当诺贝尔奖撞见诺贝尔奖——氮化镓-石墨烯LED

自GaN LED获诺贝尔奖以来,其热度呈现不断上涨之势,蓝光作为合成白色光源的最后一种基色光,使得其具有不可替代的重要性,若要将其应用于产业化,实现成品器件,则需要使其发光效率达到最大化,此时,石墨烯的作用就显得尤为重要,石墨烯作为诺贝尔奖的宠儿,具有超高的导电性、导热性以及透光性,这些性能使得其成为LED透明电极的理想材料。     

氮化镓植于石墨烯可制成随意折叠变形的LED材料

<正>科技日报讯目前,许多由有机材料制造的电子和光电子材料都具备良好的柔韧度,易于改变形状。与此同时,不易形变的无机化合物在制造光学、电气和机械元件方面展现出了强大的性能。但由于技术原因,二者却很难优势互补,功能优异的无机化合物半导体也因不易塑形的特点而遇到了发展障碍。幸好,氮化镓与石墨烯的结合,部分实现了强强联合这一理想目标,一种能"变形"的发光二极管(LED)材料已经诞生。据物理学家组织网近日报道,由韩国首尔大学伊圭哲(音译)教授领导的研究小组将微型的氮化镓棒植于石墨烯薄膜表面,制成了一种可弯曲和伸缩的     

氢化物气相外延生长锰掺杂的氮化镓的性质研究

我们采用氢化物气相外延方法生长了锰掺杂的氮化镓薄膜。使用X光衍射仪（XRD）,喇曼散射仪来研究样品的性质。在锰掺杂氮化镓薄膜的XRD谱里,可以发现有镓锰和镓锰氮化合物成分。除了氮化镓的峰,锰掺杂样品的喇曼谱上在670cm-1处有一个峰,在150,300and450cm-1附近分别有一个展宽结构。我们认为在150,300和670cm-1处的三个模式是由于无序激活喇曼散射引起的,在450cm-1处的模式是镓-锰键的局域振荡引起的。     

新型稀磁半导体Cu掺杂LiMgN的电子结构和光学性质

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对纯LiMgN,Cu掺杂LiMgN,以及Li过量和不足时Cu掺杂LiMgN体系进行几何结构优化,计算并分析体系的电子结构、半金属性、形成能及光学性质.结果表明,Cu掺入使体系产生自旋极化杂质带,表现出半金属性,且体系性质受Li计量数的影响.当Li不足时体系的杂质带宽度增大,半金属性增强,净磁矩增大,同时体系的形成能降低,居里温度提高.而当Li过量时,体系半金属性消失,但带隙值减小,导电能力增强.通过比较光学性质发现,Cu掺入后体系在低能区出现新的介电峰,且当Li不足时介电峰增强,同时复折射率函数也发生明显变化,体系对低频电磁波吸收加强.     

石墨烯复合光催化材料专利技术综述

本文针对现有的石墨烯复合光催化专利,归纳了国内外石墨烯光催化材料专利的申请态势,并对石墨烯基光催化材料的组成、制备方法、重要申请人及技术演进路线进行了分析,采用气泡图的形式将重点申请人的研发方向清晰的表现出来,为新能源领域开发新型石墨烯基光催化剂材料起到很好的指导作用。     

石墨烯纳米带的可控合成与性质研究获新进展

自2004年Geim发现石墨烯（graphene）以来,石墨烯受到了全世界科学家的广泛关注。化学所有机固体院重点实验室的研究人员,在前期工作基础上发现四溴芤酰亚胺在碘化亚铜和L-脯氨酸的活化下可以实现多分子间的偶联反应．得到了不同尺度大小的并茈酰亚胺,实现了酰亚胺基团功能化的石墨烯纳米带的高效化学合成,通过高效液相分离了两种三并芤酰亚胺异构体,进一步结合实验方法和理论计算明确阐明了其结构。此外,研究人员还系统地总结了芤酰亚胺和二并、三并芤酰亚胺的结构、光电性质、     

垂直结构氮化镓基LED表面粗化的仿真模拟

当前LED研究的重点在于提高LED的出光效率,特别是外量子效率而表面粗化是提高外量子效率最简单有效的方法之一。本文主要介绍了表面粗化提高氮化镓基LED出光效率的原理,垂直结构LED的粗化特点,并利用模拟仿真软件Tracepro对垂直结构LED的表面粗化进行了计算,确定了设定属性下出光效率最高时的条件。     

玻璃钢与混凝土之间层状复合界面的试验研究

通过单侧拉伸下的剪切实验,研究玻璃钢与浇筑混凝土之间通过树脂及石英石复合形成界面层的力学性能.分析玻璃钢和混凝土之间界面层中石英石不同颗粒粒径大小和不同颗粒分布密度对剪切强度的影响,实验结果表明界面层中的石英石对玻璃钢与浇筑混凝土之间的粘接起着重要的作用.     

