有机场效应晶体管的研究再获新进展

近年来,作为有机光电器件重要组成部分,有机场效应晶体管受到了学术界和工业界的关注。目前高性能有机场效应晶体管的性能已基本达到了实用化的要求。化学所有机固体院重点文验审研究人员发展了利用铜和银修饰方法来代替金作为有机场效应晶体管的源漏电极,制备了高性能的器件,之后他们利用低功函数的铜为源漏电极制备了高性能的上电极结构的有机场效应晶体管,     

化学研究所在有机场效应晶体管研究取得新进展

在国家自然科学基金委员会、科技部、中国科学院的大力支持下,化学研究所有机固体院重点实验室刘云圻研究员、张德清研究员、朱道本院士和他们的研究生,近期在利用有机氮氧自由基为半导体材料制备的场效应晶体管的研究方面取得新进展,有关研究成果申请了中国发明专利并发表在近期的J．Am．Chem．Soc．(2006,Vol．128,No．40,pp．13058—13059)上。     

研制出一种具有优异存储特性的碳纳米管基铁电场效应晶体管

碳纳米管独特的结构和电学性质为其电子器件应用提供了巨大潜力。物理所／北京凝聚态物理国家实验室博士生符汪洋、32程师许智、研究员白雪冬和王恩哥与微加32实验室研究员顾长志合作。研制成功了以外延铁电薄膜为栅介质的单壁碳纳米管场效应晶体管。开发出一种基于碳纳米管的铁电场效应晶体管存储器件单元。