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相似文献
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1.
Eu掺杂(取代)导致Y系YBa2Cu3O7-δ(YBCO)超导材料临界电流密度增强,晶格应变被认为是主要原因。本文研究了Eu掺杂YBa2-xEuxCu3O7-δ超导体的结构和应变,并从容忍因子讨论了钙钛矿单元的结构稳定性和晶格畸变,以及结构与电输运的相互关系;当x〈0.15时,样品中没有杂相。我们发现Eu^3+/Eu^2+离子优先替代Ba位的Ba,对电输运几乎没有影响。研究还表明氧含量对超导转变温度Tc几乎没有影响。进一步研究了所有正常态样品的自旋能隙打开温度与超导输运及结构变化之间的关系。  相似文献   

2.
介绍了在空气气氛中制备YBa2Cu3O7-δ超导样品的实验方法,经样品超导体输运特性测定和形貌结构分析,表明烧结温度在950℃左右,烧结时间12h制备的YBa2Cu3O7-δ超导样品,其超导转变温度为92K,具有完全抗磁性(迈斯纳效应),同时表明样品晶粒发育良好,且具有良好的单相性和正交结构。  相似文献   

3.
元素替代对YBa2 Cu3 O7-σ高温超导体Tc的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
就YBa2Cu3O7-σ高温超导体的转变温度Tc影响因素之一元素替代进行讨论。针对元素在不同位置Cu位、Y位、B位、O缺陷与O位的替代效应所导致的晶体结构、氧含量以及载流子浓度等变化情况进行了较全面的综述,进一步探究了其超导机理。  相似文献   

4.
由于稀土Pr的特殊性,在Y-123中用Pr替代Y被人们广泛研究,但报道的结果常不一致,甚至相互矛盾。本文详细研究了Pr掺杂对YBa2Cu3O7-δ(Y-123)的结构与输运性质的影响。借助Rietveld方法,对不同掺杂的样品进行了细致的结构分析,并从结构的变化及替代所引起的结构应变、电荷变化的角度解释了Pr掺杂样品所具有的输运性质的变化。  相似文献   

5.
采用冷压二次烧结法制备出Al2O3/Cu复合材料,Al2O3颗粒的尺寸分别为1.5μm、7μm、10μm,体积含量分别为5%、10%、15%.耐磨性实验结果表明,Al2O3颗粒可以大幅度提高Cu基体材料的抗磨损性能,且Al2O3含量多(10%、15%)的比含量少(5%)的复合材料耐磨性更好;而Al2O3颗粒粒径适中(7μm)的比其它粒径(1.5μm、10μm)的复合材料抗磨损性能更佳.  相似文献   

6.
采用常压烧结方法制备了Ga2O3陶瓷靶,用X射线衍射仪、金相显微镜对Ga2O3陶瓷靶的结构和形貌进行了研究.用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO(锡铟氧化物)靶材分别制备了Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜,用紫外-可见分光光度计、四探针测试仪对Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜的光学透过率和电阻率进行了表征. Ga2O3薄膜不导电,光学带隙5.1eV;Ga2O3(45 nm)/ITO(14 nm)/ Ga2O3(45 nm)膜在300 nm处的光学透过率71.5%,280 nm处60.6%,电阻率1.48×10-2Ω.cm.ITO层的厚度影响Ga2O3/ITO/ Ga2O3膜的光电性质.  相似文献   

7.
用传统的固相反应法制备了掺杂稀土元素Gd的YBa2Cu3-xGdxO7-δ多晶粉末样品,并对YBa2Cu3-xGdxO7-δ结构进行X射线衍射研究。详细研究了Gd掺杂对YBa2Cu3O7-δ(Y-123)的结构与输运性质的影响。借助Rietveld方法,对不同掺杂的样品进行了细致的结构分析,并从结构的变化分析了掺杂对自旋隙产生的影响。对Gd3 离子磁掺杂自旋隙特征的研究说明自旋隙温度很大程度地依赖平面间的反铁磁关联配对的加强。  相似文献   

8.
采用一种简单的静置合成法制备出Z型g-C_3N_4/Cu/Cu_2O三元复合材料.运用透射电子显微镜、扫描电子显微镜、紫外—可见漫反射光谱(UV-Vis-DRS)等对其形貌、结构、性能等方面进行表征,并对其光催化降解甲基橙的性能和机理进行研究.结果表明,与单一半导体材料g-C_3N_4、Cu_2O及二元复合材料g-C_3N_4/Cu_2O和Cu/Cu_2O相比,具有Z型结构的g-C_3N_4/Cu/Cu_2O三元复合材料表现出更好的光催化降解性能.  相似文献   

9.
用X射线衍射仪检测薄膜的结构;用分光光度计测量薄膜的透射率和反射率,采用拟合正入射透射谱数据的方法计算薄膜的厚度;用Van der Pauw方法测量薄膜表面电阻和霍尔迁移率,并计算出电阻率和载流子浓度.结果表明,生成单相Cu2O薄膜的氧气流量范围很小,在氧气流量为5-7sccm范围,薄膜主要成分为Cu2O,其中氧氩流量比为6∶25时,生成单相多晶结构的Cu2O薄膜,其表面电阻0.68MΩ/□,电阻率58.29Ω.cm,霍尔迁移率4.73cm2·V-1·s-1,载流子浓度3×1016cm-3.  相似文献   

