Ga2O3/ITO/Ga2O3深紫外透明导电膜的研究

采用常压烧结方法制备了Ga2O3陶瓷靶,用X射线衍射仪、金相显微镜对Ga2O3陶瓷靶的结构和形貌进行了研究.用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO(锡铟氧化物)靶材分别制备了Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜,用紫外-可见分光光度计、四探针测试仪对Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜的光学透过率和电阻率进行了表征. Ga2O3薄膜不导电,光学带隙5.1eV;Ga2O3(45 nm)/ITO(14 nm)/ Ga2O3(45 nm)膜在300 nm处的光学透过率71.5%,280 nm处60.6%,电阻率1.48×10-2Ω.cm.ITO层的厚度影响Ga2O3/ITO/ Ga2O3膜的光电性质.     

陶瓷靶材的制备及性能表征

以ZnO、Al2O3粉体为原料,采用常压烧结方法制备高导电性Al:ZnO(AZO)陶瓷靶材,并系统研究了不同的成型压力、烧结工艺及其烧结温度对靶材电学特性和密度的影响。结果表明:成型压力的大小对于ZAO靶材本身的密度、成品率及最后烧结的性能都有很大的影响。成型压力为14Mpa时,靶材的电阻率最小,为0.35Ωcm。烧结温度的选择也是制备靶材的关键,为了避免靶材出现断层、上表面壳曲、微裂纹甚至开裂现象,要采用缓慢升温,长时间保温与缓慢降温的方法。实验表明,在1250℃时,AZO靶材表面平整致密,基本上达到了陶瓷靶材的烧结终点。     

离子溅射能量损失及射程的模拟研究

运用SRIM2006软件对靶材的溅射进行了模拟,计算了各种情况下离子入射靶材能量损失和射程分布,分析其内部碰撞机理,得到了入射离子能量损失和射程分布随离子能量得变化规律:低能离子溅射能量损失以核阻止为主,高能离子溅射能量损失以电子阻止为主;载能离子的能量损失及射程与入射离子和靶原子有关;对于低能离子溅射靶材,入射离子主要分布在靶材表面几层原子内.     

热处理时间对IT0薄膜显微组织及光电性能的影响

采用溶胶一凝胶法在玻璃基体上制备了ITO薄膜,研究了后续热处理时间对ITO薄膜显微组织及光电性能的影响。研究结果表明:随着热处理时间的延长,ITO薄膜的微观形貌发生了很大的变化,出现了小丘生长并伴随着回复与再结晶过程,严重影响了ITO薄膜的光电性能。     

飞秒脉冲激光烧蚀靶材机理的探讨

飞秒脉冲激光烧蚀靶材的研究发现,激光和靶材的相互作用不遵守傅立叶定律,热烧蚀模型不再适用。本文首先分析了研究超短脉冲激光烧蚀过程中电子和离子亚系统之间相互作用程度的双温模型,由此出发,结合飞秒脉冲激光的特点,探讨了非平衡烧蚀机理,并根据相应实验数据说明了飞秒激光烧蚀靶材的机制是非平衡态下的烧蚀。     

软件外包人才高职教育学期项目的实践与探索

文章根据离岸软件服务外包（ITO）产业对人才知识技能结构的多层次和多方面的综合需求,介绍了苏州服务外包学院参考ITO离岸开发商企业和项目的管理,基于CMMI软件成熟度模型建立的针对软件外包人才培养的联合课程的学期项目管理办法和项目过程规范。通过模拟场景化的ITO工作环境,联合学期项目对ITO人才所需的专业技能、行业知识、过程规范、职业素养和外语沟通能力进行了全方面的实践覆盖,学生在满足ITO产业综合技能方面得到了极大的提高,为实现毕业时的零公里就业打下了坚实的基础。     

热处理时间对ITO薄膜显微组织及光电性能的影响

采用溶胶一凝胶法在玻璃基体上制备了ITO薄膜,研究了后续热处理时间对ITO薄膜显微组织及光电性能的影响.研究结果表明:随着热处理时间的延长,ITO薄膜的微观形貌发生了很大的变化,出现了小丘生长并伴随着回复与再结晶过程,严重影响了ITO薄膜的光电性能.     

ITO薄膜的电学性能研究

以In金属和SnCl4·5H2 O作为原材料 ,采用溶胶一凝胶法在玻璃基体上制备了高质量的ITO薄膜 ,并分析了Sn掺杂时、热处理温度、热处理时间三种工艺参数对ITO薄膜电学性能的影响 ,确定了ITO薄膜的相组成     

半导体薄膜研究型实验教学的探索与实践

研究型实验教学是培养学生创新意识和创新能力的重要环节,论文以ITO薄膜为例,围绕ITO薄膜光电学性能,介绍了半导体薄膜研究型实验教学的内容和实施方法,激发了学生的科学研究兴趣,探讨了研究型实验教学对培养学生创新思维和科研能力所起的作用。     

共溅射法金属掺杂透明导电ITO薄膜的研究进展

论述了磁控共溅射法在透明导电ITO薄膜中掺杂其他的金属材料的重要性,综述了采用该方法在ITO薄膜上掺杂Zn、Ag、Mn等金属材料后,薄膜光谱透射率的变化,并且对掺杂之后ITO薄膜的结晶情况、微观机理的变化、导电性能与光谱透射特性的内在联系进行归纳总结。