石墨烯改性硅基负极材料的研究进展

随着电动汽车的快速发展,对锂离子电池的负极材料有了越来越高的要求。目前商用锂离子电池的负极材料还是以石墨为主,但是石墨负极的理论比容量较低(为372 mAh/g),严重限制了锂离子电池的能量密度。硅的理论比容量高达4 200 mAh/g,被认为是最有前途的锂离子电池负极材料之一。然而,硅负极材料在锂化的过程中会伴随着巨大的体积膨胀效应,导致电极材料破裂和粉碎,从而大幅度降低电池的循环稳定性,并且硅的电导率不理想,也限制了其倍率性能和循环性能。用石墨烯对硅负极材料进行改性,有望缓解其电极材料的体积膨胀以及导电性差的难题。本文重点阐述了石墨烯对于硅基负极材料的性能提升机理,期望对未来石墨烯改性硅基负极材料的制备和研究提供思路。     

浅析如何降低单晶硅棒头部的氧含量

在直拉法硅单晶生长过程中,经常会发生晶棒头部氧含量偏高的现象,严重影响了晶体硅和器件的性能,降低了硅太阳能电池的光电转换效率。影响氧注入硅中的因素有：熔体凝固系数、晶转／埚转比、保护气压及导流筒等等,因此在实际操作中,采用改变晶转和埚转、调整保护气体的压力及加大导流筒尺寸等方式,均能有效地控制直拉硅晶体中的氧浓度,并在实际的生产中取得了显著的效果。     

石英晶振结构与力频关系的ANSYS分析与实验

通过ANSYS 对几种石英晶振在加力时的电极中心区应力进行了分析计算,得出了不同晶振力频特性的影响大小.并进行了实验验证.两者的相对误差最大为2.6%.该结论又一次说明了石英谐振器的力频特性是由石英谐振器电极中心应力决定的与利用ANSYS分析晶振电极中心应力是一种分析石英谐振器力敏特性简单、实用、高效的方法.     

镁硅热电材料与电极连接性能的研究

本论文以提高Mg_2Si热电材料与电极材料连接性能为目标,围绕Mg_2Si热电材料与电极的连接问题进行系统的研究探索,包括微观连接界面的演变规律,在高温服役下的稳定性等问题进行研究。在本次研究中,我们采用一步放电等离子烧结(SPS)的方法进行连接,并模拟实际工作环境在在高温下服役,用电子探针进行检测,形成了一套评价镁硅热电材料与电极连接的研究方法,对以后研究镁硅基热电器件具有重要意义。     

废旧电脑危害环境

随着电脑的不断升级,电脑的淘汰速度也在加快。据了解,废旧电脑如果处理不当会对环境造成很大危害。一位业内人士透露,废旧电脑除了塑料壳和一些金属制品外,余下的“废品”有外地人来回收,因为电脑中的芯片含有硅,目前在南方一些地方有人专门从废旧电脑中提炼这种物质获取暴     

用思想控制鼠标

德国科学家展示了可以人脑与电脑交互的被称为“精神打字机”的发明——通过连接128个电极在头皮上来达到使脑电波也可以操控鼠标运动。你可以靠想象移动自己的左手或右手来操控电脑上的鼠标。当然，这个研究仅处于一个初级阶段．要完成一个普通的操作需要花费5到10分钟，同时据称要花费一个小时才能完全将128个电极接在头部的正确位置上。现在科学家们正在试图用一个头盔来取代现在笨重的电极装置。     

交叉路上的纳米计算机新方向交叉杆内存

将容易出错的纳米线交叉汇编，可能会是现有硅晶电路的下一步。     

铝硅合金的半固态成形研究进展

铸造铝硅合金的组织中的硅相以及粗大的树枝晶会严重影响合金的性能,传统的变质细化对组织的改善能力较为限。目前国内外已有利用半固态成形技术来控制合金中的初生相,并且对于组织控制机理也有一定的研究成果,本文综述了各种半固态成形方法的效果及机理,并展望了铝硅合金半固态成形技术的研究前景。     

硅基发光光明万里——记“南昌大学半导体照明技术”教育部创新团队

在南昌国际展览中心举办的博览会主馆入口处,一个长7．68米、宽3．84米的硅衬底LED全彩显示屏吸引了众多参观者的目光。这个显示屏就是由晶能光电（江西）有限公司制造的。晶能光电拥有的硅衬底GaN基LED材料与器件技术是一种改写半导体照明历史的颠覆性新技术,具有原创技术产权,而南昌大学“半导体照明技术”教育部创新团队正是这项技术的研发者。     

奇妙的离子风扇

随着电脑微处理器的功能越来越强大,其散发的热量也越来越多,如何给电脑芯片降温就成了问题。现在科学家指出,只需要在芯片上多装两个几毫米大小的电极,就可以使电脑芯片的温度比平常降低25℃。     

