用离子束增强沉积法制备In-N共掺杂ZnO薄膜

用In2O3粉体与ZnO粉体均匀混合,压制成溅射靶.在Si和SiO2/Si衬底上,用离子束增强沉积(IBED)方法对沉积膜作Ar+/N+注入,制备In-N共掺杂氧化锌薄膜.在氮气氛中作适当的退火,可以方便地获得取向单一、结构致密、性能良好的共掺杂ZnO薄膜.初步研究了INZO共掺杂薄膜的电阻率随退火条件的变化.     

碳钢表面电化学沉积氧化锌层的腐蚀防护性能研究

研究了碳钢表面氧化锌涂层的腐蚀防护性能.采用电化学中心测定出各种沉积状态的塔菲尔曲线和阻抗谱.通过测试得到的腐蚀电位及阻抗谱的变化规律,研究了氧化锌电沉积参数对钢表面氧化锌沉积层的耐腐蚀性的影响.研究结果表明,电解液浓度为0.010 mol/L、沉积时间为5 min、温度为40℃试样的腐蚀电位高,阻抗大,表面钝化区缩小,因此耐腐蚀性最好.实验结果表明,电解液浓度提高后,温度过度提高、时间过度增加会离子运动加剧,所生成的氧化锌膜变得疏松,耐腐蚀性反而变坏.     

氧化锌纳米棒的水热制备及电化学性能研究

采用一步水热法制备了纳米棒状氧化锌材料.X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜法(TEM)测试表明,ZnO纳米棒为纤锌矿结构,直径为200～500nm,长度为3～5μm.通过充放电循环和循环伏安等电化学方法研究了ZnO纳米棒的电化学性能,ZnO纳米棒展现出较高的放电容量和较低的容量衰减率.经过100个循环之后,ZnO的放电容量仍然维持在380mAhg-1.     

磷钼杂多酸-聚吡咯薄膜修饰电极的研制及其电化学性能的研究

采用电化学方法首次在导电基体玻碳电极上研制出磷钼杂多酸-聚吡咯薄膜修饰电极，其制备过程简便、快速，膜电极性能稳定、经久耐用；对膜电极的电化学性能进行了表征；探讨了电解质溶液、溶剂、pH值、扫速等因素对膜修饰电极伏安行为的影响；研究了膜修饰电极对氯酸根、漠酸根、碘酸根、三价铁离子、亚硝酸根、过氧化氢等物质的电催化还原作用．     

电化学沉淀法在制备超细ZnO粉体中的应用

该方法是利用阴离子交换膜为隔膜的电解槽,在不加分散剂的情况下,控制阴极的电流密度在50~250 A/m2范围内,在电解一定浓度的硝酸锌溶液过程中,由于不断消耗阴极室内的H 浓度,导致溶液的pH值升高,在阴极表面形成有利于氢氧化锌均匀沉淀的过饱和环境。对得到的氢氧化锌沉淀进行高温焙烧,得到氧化锌粉体。采用TEM和XRD分析表明:在不同的阴极电流密度作用下,可以得到不同粒度和形状的氧化锌颗粒,当电流密度为250 A/m2时,得到粒度在30~40 nm左右的氧化锌粉体。     

真空紫外光技术制备致密非晶态ZnO薄膜

以六水合硝酸锌为原料,乙酰丙酮为配体剂,无水乙醇为溶剂,氨水为添加剂,制备了乙酰丙酮锌络合物前驱体溶液。以掺氟氧化锡导电玻璃为基底,将前驱体溶液旋涂到基底,在干燥的氮气气氛中,经波长为172 nm的真空紫外光照射5分钟后,可以对前驱体薄膜中的金属有机前躯体进行光化学分解,形成氧化锌薄膜。采用紫外吸收光谱、傅里叶变换红外光谱、X射线光电子能谱、X射线衍射、以及扫描电镜对薄膜进行表征和分析。结果表明,有机配体在真空紫外光光照5分钟内迅速分解和缩聚,生成无针孔、高致密的ZnO薄膜。     

