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1.
梁辉 《安徽教育学院学报》2003,21(3):22-24
本文从晶体的结构特征平移对称性出发,得到了平移算符的本征值方程——布洛赫定理、晶体中电子的哈密顿算符的本征函数——布洛赫函数和晶体的能带结构,并阐明了晶体结构特征导致了晶体能谱结构的形成。 相似文献
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Ta2O5是一种在薄膜材料中具有重要用途的晶体材料。采用第一性原理平面波赝势法,分别计算了本征态Tazos晶体以及存在0空位(Vo)、Ta空位(VTa)、0反替位Ta(Ota)和O间隙(Oi)本征缺陷时Ta2O5晶体的态密度和能带结构,得到了不同的带隙值并对计算结果进行了分析,该结果表明0反替位Ta(OTa)缺陷存在时对Tazos晶体能带结构的带隙值影响最大,其次是O空位(Vo)。 相似文献
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章对量子力学中单个力学量在本征态和非本征态中有无确定值和多个力学量同时有无确定值的条件进行讨论,说明单个力学量处于本征态时有确定值,多个力学量算符对易时力学量同时有确定值,而在非本征态中无唯一确定值。 相似文献
4.
对于描述跟强度有关的辐射场与二能级原子相互作用的Jaynes—CummingsHamiltonian,将其分成相互对易的两部分,从而将其对角化,并得到它的本征值和本征态.同时也计算了态的演化和跃过几率. 相似文献
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介绍了波动力学中解微分方程法和代数法在求解量子力学中一维谐振子能量本征值问题中的应用,并分析讨论了这两种方法的特点。 相似文献
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本文运用量子力学中的完全性关系分析了数学中整数的构成和色度学中颜色的合成问题,证明了完全性关系在其它领域也有着广泛的应用,从而有助于进一步研究数的构成和线性展开以及颜色、光谱的合成和分解问题. 相似文献
8.
本利用δ函数推导出了在动量表象下基本算符的本征问题,从而全面系统地讨论了基本算符在两个具体表象下的本征问题及相互关系。 相似文献
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牛振凤 《河北北方学院学报(社会科学版)》2000,16(1):88-90
文章对量子力学中单个力学量在本征态和非本征态中有无确定值和多个力学量同时有无确定值的条件进行讨论.说明单个力学量处于本征态时有确定值,多个力学量算符对易时力学量同时有确定值,而在非本征态中无唯一确定值. 相似文献
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崔玉亭 《商丘师范学院学报》1998,(Z4)
利用扩展休克尔方法,计算出NaF晶体的能带结构.得出了价带位置和能隙宽度,导带的最低点在T1.该方案计算简便,大大节省计算时间,与实验数据及其它理论计算比较表明,所得结果与实验数据符合较好. 相似文献
12.
崔玉亭 《商丘师范学院学报》1997,(Z3)
结合特殊点方案,利用自包容子程序,应用扩展休克尔理论到离子晶体.计算了NaCl晶体的电子结构,进行了理论分析,找出了NaCl晶体的能隙和价带宽度,定性解释了中性基态Na原子的低能ESD实验的结果. 相似文献
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采用投影壳模型(Projected Shell Model,PSM)方法,计算了99Sr核素的基带能量,并与实验结果进行了比较.同时研究了99Sr核实验上观测到的几条边带的能量,预测了几条低激发转动带.研究表明,99Sr核素基带以及边带的能量在理论计算中得到了很好的再现,并且对预测的几条单粒子转动带也给出了相应的组态信息以及带头能量. 相似文献
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张治国 《泉州师范学院学报》2009,27(2):25-29
从电热转换元件的电毁现象出发。利用膜材料电性能的各向同性性质,建立了一维晶粒列模型,给出了晶粒列模型的平衡态能带图和带尾态分布以及在外加电压下的非平衡态能带图,并分析了自由电子在越过晶问势垒时受到的加速和散射的情况.通过导出数学模型,得出了电子柬的电毁能量应大于等于晶体结合能的结论,并得到了晶粒子大小不同的膜材料有不同的过电压耐量的比值,为元件的工艺设计、可靠性研究和过电压保护器件研究提供了参考. 相似文献
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研究非线性超晶格的能带结构随非线性系数的变化和多稳态现象。将非线性Kronig—Penney超晶格的定态非线性薛定额方程,化为一个二维实映射,进行数值分析得到非线性超晶格的能带结构与非线性系数及波强度有关,给出了不同非线性系数情况下的能带结构以及透射波强度对于入射波强度呈现的多稳态结构。 相似文献
18.
基于小波分解频带能量特征和BP神经网络的方法识别油浸式变压器短路故障。利用电弧光信号进行油浸式变压器短路故障诊断,对不同工况下的光信号进行多分辨率分析的四层小波分解,选择合适的重构小波系数,提取特征频带。对提取出的特征频带的小波系数作平方和归一化处理,求出每个特征频带的能量,作为特征参数输入到BP神经网络模型中进行训练和故障识别。 相似文献
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郝正同 《绵阳师范学院学报》2010,29(5):18-21
采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对NaSi和KSi的电子结构进行了理论计算,能带结构计算表明NaSi是一种间接带隙半导体,禁带宽度为1.32eV;KSi是一种准直接带隙半导体,禁带宽度为1.42eV;并详细讨论了NaSi和KSi在费米面附近的价带与导带的电子态密度。 相似文献