LaMnO3的La位掺杂对输运特性和磁电阻的影响

采用固相反应法制备实验所需的多晶样品,主要探讨LaMnO3的La位分别用不同价阳离子掺杂对输运特性和磁电阻的影响,明确指出La位掺杂是提高和调制钙钛矿型锰氧化物超大磁电阻(CMR)效应的一种有效途径。实验结果表明:La1-xMxMnO3(M为Ag,Na)多晶样品当0.1相似文献   

浅谈影响八面体构型畸变的因素

实验发现大多数稳定的八面体构型 并非理想的正八面体，而有畸变。本文运用Jahn-Teller效应对此现象予以解释，并指出了构型发生畸变与d电子构型之间的关系。     

La空位(La(1-x-y)Yy)2/3Ca1/3MnO3的结构和输运性质研究

用固相反应法制备La（1-x）2／3Ca1／3MnO3（V-LCMO）和（La（0.7-x）Y0.3）2／3Ca1/3MnO3）（V-LY-CMO）（x〈0．15）系列的La空位锰氧化物样品。X射线衍射（XRD）测量分析表明所有的样品均为单相,具有正交对称性（Prima）。体系的晶构参数以及Mn-O键长和Mn-O-Mn键角随空位浓度不同而改变,表明局域Jahn-Teller效应的存在。输运测量表明,不同的空位及空位浓度影响磁电阻效应,在X=0．04时磁电阻值在转变温度‰处达到最大值约为220％,我们认为很大的磁电阻效应与Y部分替代La有关,是双交换作用与Jahn-Teller效应竞争的结果。     

LnMnO_3体系的结构、磁电特性及Ln位掺杂效应

介绍了LnMnO3(Ln=La3+,Pr3+,Nd3+等稀土离子)体系的结构、磁电特性及Ln位掺杂对其物性的影响。未掺杂的稀土锰氧化物多为反铁磁性绝缘体,而Ln位掺杂后的锰氧化物则由于双交换作用和Jahn-Teller畸变效应等,在一定掺杂范围内低温下显示铁磁性和金属导电性,在高温区则表现出非晶固体和掺杂半导体导电性,或因电子与晶格相互作用而呈现绝缘体特征。     

锰氧化物CMR效应的产生机理

在对锰氧化物的晶体结构、电子结构和电子态及其CMR效应的可能机理进行全面论述的基础上 ,报道作者对La0 .67Ca0 .33MnO3掺Ga磁电阻的研究。实验结果表明Ga掺杂破坏了DE作用 ,使电阻率上升而磁有序转变推移到低温。但值得强调指出的是 ,Ga掺杂使磁电阻效应显著提高 ,证明Mn位元素替代是提高CMR的一种可能机理     

锰氧化物CMR效庆的产生机理

在对锰氧化物的晶体结构、电子结构和电子态及其CMR效应的可能机理进行全面论述的基础上,报道作对La0.67Ca0.33MnO3掺Ga磁电阻的研究,实验结果表明Ca掺杂破坏了DE作用,使电阻率上升而磁胡序转变推移到低温,但值得强调指出的是,Ga掺杂使磁电阻效应显提高,证明Mn位元素替代是提高CMR的一种可能机理。     

双钙钛矿氧化物Sr2FeMoO6的结构特征及磁性质

与钙钛矿ABO3型氧化物材料进行比较,阐述了双钙钛矿A2BB＇O6型氧化物材料的某些电磁特性及掺杂效应。     

钙钛矿锰氧化物R_(1-x)A_xMnO_3体系电磁输运性质研究现状

钙钛矿锰氧化物R1-xAxMnO3具有丰富的物理现象,其在磁存储及传感技术等方面都具有诱人的应用前景。从介绍钙钛矿锰氧化物R1-xAxMnO3的电磁性质入手,对钙钛矿锰氧化物的电磁输运性质的研究进展进行了综述,详细分析了锰氧化物电子型掺杂的研究重点,并展望了锰氧化物的应用前景。     

高温磁制冷工质材料的研究进展

简要叙述了磁制冷的基本原理和历史发展。着重阐述了稀土一过渡族金属问化合物Gd—si—Ge系合金及钙钛矿型锰氧化物的磁热效应及其巨磁热效应机理，对高温磁制冷工质材料的研究现状及磁制冷技术的发展前景进行了分析。     

ABO3型钙钛矿结构的铜氧化物B晶位的元素替代对超导电性的影响

在介绍ABO3型钙钛矿结构的氧化物的基本特点的基础上，比较系统地论述了铜氧化物B晶位（Cu位）的元素替代对超导电性的影响，为下一步较深入的研究和总结有关锰氧化物B晶位（Mn位）的元素替代对电磁特性和磁电阻的影响奠定一些基础。     