不同形貌ZnO的制备及其气敏性能研究

采用水热法通过控制反应的温度、时间、溶剂及表面活性剂等制备了四种不同形貌的纤锌矿ZnO材料。将合成的材料制备成半导体气敏元件,并对其气敏性能进行研究。结果表明：四种不同形貌ZnO材料的气敏性能有较大的差异。其中ZnO(c)小颗粒的气敏性能要高于其他三种形貌,对50 ppm乙醇及丙酮的灵敏度较高,响应值分别为14.1和9,是其他形貌ZnO灵敏度的2倍以上。ZnO(c)颗粒相较于ZnO(a)微米花具有较长的响应和恢复时间。ZnO(a, c)对乙醇及丙酮均具有较好的长期稳定性,63天后的灵敏度值基本不变。     

SnO2：Sb薄膜的光学和电学性能的研究

本文采用等离子体激活化学气相沉积制备了SnO2掺杂透明导电膜，并研究了薄膜的光学和电学性能，制得的薄膜电阻最低约为17Ω/口，其可见光透射率为85%以上，红外吸收率为80%左右，还测得该膜具有负温阻特性。     

Research progress of transparent conducting ZnO:Al(ZAO)films

Owing to both of its high carrier concentration and large band gap,ZnO:Al(ZAO)films which is an n-type degenerate semiconductor,exhibits low resistance and high transmittance in the visible range.This work studies the crystal structure,optical and electrical properties and preparation methods of ZAO films,and discusses the existing problems and application prospective of ZAO films.     

Si/SiC纳米复合薄膜退火工艺的控制

讨论了Si／SiC半导体纳米复合发光薄膜退火工艺的控制。半导体纳米复合发光薄膜的光致发光性能，直接受到退火工艺的影响和制约，退火后薄膜的组态及其元素的变化等因素，可能使得薄膜变成并不是所期望得到的结果。该文采用了在不同气氛、不同退火介质、不同放置方法等防氧化方法下进行退火，提高了退火可信度，使纳米复合薄膜的结果更可靠。     

紫外光学薄膜在吸收基片上的光学透射率的推算

利用光学薄膜的界面反射和透射的光学原理，通过对空气-薄膜-基片所构成的单层膜系统光学特性的分析，在考虑基片吸收的情况下推导出单层膜系统的透射率公式，依据透射率公式可以求解薄膜的光学常数．     

常温H2S气敏薄膜的溶胶—凝胶制备及性能研究

以无机盐SnCl2·2H2O为主体原料,以Zn(CH3COO)2·2H2O2为掺杂剂,无水乙醇为溶剂,采用溶胶-凝胶（Sol-Gel)工艺制备了ZnO-SnO2薄膜;采用DTA-TG及XRD等分析手段研究了ZnO-SnO2薄膜的热分解和晶化过程,对ZnO-SnO2薄膜的结构进行了表征。研究了ZnO-SnO2薄膜的电学、气敏性能及机理。实验证明,ZnO-SnO2薄膜在常温下对H2S气体具有很好的气敏性能。     

CdO薄膜的电化学沉积及表征

采用阴极电沉积的方法,用CdCl2的二甲基亚砜溶液做电解液在导电玻璃上制备了CdO薄膜.研究了沉积电流与电解液浓度对薄膜结构特性和电学性质的影响.XRD分析表明CdO薄膜为具有强的（200）晶面择优取向生长的立方结构,且随电流与沉积液浓度的变化,薄膜的（200）晶面择优取向程度发生了明显的变化.霍尔测试表明随着电解液浓度的升高,薄膜的面电阻增大.在较低的电解液浓度下薄膜的面电阻值最小为2.1×102Ω/sq..SEM显示CdO晶粒为球状颗粒,电解液浓度对CdO晶粒大小及膜的致密性有一定影响.     

溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜晶体结构和发光特性的研究

采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）旋涂法在Si（100）衬底上制备ZnO薄膜，在室温下利用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、光致发光谱（PL）等手段分析所得ZnO薄膜的晶体结构和发光特性．结果表明：当热分解温度为400℃，晶化温度为450℃～650℃时，溶胶．凝胶旋涂法制备的ZnO薄膜样品属六方纤锌矿结构，ZnO薄膜呈现沿各个晶面自由生长的特性；在室温下均有较强的紫外带边发射峰，这表明带间跃迁占了主导地位，与缺陷有关的可见发射带很弱．以上结果说明：溶胶．凝胶法制备的ZnO薄膜质量较高．     

Measurement of the thermal transport properties of dielectric thin films using the micro-Raman method

The micro-Raman method is a non-contact and non-destructive method for thermal conductivity measurement. To reduce the measurement error induced by the poor fit of the basic equation of the original micro-Raman method, we developed a new basic equation for the heat source ofa Gaussian laser beam. Based on the new basic equation, an analytical heat transfer model has been built to extend the original micro-Raman method to thin films with submicrometer- or nanometer-scale thickness. Experiments were performed to measure the thermal conductivity of dielectric thin films with submicrometer- or nanometer-scale thickness. The thermal resistance of the interface between dielectric thin films and their silicon substrate was also obtained. The obtained thermal conductivity of silicon dioxide film is 1.23 W/（m.K）, and the interface thermal resistance between silicon dioxide film and substrate is 2.35×10^-8 m^2.K/W. The thermal conductivity and interface thermal resistance of silicon nitride film are 1.07 W/（m.K） and 3.69×10^-8 m^2.K/W, respectively. The experimental results are consistent with reported data.     

退火温度对Ce掺杂ZnO薄膜光学特性影响的研究

采用溶胶凝胶(sol-gel)法,在普通载玻片和Si-SiO2衬底上成功制备Ce掺杂ZnO薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)及光致荧光光谱(PL)对样品的结构、形貌和光学特性进行表征.XRD谱表明大部分样品都有较好的c轴择优取向,而且随着退火温度的升高择优取向明显改善.PL谱中在390nm附近可观察到明显发光峰,退火温度升高能够提高本征发光峰强度,抑制可见光区发光强度.用AFM观察到的样品表面形貌表明,退火温度提高使样品表面更加平整,同时粒径变大.     

不同浓度La掺杂ZnO薄膜光学特性的研究

用凝胶溶胶（sol—gel）法在普通截玻片和si上生长了稀土La掺杂ZnO薄膜,稀土La^3＋离子和Zn^2＋浓度摩尔比分别为1％,2％,3％．通过X射线衍射仪（XRD）、紫外可见分光光度计（UVS）、原子力显微镜（AFM）、光致发光（PL）等对薄膜的结构、光学特性、形貌进行表征,结果显示不同浓度La掺杂的ZnO薄膜均为六角纤锌矿结构,薄膜表面颗粒均匀平整,随着掺杂浓度的提高,La掺杂ZnO薄膜的紫外发光峰出现蓝移现象．     

Na掺杂p型ZnOSe薄膜的制备及表征

使用脉冲激光沉积技术在石英衬底上制备了ZnOSe薄膜。不同温度下对ZnOSe薄膜在N2气氛中进行快速退火。采用X射线衍射、Hall测试、紫外-可见透射光谱测试及X射线光电子谱等分析测试技术对薄膜进行结构和性能表征,结果表明:ZnOSe薄膜具有良好的(002)择优取向;800℃退火后的薄膜中空穴浓度达到了1.517×1017 cm-3,实现了p型导电。     

Left-handed materials in magnetized metallic magnetic thin films

INTRODUCTION Veselago (1968) showed that if both the permit- tivity ε and the magnetic permeability μ of a material are negative, the propagation direction of an elec- tromagnetic (EM) wave will be opposite to its energy flow direction. Such media are called left-handed materials (LHMs) since the electric field E, magnetic field H, and wave vector k in these media form a left-hand triplet of vectors, instead of a right-hand triplet observed in conventional materials. For a long time, …