不同浓度La掺杂ZnO薄膜光学特性的研究

用凝胶溶胶（sol—gel）法在普通截玻片和si上生长了稀土La掺杂ZnO薄膜,稀土La^3＋离子和Zn^2＋浓度摩尔比分别为1％,2％,3％．通过X射线衍射仪（XRD）、紫外可见分光光度计（UVS）、原子力显微镜（AFM）、光致发光（PL）等对薄膜的结构、光学特性、形貌进行表征,结果显示不同浓度La掺杂的ZnO薄膜均为六角纤锌矿结构,薄膜表面颗粒均匀平整,随着掺杂浓度的提高,La掺杂ZnO薄膜的紫外发光峰出现蓝移现象．     

磁控溅射法制备ZnO薄膜的光学特性分析

该文用磁控溅射法在蓝宝石衬底上生长了ZnO薄膜,所得薄膜采用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、紫外可见分光光度计（UVS）、光致荧光光谱（PL）对样品的结构、形貌和发光特性进行表征.结果表明掺杂后的ZnO薄膜仍为六角纤锌矿结构,磁控溅射镀膜样品的透射边随着退火温度的提高发生蓝移又红移现象,所有样品都有比较好的发光性能;900℃溅射镀膜样品的表面形貌平整度较好,粒子分布均匀.     

Mg和碱金属元素Li、Na共掺杂ZnO薄膜的物性研究

采用溶胶凝胶法制备了Li-Mg、Na-Mg共掺杂的ZnO薄膜,利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)分别研究了薄膜的表面形貌、结构特性和发光性质.结果表明:Mg的掺杂促进了薄膜的C轴取向生长,Na-Mg共掺ZnO薄膜的结晶性优于Li-Mg共掺样品.随着Mg掺杂的增加,晶面距变大,禁带变宽,但Na-Mg和Li-Mg共掺杂中Mg对禁带宽度的调控力度小于仅有Mg掺杂的情况.Na-Mg、Li-Mg共掺导致ZnO薄膜在460 nm处出现-深能级蓝绿发光带,在403 nm处出现从导带底向浅受主能级跃迁产生的紫色发光峰,此外在355 nm、375 nm处出现两个对应于激子第一、二能级的复合发光紫外发射峰.     

Tb（3＋）共掺杂Al2O3：Eu粉体的结构及其光致发光研究

用碳酸氢铵和氨水的混合溶液来作复合沉淀剂,采用共沉淀法制备了Tb3＋共掺杂Al2O3：Eu粉体.用X射线衍射（XRD）对其相结构进行了研究,通过荧光分光光度计分析了Tb3＋离子共掺杂浓度对Al2O3：Eu的发光性能的影响.研究结果表明：Tb3＋掺杂提高了γ-Al2O3的热稳定性.并观察到Tb3＋→Eu3＋的能量传递,最佳掺杂浓度为5 mol%,提高了Al2O3：Eu的发光强度.     

Eu^3＋掺杂的ZnF2-ZnO纳米结构材料及其发光、光催化性能

采用水热法,结合后续的热处理,制备了Eu^3＋掺杂的ZnF2-ZnO纳米结构材料,利用X-射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和荧光光谱仪对样品结构、形貌及发光性能进行表征．结果表明,以NaF为原料得到的样品为正方体状,长为220-400nm;以NH4F为原料得到的样品呈棒状,长约为1．2μm,直径为110nm左右．紫外光激发下,棒状样品发光性能强于立方体状的样品,表现为掺杂Eu^3＋的特征发射．光催化脱色实验表明,两种形貌样品的光催化活性差别不大,150min对甲基橙的脱色率达70％左右．     

利用溶胶凝胶法测定Eu3+(Tb3+)和phen共掺杂的杂化材料的特性

合成了一系列Eu^3 (Tb^3 )和phen共掺杂的杂化材料，并对其发光性能进行了考察。在所有样品中除了掺杂浓度为1％的样品外，其余材料均为透明块状且无裂纹。所有材料在紫外灯照射下，发出明亮的红光（Eu^3 掺杂）和绿光（Tb^3＋掺杂）。     

Eu掺杂ZnO薄膜的制备及其光学性能的研究

以乙酸锌为主要原料,利用溶胶-凝胶法在石英村底上制备Eu3+参杂ZnO薄膜,研究了Eu3+掺杂对ZnO薄膜微结构和光学性能的影响.XRD测量结果表明,Zn1-xEuxO薄膜具有六角纤锌矿结构且具有(002)择优生长,(002)衍射峰强度随着掺杂浓度的增加而减弱,晶格常数随Eu含量的增加而变大证实了Eu3+是以替位式形势存在于ZnO晶格中;紫外-可见透射光谱(UV)表明,所有薄膜在可见光区的透过率均超过80%;光致发光谱研究表明制备的薄膜具有良好的发光性能,几乎不存在缺陷发光.     

