一种单管放大电路失真分析及实验

针对教学中学生常对单管放大电路输入信号幅值与静态工作点对输出波形失真的问题,利用电路分析理论,近似估算了单管共射极放大电路静态工作点对应的参数值,并利用微变信号等效法分析了放大电路的交流特性。利用Multisim软件仿真和硬件实验测试,实验设计让学生更好掌握单管放大电路相关知识。     

共射极放大电路反馈类型的判别

放大电路的种类很多,按晶体管的联接方式分有共射极、共基极和共集电极三种.其中共射极放大电路应用最为广泛.反馈能改善放大电路的许多特性.所以反馈在放大电路中起着及其重要的作用.在实用电路中,反馈无所不有.确定反馈类型对于设计和分析放大电路都有十分重要意义.以往,分析反馈类型都是从理论上根据定义去判断,分析较为复杂、繁琐、不易接受.本文从电路的联接方式角度去判断反馈类型,简洁、明了、准确、易学.     

共射极放大电路输出阻抗估算中的误差

本文以共射极放大电路输出阻抗的估算为例,用实验与计算对比的方式通过改变不同负载条件来说明共射极放大电路采用小信号等效法估算的误差与外部条件对其影响,从而探索小信号等效法使用的条件范围,并从理论上分析误差的来源.     

晶体管单管放大电路实验中出现的问题及改进措施

在模拟电子技术的共射极单管放大电路实验中,出现与理论不相符的现象,在输入为正弦交流信号的情况下,输出端却观察不到同频率的放大的正弦交流信号,取而代之的是一调幅信号.通过对实验系统的观察分析,发现出现这种现象是因为实验板的较宽的铜箔导线之间存在分布电容.由此确定实验系统的改进措施,即在三极管的基极和射极之间加一电容,最终问题得以解决.     

Proteus软件在模拟电子技术课程中的应用

该文以单管共射放大电路为例,介绍了Proteus仿真软件在模拟电子技术课程中的应用.利用Proteus仿真软件辅助教学,有利于加深学生对模拟电子技术课程中重要应用电路的理解,使课堂教学更生动、直观,提高学生的学习兴趣.     

Multisim在数模电实验教学中的应用

文中介绍了Multisim12仿真软件的功能和特点,通过叠加定理、单管共射放大电路分析、二十九进制计数器仿真分析这三个典型的数模电实验,阐述了Multisim12在数模电实验教学中的使用方法.结果表明,Multisim12仿真软件可以使学生加深对数模电实验的理解,可以进一步提高实验教学质量.     

共基-共射反馈放大器高频响应仿真与分析

在计算和仿真共基-共射反馈放大器的开、闭环源互阻增益满足反馈放大器中基本关系的基础上,分别采用EWB软件和MATLAB对高频小信号等效电路做出了组合电路的频率特性曲线,两者关系曲线相同.开闭环的截止频率之比是反馈放大器的反馈深度,满足单极点条件,说明反馈放大器可视为单极点电路.时间常数开路法的结果表明,具有密勒倍增效应的共射集电结电容形成的极点,时间常数很大,决定了整个电路的上限频率.同时各电容的闭环上限频率都较开环拓展了同一倍数,是源互阻增益下降的倍数,说明增益带宽积保持不变.这种借助分析电路各极点频率,进而获得整体频率特性的方法,为讨论多极点系统带来了方便.     

基于Multisim的Cascode电路仿真分析

通过对Cascode电路的理论计算和用Multisim软件仿真,找出了Cascode电路中的优点和缺点,同时提出了用稳压二级管对电路进行改进,提高了Cascode电路的放大倍数、带负载的能力并且扩大了电路的带宽.设计采用先进的仿真软件Multi-sim对Cascode电路进行仿真,仿真研究与理论分析一致,为提高电路带宽提供了一个参考依据.     