10.
采用固态反应法制备了巨磁电阻材料Nd0.7Ce0.3MnO3+x和高温超导体YBa2Cu3O7-δ的混合块材。X射线衍射结果表明,所有衍射峰都可以用YBa2Cu3O7-δ块材的特征峰标出。输运测量结果表明,Nd0.7Ce0.3MnO3+x的掺杂量在2%mol时对超导转变温度Tc基本没有影响,随着掺杂量的增加Tc迅速降低。在电阻转变曲线上随着掺杂量的增加出现逐渐增大的平台现象,我们认为这与Cooper对在运动过程中受到自旋极化区域电子的散射有关。  相似文献   

11.
用阳极氧化法在Ti基片上制备出TiO2薄膜,然后通过电化学沉积法将Co-Pi和Cu2O沉积在TiO2薄膜表面.通过扫描电镜、X-射线衍射和光电化学性质测试,发现TiO2薄膜表面先沉积Co-Pi能够有效阻止Cu2O颗粒堆积,光电流显著提高.而先沉积Cu2O后沉积Co-Pi,则会使Cu2O还原为Cu,同时形貌发生改变.特别地,沉积300秒Co-Pi后再沉积Cu2O颗粒,能得到200 mA/cm2的最大光电流.  相似文献   

12.
以Sr(OOCCH3)2·H2O,Ti(OC4H9)4·Nb(C2H5O)5为原料,用溶胶-凝胶工艺成功地进行了SrNb0.05Ti0.95O3(SNTO)薄膜的制备,溶胶薄膜经过575℃-725℃/60min退火形成立方钙钛矿结构。用XRD、SEM等进行了结构和形貌表征,证明了该薄膜是纳米晶体结构,制定了SNTO薄膜的最佳退火工艺。SNTO薄膜的介电特性分析:掺杂Nb5+能使SrTiO3转化为n-半导体。  相似文献   

13.
探讨纯相无定形δ-FeOOH为反应前驱物的固相转化及液相催化相转化合成纳米级α-Fe2O3粉体的新方法。  相似文献   

14.
探讨纯相无定形δ-FeOOH为反应前驱物的固相转化及液相催化相转化合成纳米级α-Fe2O3粉体的新方法.  相似文献   

15.
在温度300-600℃及2×10-4-1×10-3Torr的氧压下,对脉冲激光烧蚀生成的La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)薄膜进行退火.无论是经原位或异位退火处理后的LCMO薄膜,其金属-半导体电阻-温度(R-T)特性曲线及转变温度均会发生明显的改变.薄膜氧含量对其输运特性有突出的影响.  相似文献   

16.
以P123(三嵌段共聚物)为模板剂,正硅酸乙酯和硝酸铁为前驱体,通过溶胶-凝胶法在酸性条件下合成了SBA-15负载γ-Fe2O3(Fe和Si摩尔比为0.3)的有序介孔材料.采用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、选区电子衍射花样(SAED)和氮气吸附等手段对所合成的材料进行了结构表征.结果表明,此合成材料具有类似于SBA-15的结构,铁以高分散的γ-Fe2O3纳米晶的形式分布在介孔氧化硅基体中.对高氯酸铵的催化实验结果显示,γ-Fe2O3/SBA-15催化高氯酸铵的分解放热量由纯SBA-15的420.5 J/g提高到1125.8 J∕g,说明纳米γ-Fe2O3能够有效促进高氯酸铵的分解.  相似文献   

17.
分别用浸渍-还原与浸渍-焙烧-还原的方法制备了含Ni10%,Cu4%的Ni-Cu/γ-Al2O3催化剂,采用脉冲反应方式评价了500-850℃范围内该催化剂上甲烷部分氧化制合成气的反应性能,利用TPR,TPD等手段对催化剂进行表征,结果表明:用浸渍-还原法制备的催化剂活性明显优于用浸渍-焙烧-还原的方法制备的催化剂。  相似文献   

18.
利用一种新型的分散剂--梳型共聚物poly(acrylic acid)-poly(ethyl ene oxide) (PAA-PEO),研究了pH、PAA-PEO的添加量以及固含量对Y-TZP/α-Al2O3-H 2O悬浮液的流变性能的影响.结果表明:PAA-PEO对Y-TZP/α-Al2O3-H2O悬浮液有很好的分散性能,在pH为3的条件下,PAA-PEO能使固含量为30vol%的各种配比的Y-TZP/α- Al2O3-H2O悬浮液都达到稳定状态,并且制备出固含量为60vol%的稳定的Y-TZP/α-Al 2O3-H2O 浆料.  相似文献   

19.
采用共沉淀法合成了锂离子电池层状LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2正极材料。采用TG/SDTA、XRD和SEM对LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2正极材料的成分、结构和形貌进行了表征。结果表明,在900℃下煅烧15h制得的材料结晶程度最佳,样品具有最大I(003)/I(104)强比值,层状结构特征最为突出。从单个颗粒来看,样品表面光滑,界面清晰,粒子呈类球状,粒径大约在0.5μm左右,分散较为均匀。另外,添加剂对粒子形貌具有一定的影响。  相似文献   

20.
以Sr(OOCCH3)2·H2O,Ti(OC4H9)4为原料,用溶胶-凝胶工艺成功地进行了STO薄膜的制备,溶胶薄膜经过575℃-725℃/60 min退火形成立方钙钛矿结构。用XRD、SEM等进行了结构和形貌表征,证明了该薄膜是纳米晶体结构,制定了SrTiO3薄膜的最佳退火工艺。STO薄膜的介电特性分析:在100 kHz下,室温时,STO薄膜的介电常数为475而介电损耗为0.050。  相似文献   

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