球状LaVO_4:Eu~(3+)纳米晶的水热合成及其荧光性能

以La2O3、Eu2O3、浓HNO3、氢氧化钠、Na VO3、无水乙醇、一缩二乙二醇为原料,采用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)辅助水热法合成了La VO4:Eu3+纳米晶,并用X粉末衍射(XRD)、透射电镜(HRTEM)、红外光谱(IR)和荧光光谱(FL)对产品进行了表征和分析。测试结果表明,球状La VO4:Eu3+纳米晶在620nm处有较强的红光发射,溶液p H影响La VO4:Eu3+纳米晶的色纯度和发光强度,其中p H为5时样品的绿色纯度最好,而p H为8时的绿光发射最强。     

TiO2掺杂Ag/SnO2电接触材料物理性能的研究

采用机械混合法、溶胶-凝胶法制备TiO2掺杂Ag/SnO2电接触材料。实验结果表明,在机械混合法中,Ti4 不能进入SnO2的晶格,也没有提高SnO2的电导率;在溶胶-凝胶法中,Ti4 能够很好地进入SnO2的晶格,从而改善触头的电性能。微观组织分析表明:纳米触头中SnO2的分布要比非纳米触头中SnO2分布均匀,可以避免因SnO2的富集而降低电导率,从而提高Ag/SnO2触头的电性能和电寿命。     

[Ag／CoPt]n／Ag薄膜的结构和磁性

采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了[Ag/CoPt]n/Ag薄膜,并在600℃退火30min.结果表明,Ag掺杂厚度(x)对CoPt薄膜的结构和磁性影响很大.当Ag层厚度为0.5nm时,薄膜的垂直取向程度最高,其垂直矫顽力高达8.68×105A.m-1,而平行矫顽力仅为0.54×105A.m-1.适当厚度的Ag不仅有利于薄膜的垂直取向,而且能降低晶粒间的交换耦合作用.     

电沉积合成大规模的单晶形的GaN纳米棒及光学特性

通过电沉积,在Al2O3模板中我合成直径大约80 nm和长度2 m 单晶形GaN 纳米棒。这些纳米棒通过X射线衍射仪 (XRD)、扫描电子显微镜 (SEM)、透射电子显微镜 (TEM)、选区电子衍射仪 (SAED)、X射线能谱仪分析 (EDS),结果显示这些纳米棒不仅有很高的产率,而且具有形貌相同的化学计量的单晶形的GaN的性质。同时样品的光学性质也被测定,它在318 nm具有强的发射峰,这对GaN纳米材料应用是一个新的突破。*     

Mn掺杂MgF2光学性质的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论（DFT）第一性原理平面波超软赝势方法计算Mn掺杂MgF2晶体的几何机构、电子结构和光学性质。结果表明,经过胁掺杂MgF2的浓度为12．5％时,体系的结构并没有发生明显的结构畸变或相变。但体系的能带结构,尤其是费米面附近的能带结构有重要的影响。对吸收光谱和介电常数有所调制,结果与实验测量大致吻合。     

Fe73.5Ag1Nb3Si13.5B9合金的结构和磁性

1　Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　Ｉｎ 1988,Ｙｏｓｈｉｚａｗａａｎｄｃｏ ｗｏｒｋｅｒｓ[1] ｒｅｐｏｒｔｅｄｆｏｒｔｈｅｆｉｒｓｔｔｉｍｅｏｎａｎｅｗｇｏｏｄｓｏｆｔｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌｏｙｃａｌｌｅｄＦｉｎｅｍｅｔ.Ｉｔｃｏｎｓｉｓｔｅｄｏｆｕｌｔｒａｆｉｎｅｇｒａｉｎｓｔｒｕｃｔｕｒｅｐｒｅ ｐａｒｅｄｂｙｔｈｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎｏｆＦｅ Ｓｉ ＢａｍｏｒｐｈｏｕｓａｌｌｏｙｗｉｔｈａｄｄｉｔｉｏｎｓｏｆＣｕａｎｄＮｂ[1～ 3] .Ｔｈｅｆｏｒｍａｔｉｏｎｏｆｔｈｉｓｐａｒｔｉｃｕｌａｒｓｔ…     

掺镍镁铝尖晶石电子和光学性质的理论计算

采用密度泛函理论的平面波赝势方法（PW—USP）和广义梯度近似（GGA）,对替代式0．086％摩尔浓度掺杂的镁铝尖晶石（Ni：MgAl2O4）的电子和光学性质进行了计算．研究结果表明掺镍镁铝尖晶石是具有2．94eV的窄带隙半导体材料．镍掺杂具有使镁铝尖晶石在费米面附近产生杂质能级,导致光学带隙明显减小的特殊作用．通过分析掺杂晶体的光学性质发现,由于杂质镍的引入,使得可见光及近红外光谱区的吸收明显增强,而这归因于镍3d电子t2g和eg轨道间的d-d跃迁,结果与实验符合较好．     

Ag2O/NaNbO3纳米复合材料的制备及其光催化性质

采用共沉淀法合成了Ag2O/NaNbO3复合光催化剂,并利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分别对其物相和形貌进行表征,用紫外可见漫反射光谱仪对其光学性质进行研究。在可见光下以罗丹明B(RhB)为目标降解物,检测了Ag2O/NaNbO3光催化剂的光催化性能。结果表明,与纯的Ag2O和纯的NaNbO3相比,Ag2O/NaNbO3复合光催化剂具有较高的光催化活性,其光催化活性的提升可能归结于p-n结的形成,使得光生电子空穴对的复合机率大大降低。     

Air、pH条件下载银催化剂光降解甲基橙的研究

通过实验研究，在Air气速、pH值条件下用自制的载银催化来降解水溶液中的甲基橙，得出如下结论：（1）在本实验条件下，Ag/TiO2催化剂对甲基橙没有明显的吸附作用。（2）甲基橙的降解速率随气速的增大而增大，反映在本实验中就是溶液中甲基橙的浓度不断地降低，但当气速增大到一定值时，溶液中甲基橙的浓度反而增高，这说明气速有一最佳值4L／min。（3）pH值对甲基橙的降解也有一定的影响，实验表明在pH=2的条件下，载银催化剂对甲基橙的降解效果最好。     

退火温度对SiO_2薄膜微结构和光学特性的影响

采用射频磁控溅射技术用单晶Si(111)和载玻片制备了SiO2薄膜。对薄膜进行了不同温度的退火处理。利用X射线衍射仪,紫外-可见分光光度计和傅里叶变换红外光谱仪等测试不同退火温度下SiO2薄膜的微结构、透反射曲线和红外吸收谱。研究表明:退火后SiO2薄膜仍为四方结构,薄膜的平均晶粒尺寸随退火温度的升高逐渐增大,晶格常数与标准值相比均稍小。退火温度对薄膜平均反射率影响不明显;薄膜平均透射率随退火温度的升高先增大后减小。