奇妙的离子风扇

随着电脑微处理器的功能越来越强大,其散发的热量也越来越多,如何给电脑芯片降温就成了问题,现在科学家指出,只需要在芯片上多装两个几毫米大小的电极,就可以使电脑芯片的温度比平常降低25℃。     

科学短信

奇妙的离子风扇随着电脑微处理器的功能越来越强大,其散发的热量也越来越多,如何给电脑芯片降温就成了问题。现在科学家指出,只需要在芯片上多装两个几毫米大小的电极,就可以使电脑芯片的温度比平常降低25℃。     

引入碳化钽对钛硅碳陶瓷材料制备和性能的影响

本文以钛粉、碳化硅粉、碳化钽粉和石墨为原料,采用热压烧结法制备了钛硅碳陶瓷材料,研究了不同碳化钽含量对钛硅碳陶瓷材料相组成、力学性能的影响。该研究表明:碳化钽与钛硅碳有较好的化学相容性;碳化钽的引入不仅提高了钛硅碳陶瓷材料的致密化程度,也提高了陶瓷材料的力学性能,但引入量不宜过高。TaC/Ti_3SiC_2陶瓷基复合材料主晶相为Ti_3SiC_2、TaTiC_2,还有少量的TiC相。     

石墨烯电极的Co-Salophene分子器件的自旋输运研究

分子器件具有体积小、告诉运转、低功率消耗等特点,近些年来,分子器件逐渐代替了硅基电子学,收到了越来越多研究者的关注,尤其是基于石墨烯电极的Co-Salophenes分子被用来设计各种自旋分子器件,在分子自旋电子学具有潜在的应用价值。本文主要对基于石墨烯电极的Co-Salophene分子器件的自旋输运进行了研究。     

Ti-Zr基准晶与La系储氢合金复合材料的电化学性能

以前,我们研究了金属镍与Ti45Zr35Ni17Cu3准晶合金球磨时,球磨时间和镍添加量对合金晶体结构及电化学性能的影响。结果表明,与具有电催化活性的金属球磨明显改善了电极的电化学性能。Jurczyk等报道了与镍粉球磨改善了Laves相(Zr,T)i(V,Mn,C)r2电极的电化学性能。Zr0.9Ti0.1(Ni0.57V0.1Mn0.28Co0.0)5与Co3Mo合金球磨,明显改善了电极的活化性能。Jaki指出,根据BrewerEngel理论LaNi5相对于氢分解反应具有优良的催化活性。用Zr和Al少量取代LaNi5合金中的La和Ni可明显增强电极循环稳定性和高温性能。因此,选择了Ti45Zr35Ni17Cu3与30mass%La0.9Zr0.1Ni4.5Al0.5准晶混合球磨,进而研究了球磨时间()t对合金的晶体结构及电化学性能的影响。     

关于降低功率晶体管正向压降V_F和提高芯片粘附强度的研究

主要阐述了功率晶体管背面多层金属化电极结构,通过降低硅-金属界面态电阻,采用热处理合金手段,进一步降低功率晶体管正向压降VF和热阻Rth,增加芯片粘附强度,提高晶体管的可靠性指标。     

日本开发出纳米级晶体管

记者从日本电气公司(NEC)了解到,该公司硅系统研究所若林整领导的研究小组,成功开发出只有5纳米大小的晶体管,若将其应用到计算机制造中,现在每秒运算6千亿次的超级计算机将可缩小到只有台式电脑大小。在今天华盛顿召开的国际电子元器件会议上,研究小组公布了这一成果。     

未来的微型物品

作为制造分子回路的一个中间步骤，研究者们希望能够控制通过单个有机分子的电荷流动，然后再把它们变成电路结点。但是紧挨着分子相对巨大的电极把事情复杂化了。加拿大阿尔伯塔大学的一个研究小组报告说，在硅电极上留一个“悬挂链”（即未成对电子）也许是精确控制相邻分子电荷流动的关键。     

模板法制备SnO_2纳米棒的研究

SnO2是一种重要的宽能级n型半导体金属氧化物,是一种重要的功能材料。制成的SnO2纳米棒可以在传感器方面发挥很大用途,在透明导电薄膜、太阳能电池电极、光催化剂等方面发挥重要作用。实验采用多孔硅为模板,使用直流磁控溅射的方法,向多孔硅的孔柱内溅射Sn,使孔柱内生长了一定厚度的Sn膜。然后进行氧化工艺,生成SnO2。再进行刻蚀工艺,将多孔硅表面的SnO2膜腐蚀掉,再腐蚀一段多孔硅模板,露出一段SnO2柱,在模板上生长出SnO2纳米棒。     

更柔软、更接近、更快速

有弹性的电路板今天的电路通常都制作在易碎的半导体或玻璃上,但是下一代电路也许将像橡胶那样富有弹性。美国伊利诺伊大学的科学家将只有人类头发直径1／500的硅电路印刷在了有弹性的塑料上,能像手风琴一样任意拉伸或者压缩。预计在5年内,这种弹性电路板将被用于制造电极,这种电极能直接安放在人类大脑内,对癫痫患者的大脑活动进行研究。