Ce3+掺杂铝酸锌微晶玻璃的制备与发光性能研究

采用溶胶-凝胶法成功制备Ce3+:ZnO - Al2O3 - SiO2(ZAS)微晶玻璃。通过X射线粉末衍射（XRD）、透射电镜（TEM）和荧光光谱仪（PL）系统研究了铈离子掺杂浓度与热处理温度对ZAS微晶玻璃的结构与发光性能的影响。结果表明,900℃热处理后在非晶基体中析出了平均晶粒尺寸为13nm的ZnAl2O4尖晶石纳米晶;ZAS微晶玻璃的荧光发射峰峰值位于381nm,属于Ce3+离子的5d→4f跃迁,当Ce3+掺杂浓度为3%时发光性能达到最佳。     

溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜晶体结构和发光特性的研究

采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）旋涂法在Si（100）衬底上制备ZnO薄膜，在室温下利用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、光致发光谱（PL）等手段分析所得ZnO薄膜的晶体结构和发光特性．结果表明：当热分解温度为400℃，晶化温度为450℃～650℃时，溶胶．凝胶旋涂法制备的ZnO薄膜样品属六方纤锌矿结构，ZnO薄膜呈现沿各个晶面自由生长的特性；在室温下均有较强的紫外带边发射峰，这表明带间跃迁占了主导地位，与缺陷有关的可见发射带很弱．以上结果说明：溶胶．凝胶法制备的ZnO薄膜质量较高．     

退火温度对Ce掺杂ZnO薄膜光学特性影响的研究

采用溶胶凝胶(sol-gel)法,在普通载玻片和Si-SiO2衬底上成功制备Ce掺杂ZnO薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)及光致荧光光谱(PL)对样品的结构、形貌和光学特性进行表征.XRD谱表明大部分样品都有较好的c轴择优取向,而且随着退火温度的升高择优取向明显改善.PL谱中在390nm附近可观察到明显发光峰,退火温度升高能够提高本征发光峰强度,抑制可见光区发光强度.用AFM观察到的样品表面形貌表明,退火温度提高使样品表面更加平整,同时粒径变大.     

不同退火温度下ZnO薄膜结构及光学特性的表征

采用溶胶凝胶(sol-gel)法,在普通载玻片上成功制备ZnO薄膜,对于不同退火温度样品采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外可见分光光度计(UVS)及光致荧光光谱(PL)对样品的结构、形貌和光学特性进行表征.XRD谱表明在300℃、400℃、500℃退火处理的样品都有较好的c轴择优取向,而且随着退火温度的升高择优取向明显改善.透射谱中能观察到明显的ZnO吸收边.用AFM观察到的样品表面形貌表明,退火温度提高使样品表面更加平整,同时粒径变大.PL谱中在380nm附近可观察到明显发光峰.     

Properties of phosphorus-doped ZnO film deposited by radio-frequency magnetron sputtering

1 Introduction a Zinc Oxide (ZnO), a II-VI compound semiconductor with a wide direct band gap of about 3.4 eV [1], has been extensively studied in recent time for their possible applications in short-wavelength light-emitting devices [2], surface wave dev…     

表面活性剂对合成纳米ZnO形貌及光致发光性能的影响研究

以醋酸锌和氢氧化钠为原料,采用水热合成法制备纳米ZnO,并研究表面活性剂的种类对纳米ZnO形貌以及光致发光性能的影响。通过红外光谱（IR）、X-射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）和光致发光谱（PL）测试对样品进行表征,结果表明,相比阴离子表面活性剂,添加阳离子表面活性剂制备出的纳米ZnO的形貌以及光致发光性能更佳。     

Electrical and magnetic properties of ZnNiO thin films deposited by pulse laser deposition

ZnNiO thin films with different contents of Ni (0–10 at.%) were fabricated on quartz and Si (100) substrates by pulsed laser deposition (PLD). We measured the samples by X-ray diffraction (XRD), field-emission scanning electron microscope (FE-SEM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), ultraviolet-visible spectrometer (UV-VIS), and Hall testing. When the Ni contents were below 3 at.%, partial Zn²⁺ ions were replaced by the Ni²⁺ ions without forming any other phases, which enhanced the conductivity of the film. When the Ni contents were above 3 at.%, Ni ions were at the interstitial sites, and Ni-related clusters and defects were able to emerge in the films, resulting in a worsening of electrical and optical properties. A ferromagnetic hysteresis with a coercive force of approximately 30 Oe was observed in the ZnNiO film with a Ni content of 3 at.% at room temperature.     

ZnO薄膜的电化学沉积及其性能研究

以透明导电玻璃(TCO)为衬底,用硝酸锌水溶液作为电解液,采用阴极电沉积法合成了ZnO薄膜.通过改变电解液浓度、温度和沉积电压等实验条件,系统研究了锌氧化物薄膜材料的电化学沉积过程.用扫描电镜、X射线衍射、紫外-可见光谱法等技术对沉积物的形貌、结构及光学性质进行了表征.结果表明,通过控制电解液的浓度和温度及沉积电压等反应条件可以制备出不同形貌的ZnO薄膜.XRD结果表明,所得的ZnO纯度高且呈六方纤锌矿结构;光谱法研究表明,该薄膜在344 nm和552 nm处有两个吸收峰,禁带宽度为3.25 eV.