高质量二维电子气材料研制及其器件应用

高迁移率GaAs/AIGaAs二维电子气(2DEG)结构材料在基础物理研究和新型器件及电路的应用方面有十分重要的意义。低温电子迁移率μ超过10~6cm~2/V·s的2DEG材料可用于研究分数量子霍尔效应。高迁移率和高载流子面密度的2DEG材料可用于研制高电子迁移率晶体管(HEMT)、超高速数字集成电路(VHSIC)和微波毫米波单片集成电路(MIMIC)等超高频、超高速微电子器件和电路,它们被广泛应用在雷达、制导、电子对抗、光纤通讯和数字微波通讯等领域。     

浅议我国新材料产业的发展

新材料的不断产生与应用是人类社会不断进步的重要标志之一 ,新材料特别是高性能、多用途的先进材料已成为科研和应用的重点。在众多新材料中 ,纤维增强树脂复合材料和硅基电子材料是当今工业中最重要的材料 ,而信息功能材料、纳米材料、智能材料、生物高温与结构陶瓷等将是 2 1世纪研究开发的重点。比如 ,信息材料作为现代信息产业的基石 ,支撑着通信、计算机、信息家电和网络技术的发展。以硅为代表的集成电路用新材料已成为集成电路产业的基础 ,它决定着集成电路这个国民经济的战略性基础产业的发展水平。根据国内专家的测算 ,集成电路对…     

多孔硅及硅基发光材料

硅是微电子技术的材料基础。为了发展光电子集成就必须研究硅基发光材料。多孔硅是硅基发光材料的一个重大突破,并实现了多孔硅发光二极管与集成电路的集成。同时,硅基发光材料研究的纵深发展,出现了发光强、稳定性好的硅基多孔SiC蓝光发射材料和发光波长范围宽的纳米半导体镶嵌SiO_2发光材料。硅基镶嵌纳米发光材料是一个富有活力,有应用前景的研究领域。     

杭州师范学院 有机硅化学及材料技术教育部重点实验室

杭州师范学院有机硅化学及材料技术实验室,从1991年开始从事有机硅化学及材料技术的研究与开发,是教育部系统最早为国防军工配套的民口研制单位之一、中国氟硅材料工业协会(硅)理事单位、中国材料网副理事长单位,现为杭州市、浙江省和教育部重点实验室。     

硅基光电异质集成的发展与思考

光电子器件与传统微电子硅基互补金属氧化物半导体（CMOS）芯片的集成是未来信息技术的重要发展方向。现有硅基光电子集成技术得益于CMOS技术高集成度、低成本的优势,但主要采用硅材料制成,受限于硅材料本身的光电性质。硅基光电异质集成技术在利用CMOS晶圆制造优势的同时可兼容更多性能优异的光电异质材料,是未来光电集成技术的主要发展方向。文章介绍了该方向世界范围内的飞速发展形势及我国在该领域的研究基础,探讨了该领域未来的发展趋势和蕴藏的重要创新机遇。     

光频转换提升硅太阳电池效率

由于硅材料的吸收特性,硅太阳电池不能有效利用太阳辐射光谱中的紫外光和红外光。光频转换技术通过光致荧光、光频下转换和光频上转换过程将紫外光和红外光转化为可被硅太阳电池利用的可见光,从而提升硅太阳电池的光电转化效率。本文介绍由光频转换得到的全太阳光谱硅太阳电池的原理和结构,并对各种光致荧光、光频下转换和光频上转换材料及其在硅太阳电池中的应用进行讨论。     

让硅发光

科学家们长久以来都在寻找基于硅材料的激光。这一进展将使工程师们能在便宜的硅芯片上集成电子器件和光学器件，而不是被迫采用昂贵的特殊半导体材料，如砷化镓或磷化铟。硅激光器将促成光系统的可行性，利用光子代替电子，以每秒数GB的速度迅速传输大量数据。最近，加利福尼亚大学洛杉矶分校和英特尔公司的两个研究小组，报告了他们成功的使硅材料发射连续激光。     

HEVC中CABAC初始概率值的研究与优化

在HEVC中CABAC的不同上下文模型,概率分配不同,采用恰当的初始概率值,有助于编码性能提升。为提高屏幕图像压缩性能,同济大学超大规模集成电路研究所在HEVC基础上提出了一种编码单元自适应双编码器,其CABAC部分与HEVC相同,文章主要对该双编码器进行初始概率值的研究与优化。     

信息时代新的工业革命及我们的对策

微电子技术——超大规模集成电路的发展,大大推动了信息产业的形成与发展。今天,大家都认识到材料、能源及信息是构成物质世界的三大要素,这是人类认识在20世纪的一大飞跃。     

关于我国集成电路产业进入良性循环的建议

微电子技术是当今世界发展高技术的不可缺少的基础.没有微电子技术,几乎所有其它高技术都难以发展.微电子产业是国民经济和国防建设的基础产业之一.它是我国发展农业、能源、交通、通讯、主要原材料等和改造传统产业所不可缺少的.集成电路是微电子技术和产业的核心.集成电路在我国大量应用是不可避免的,也是不可代替的.像超大规模集成电路这样的高技术是买不到,引不进的.发展集成电路必须主要依靠自己的力量.我国要独立自主、自力更生地发展国民经济,非发展集成电路不可.在我国,发展集成电路这件事,在高技     