半导体GaN三阶非线性光学性质研究

用双4f相位成像技术,对半导体GaN多晶在600nm,皮秒时城的三阶非线性光学性质进行了实验测量。根据相关理论,通过数值模拟确定了GaN在相关条件下的三阶非线性光学参数。实验测量得到的双光子吸收系数β=9．54×10^-11（m／W）,三阶非线性折射率,n2=-1．33×10^-17（m^2／W）,该结果表明GaN是一种性能优异的非线性光学材料。．     

固体表面与界面结构和电子态的研究进展

固体表面与界面是近30年来国际科技界所瞩目的领域。本文简述了国家自然科学基金委员会“七五”重大项目“固体表面和界面的结构与电子态研究”的意义及研究成果。项目分为六个子课题,由国家教委和中科院所属的五个单位承担,至1991年底已告完成。     

聚酰亚胺/氧化石墨烯纳米复合薄膜的制备与性能研究

以4,4′——二氨基二苯醚(ODA)、氧化石墨烯(GO)和均苯四甲酸二酐(PMDA)为原料原位聚合制备聚酰亚胺/氧化石墨烯(PI/GO)纳米复合薄膜。通过扫描电子显微镜(SEM)证实氧化石墨烯的加入使得复合材料的结构更加致密。通过拉伸性能测试发现由于GO在PI基体中有良好的分散性,所以在拉伸过程中应力能够有效的转移,从而提高复合材料薄膜的力学性能。     

高导热石墨烯/炭纤维柔性复合纸

该复合纸集高导热、高强度和柔韧性于一体,厚度在10-100μm之间可控,面向导热系数高达800-1500W/m·K,是铜箔的2-3倍,拉伸强度达15-20MPa,是商业化柔性石墨纸的3-4倍,以90°夹角弯折6000次以上无断裂或结构破坏.     

氧化石墨烯/聚合物复合质子交换膜

氧化石墨烯/聚合物复合质子交换膜由于具有较为优异的导电性能、机械稳定性能,被广泛应用于微生物燃料电池(MFC)质子交换膜。着重介绍了氧化石墨烯/聚合物复合质子交换膜的制备方法和性能,并展望了氧化石墨烯/聚合物复合质子交换膜的应用前景。     

权力的性质与组织结构的演变

权力在组织结构中扮演着重要角色。本文通过对以前权力理论进行比较分析后,对权力的性质进行新的阐述,提出了用权位值对权力进行量化的思路。根据这种阐述,不但能揭示权力的本质,而且还可以了解权力结构与组织结构在演变中的互动作用,预测了两者未来的发展趋势。     

复合结构设计中的界面裂纹有限元分析

采用有限元分析方法分析了复合结构中的界面裂纹的应力强度因子与裂纹尖端应力分布随模量比的变化规律,为复合结构的设计提供选材依据。     

半导体激光器芯片专利分析与技术结构研究

半导体激光器作为光电子科技的核心技术,受到各国科技界和产业界的高度重视.芯片是半导体激光器的核心技术之一,在逆全球化、中美贸易摩擦的背景下,我国半导体高端芯片受限风险激增.本文从专利分析的角度出发,对全球半导体激光器芯片的技术现状进行了研究和探讨.     

氮化镓GaN的特性及其应用现状与发展

现在碳化硅、氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体在军事和民品上的应用成为未来发展趋势。氮化镓GaN具有禁带宽度大、临界击穿电场大、饱和电子漂移速度高、化学性质稳定等特点,使得氮化镓GaN元器件具有通态电阻小、开关速度快、耐高温、耐压高性能好等优点,在光伏逆变、电力电子、微波通信、照明等应用领域,有着硅Si元器件无法比拟的优势,有着重要的战略意义,因此氮化镓GaN作为第三代半导体材料中的典型代表在将来会得到更宽广的应用。     

表面活性剂化学结构与性质的研究

表面活性剂都是由亲水基和亲油基组成。由于亲水基有阴离子、阳离子、非离子、两性等不用种类,故其性质也不同。本文从亲水基的种类、分子结构等全面综合来考察结构和性质对表面活性剂的影响及其在实际生产你中的若干应用。     

融会贯通研究成果和基本理论系统论述半导体光谱和光学性质 ——沈学础院士著作《半导体光谱与光学性质》介绍

半导体的光学性质是半导体最重要的物理性质之一,主要研究辐射场与半导体的相互作用过程.对半导体光学性质的研究一方面探索辐射在半导体中产生、传播、湮没、散射及其在界面处出射行为的规律,另一方面又提供了有关半导体电子能带结构、声子结构、束缚和自由载流子行为等基本物理信息.基于这些研究,近20年来,光学方法已经成为检测和标定半导体材料物理性质最基本、最重要的手段而被广泛应用.同时正是这些研究及其成果开拓了半导体应用的新领域,例如,半导体辐射探测、激光、发光、太阳能光电转换等各种光电转换、电光转换和其他转换过程的器件,以及目前正迅速发展的各种非线性光学、光电信息、光子信息应用.