赖于系统的粒子数,并且弹道传输速度随三体相互作用增大而减小.另研究了系统处于2/3填充时基态的淬火行为.研究表明系统在无能隙相时,其输运仍然是弹道输运.这一有趣现象可以帮助我们探测系统的量子相变.     

InxGa1-xN/GaN量子点中类氢杂质态结合能

在有效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场（BEF）效应和量子点的三维约束效应,研究了纤锌矿结构的InxGa1-xN／GaN柱形量子点中类氢杂质态结合能随量子点的结构参数（高度、半径）、In组分和杂质位置的变化规律。结果表明：类氢杂质位于量子点中心时,杂质态结合能随量子点高度的增加先增大后减小,存在最大值;随量子点半径增大而减小;而随着In组分的增加,杂质态结合能增大;杂质从量子点下界面沿。轴移至上界面过程中,杂质态结合能增大;量子点内外材料的电子有效质量的失配使杂质态结合能减小。     

掺铅离子硒化镉量子点的水相合成

水相合成CdSe量子点时掺杂Pb2+一步合成了CdPbSe三元量子点.控制不同的反应时间得到了不同粒径的量子点,这些量子点都具有良好的荧光特性,且荧光发射随合成时间的延长有明显的红移.     

Al含量对闪锌矿GaN/AlxGa1-xN量子点光学性质的影响

利用有效质量近似和变分原理,考虑量子点的3维约束效应,研究了圆柱形闪锌矿GaN/AlxGa1-xN量子点的光学特性随势垒层Al含量的变化关系问题。结果表明,势垒层Al含量对量子点的发光波长、振子强度和激子结合能有重要的影响,激子效应对量子点发光波长的影响很大。     

CdE(E=S,Se,Te)量子点的合成、修饰、表征及应用

量子点又可称为半导体纳米微晶体,它具有比传统有机荧光染料更优越的荧光特性.量子点作为一种新型的荧光标记物近年来已在生物医药领域得到广泛应用.综述CdE(E=S,Se,Te)量子点的基本性质,合成、修饰、表征方法以及在化学、生物医药方面的应用,最后对量子点在生物学中的应用前景作了展望.     

CdE(E=S,Se,Te)量子点的合成、修饰、表征及应用

量子点又可称为半导体纳米微晶体,它具有比传统有机荧光染料更优越的荧光特性.量子点作为一种新型的荧光标记物近年来已在生物医药领域得到广泛应用.综述CdE(E=S,Se,Te)量子点的基本性质,合成、修饰、表征方法以及在化学、生物医药方面的应用,最后对量子点在生物学中的应用前景作了展望.