当前科学技术发展的特点及科学基金项目指南的制定

一、当前科学技术发展的主要趋势1.科研成果转化为生产力所经历的时间日趋缩短在科学史上,科研成果转化为生产力要经历很长的时间,有的长达百年。随着人类文明的进步,这个过程日益缩短。到六十年代平均只有三十年,目前就更短了。如激光和某些生物技术,从基础研究到应用经历的时间就很短。另外,象大规模集成电路及超大规模集成电路的发展,科学研究和技术发展几乎是平行的,即材料与工艺方面的研究成果立刻就会应用到产品中去。这就反映出科学技术的高速发展和竞争的加剧。因此,要想保持竞争能力,必须有高水平的科学家和工程技术人员、高级科     

基于神经网络的钢材表面缺陷快速检测

表面缺陷是影响钢材质量的重要因素,钢材表面缺陷图像在线快速检测已成为国内外学者研究的热点课题.研究钢材表面缺陷识别技术不仅具有一定的理论价值,更具有实际的应用前景.本文设计并通过仿真实现了冷轧带钢表面缺陷检测系统及缺陷分类系统,重点研究了BP神经网络方法及图像处理技术在钢材表面缺陷识别中的应用,实现冷轧带钢表面缺陷的快速自动分类.     

极大规模集成电路平坦化工艺与材料——河北工业大学刘玉岭教授研究成果

随着微电子技术进入65nm及以下技术节点．集成电路布线层数已达10层以上,布线间介质使用LowK介质。每层都必须进行化学机械抛光（CMP）,使平整度达到纳米级、粗糙度达埃米级的光刻要求,需要低机械强度（1Psi以下）完成CMP,实现表面全局和局部的高平整、低粗糙度、低缺陷密度和高洁净度。多年来我国在多层铜布线以及ULSI硅衬底单晶片CMP技术专用材料方面长期受美、日控制和制约,而且目前占国际市场65％以上的酸性抛光液存在亟待解决的多项技术难题。     

喷射成形铝硅合金缸套挤压模具结构分析

通过数值模拟技术分析了喷射成形铝硅合金缸套的挤压过程,揭示了挤压模具角度对挤压过程的影响规律。研究表明:挤压角度对挤压力影响明显,60°锥角具有较小的挤压力,可有效改善材料内部的缺陷,提高致密性等。     

超特高压直流输电工程实现中国造

中国科学院上海微系统所SOI（绝缘硅）小组与上海宏力半导体制造有限公司研究人员密切合作,利用双方在SOI材料科学研究和集成电路制造方面的优势,在国内首次利用标准CMOS（互补金属氧化物半导体）工艺平台开发出10Gbps速率的硅光调制器芯片,该芯片可以和电路集成在同一SOI硅片上,     

硅微电子技术物理极限对策探讨

根据国际半导体技术蓝图(ITRS)发布的未来半导体工艺技术预测,2016年世界集成电路主流工艺线宽为22纳米,2022年达到10纳米。届时,以硅为基础的微电子技术发展所遵循的摩尔定律将不再适用;为此,必须发展基于全新原理的新技术,以满足人类不断增长的对信息量的需求。本文首先介绍硅材料国内、外的发展现状与趋势,进而讨论后摩尔时代的微电子技术发展可能采取的对策,最后展望基于全新原理的纳米电子、分子电子、光计算和量子信息技术的发展前景。     

攀高峰建平台聚人才创“芯”业——记著名集成电路设计专家东南大学王志功教授

2005年8月20日,以中科院半导体所陈良惠院士为主任、863计划光电子专家组专家陈弘达教授和863计划超大规模集成电路重大专项专家组专家刘伟平高工为副主任的专家组在南京对东南大学射频与光电集成电路研究所的“射频,超高速与光电集成电路无生产线设计平台”的研究和建设成果进行了鉴定。所给与的鉴定结论是:“射频、超高速与光电集成电路无生产线设计平台”集科学研究、人才培养、多项目晶圆芯片制造服务、芯片测试等多功能于一体,具有微电子与光电子技术结合、学研产相结合的特色,属国际首创,具有国际领先水平。这一天,王志功教授感到特别高兴。王志功教授和他的研究团体,一支在困难面前勇往直前的队伍,一支将激情和理想奉献给祖国集成电路事业的队伍,历经8年的科技长征到达了一个新的起点。他们日复一日年复一年辛勤而默默的工作着,风雨无阻,无怨无悔,在风浪中奏出了动人的乐章。他们用辛勤汗水浇灌的、深植于民族自尊的科研之花开放了……     

高职数字电子技术课程教学改革探讨

目前在《数字电子技术》课程中讲述的内容主要为中小规模集成电路．随着电子技术的发展．大规模和超大规模集成电路得到了广泛的应用。为了适应科学技术的发展以及21世纪对人才素质的需求，本文结合多年的教学经验，浅析了目前《数字电子技术》课程教学中存在的不足及难以适应当前教学发展需要的状况，从理论教学内容、实践教学内容．教学方法和手段、教学评价等方面对该课程的教学改革提出几点建议.     

琳琅满目的人工晶体

微电子产业是信息产业中一个重要支柱。材料在微电子(集成线路)技术发展中起着非常重要的作用,这些材料包括芯片材料、封装材料、光刻材料及其它辅助材料。其中决定其发展的核心是作为超大规模集成电路衬底的硅单晶。至今硅单晶的直径已经发展到12″(300mm)至16″(400mm)。同时对硅单晶的完整性(无位错)、纯度及加工的要求也越来越高。目前全球硅单晶年产量已达万余吨,半导体     

青海省新能源材料与技术重点实验

<正>青海省新能源材料与技术重点实验室依托青海黄河上游水电开发有限责任公司,于2018年9月由青海省科学技术厅批复正式建设。实验室坚持"强化特色、突出优势"的原则,以新能源材料与技术的基础理论研究、人才培养为主线,以集成电路用硅基半导体材料、新型高效太阳能发电用