新型磁电阻效应实验仪研制及应用

利用新型的磁电阻效应实验仪对多层膜巨磁电阻传感器、自旋阀巨磁电阻传感器以及各向异性磁电阻传感器的电阻随外加磁场的变化进行了研究,从而了解各种磁电阻的特性。该新型仪器可在高校实验中应用,有助于学生掌握磁电阻传感器的定标方法,测量并计算3种磁电阻传感器灵敏度,也可用于研究3种磁电阻传感器输出电压与通电导线电流的关系,以及磁电阻的其他效应。     

Ta掺杂SnO2薄膜的散射机制

通过射频磁控溅射的方法制备了Ta掺杂SnO2薄膜,研究了薄膜的结构和低温下电阻率随磁场的变化规律.测量表明低温下呈现出负的磁电阻,但是,二维、三维弱局域理论均不能解释样品中出现的负的磁电阻现象.综合考虑了三阶微绕近似的s-d交换哈密顿的半经验公式Δρ/ρ=-B12ln(1+B22H2))和双能带模型的相关公式Δρ/ρ=B32H/(1+B42H2)拟合了样品在5 T以下的磁电阻的数据,理论和实验符合得很好.结果表明Ta掺杂SnO2薄膜中的磁电阻源于局域磁矩的传导电子散射.     

Co2TiO4中磁场可调交换偏置场的双极性开关效应

通过制备Co_2TiO_4多晶材料并研究其温度及磁场相关的磁学行为,发现伴随磁翻转时的交换偏置现象.随着冷却磁场的逐渐增强,低温交换偏置场从负值连续向正值转变,展现出磁场可调的效应.这种材料中交换偏置场的双极性开关效应取决于Co~(2+)和Co~(3+)Ti~(3+)磁矩的相对取向.     

LnMnO3体系的结构、磁电特性及Ln位掺杂效应

介绍了LnMnO3(Ln=La^3 ，Pr^3 ，Nd^3 等稀土离子)体系的结构、磁电特性及Ln位掺杂对其物性的影响。未掺杂的稀土锰氧化物多为反铁磁性绝缘体，而Ln位掺杂后的锰氧化物则由于双交换作用和Jahn—Teller畸变效应等，在一定掺杂范围内低温下显示铁磁性和金属导电性，在高温区则表现出非晶固体和掺杂半导体导电性，或因电子与晶格相互作用而呈现绝缘体特征。     

磁防垢机理研究现状分析

磁防垢的机理解释一直是众多学者的重点关注对象,文章通过对已有实验结果的分析和比较,通过定性和定量两方面的物理解释,对磁防垢的机理作出了初步的解释.     

伦敦方程解释零电阻和迈斯纳效应

从物质超导电性的发现谈起，说明了超导体零电阻和迈斯纳效应的实验证明过程，从而有理有据地用伦敦方程解释了零电阻和迈斯纳效应。     

钙钛矿型催化剂的研究进展

钙钛矿型氧化物由于其结构的稳定性和特殊的物化性能,日益成为材料科学领域的研究热点.本文简要介绍了钙钛矿型氧化物的化学结构及其性能以及制备方法和应用的研究现状,综述了近年来钙钛矿型氧化物在催化及其他领域的研究进展.     

非平衡电桥测量磁致伸缩系数

提出了一种新的利用非平衡电桥测量磁致伸缩系数的实验装置模型,将长度测量转化成电阻和检流计偏转值的测量,并利用整体代换等思想推导得到了用检流计偏转值计算磁致伸缩系数的计算式。考虑到电阻箱旋钮的接触电阻、温度和磁阻效应产生漂移现象的影响,由新装置模型的磁致伸缩系数计算式得出的测量结果比平衡电桥的测量结果更加符合实际,不仅节约了测量时间,简化了测量过程和难度,也提高了测量结果的精确度。     

双交换理论对锰氧化物中特大磁电阻现象的解释

概述了如何利用双交换模型直观地解释发生在钙态矿型锰氧化物中、居里转变温区附近的巨磁电阻现象，并说明了在通过电子的自旋、电荷和晶格之间的耦合作用的钙态矿结构氧化物中，3d轨道的巡游电子eg的轨道自由度在金属到绝缘的转变中起了重要的作用．     

共沉淀法制备La_(2-x)Sr_xCuO_4及LaSrCu_(1-y)W_yO_4

采用共沉淀法制备钙钛矿氧化物La_(2-x)Sr_xCuO_4及LaSrCu_(1-y)W_yO_4,通过X-射线衍射(XRD)、比表面测定仪(BET)等技术测试钙钛矿样品的晶体结构及比表面积.XRD测试结果表明,对于La_(2-x)Sr_xCuO_4类钙钛矿型氧化物,随着Sr掺杂量的增加,钙钛矿结构的物质杂峰会有所增多;此外,对于LaSrCu_(1-y)W_yO_4而言,W掺杂量对钙钛矿氧化物的晶型结构的影响较小.比表面实验表明,无论是A位元素部分调整还是B位元素部分取代,La_(2-x)Sr_xCuO_4及LaSrCu_(1-y)W_yO_4的比表面积都有明显的增加,但是当比例达到某一值后反而会有所下降。