单管共射放大电路常见故障诊断

共射放大电路在模拟电子技术教学中有着重要地位。本文从电路故障角度较为全面地分析了单管共射放大电路各种故障下的电路形态,希望对广大读者有所启发。     

单管共射放大电路启发性教学方法的设计

单管共射放大电路的分析是"电子学"教学中的重点和难点之一。本文结合笔者多年的教学经验,针对学生学习放大电路过程中遇到的一些问题,探讨将启发性教学方法应用到单管共射放大电路的分析中,将共射放大电路的多种组态有机联系在一起,构成一个整体对比进行教学。实践表明本教学方法取得了良好的教学效果,能够使学生在较短的时间内掌握放大电路的分析。     

高频小信号单调谐放大器的分析与仿真

通过Multisim10.1软件对高频小信号单调谐放大器的仿真分析,观察到了发射极电阻的变化对单调谐回路频率特性的影响。利用实例证明:将Multisim10.1引入高频电路实验教学后,该软件能及时帮助学生理解课程内容、提高学生分析问题和解决问题的能力,Multisim10.1软件在"高频电子线路"课程教学改革中起着越来越重要的作用。     

晶体管H参数微变等效电路研究

分析晶体三极管三种组态电路H混合参数，用不同方法导出共集、共基放大电路H参数和更精确的共集电极及共基电极晶体三极管H参数与其共发射极组态H参数的关系，说明不同组态电路有相同的电路形式。     

基于串级控制的实验教学用稳压电源

在电源主电路中利用三极管集电极-发射极间的等效电阻作为LM317调节端可变电阻,解决了宽范围输出电压源中运算放大器需要较高电压供电的问题,并采用二档自动调节LM317输入电压的方法和电感负载保护电路,降低了故障率;以8位微控制器AT89S52为核心构成串级控制系统,提高了输出电压的响应速度和控制精度;设计了LCD实时显示和键盘、编码器输出电压设定电路,操作方便,减少了操作时间,适应了实验教学需要。     

Modeling and Simulation of Photoelectronic Lambda Bipolar Transistor

Based on the region model of lambda bipolar transistor （ LBT）, a dividing region theory model of PLBT is set up.simulated and verified. Firstly, the principal operations of different kinds of photoelectronic lambda bipolar transistor ,（ PLBT） are characterized by a simple circuit model. Through mathematical analysis of the equivalent circuit, the typical characteristics curve is divided into positive resistance, peak, negative resistance and cutoff regions. Secondly. by analyzing and simulating this model, the ratio of MOSFET width to channel length, threshold voltage and common emitter gain are discovered as the main structure parameters that determine the characteristic curves of PLBT. And peak region width, peak current value, negative resistance value and valley voltage value of PLBT can be changed conveniently according to the actual demands by modifying these parameters. Finally comparisons of the characteristics of the fabricated devices and the simulation results are made, which show that the analytical results are in agreement with the observed devices characteristics.     

基于VHDL-AMS的结型场效应管行为建模与仿真

提出一种基于SPICE模型半导体器件的VHDL-AMS行为建模方法,给出了结型场效应管模型中温度效应、噪声、直流和电容方程的行为模型,最后以N沟道结型场效应管共源极放大电路为例在混合信号仿真器SMASH5.5中验证了模型的正确性。     

EDA仿真技术在高职安全类电工学教学中的应用

结合安全类电工学的特点和Multisim仿真软件的优点,提出了将电路仿真技术应用于安全类电工学教学中的方法。通过实例介绍了如何将Multisim软件应用于安全类电工学教学中。讲述了电路的叠加原理和单管共发射极放大电路利用仿真软件进行教学的过程,分析了EDA仿真技术引入到电工学课程教学中的方法和步骤。     

Thin emitter structure improved turn-on characteristics in RSD

The thin emitter structure was introduced into reversely switched dynistor (RSD) to improve its turn-on characteristics. According to the analysis of turn-on condition, thin emitter structure is capable of reducing the extraction action for the triggering plasma layer P1 during turn-on process, and satisfying the requirement that triggering electric charge cannot be exhausted and therefore enables RSD to turn on uniformly. The on-state thin emitter RSD was equivalent to an asymmetric pin diode model. The simulation result shows that the forward voltage drop of RSD falls with the decrease of doping dose in p -emitter in a certain range, and when the doping concentration is extremely low, the decrease of the width of p -emitter can obtain a low forward voltage drop. Thin emitter RSD chips were made by sintering Al on n-Si. The test result shows that their turn-on process is uniform and the voltage drop is 7.5V when the peak conversion current is 5500A.     

EDA仿真实验与放大电路理论公式关系的初步探讨

文章通过用两种模拟电子技术教科书中所用的公式求解同一共射放大电路的电压增益,结果两者居然出现不同;再用仿真实验的方法求证计算其电压增益,而结果与用其中一种的结果相吻合,因此提出一个大胆推测：误差比较大的模拟电子技术中用公式rbe=rbb＋（1＋β）Ur/IEQ,在某种条件下rbb=300Ω存在误差。并探讨通过等效公式的推导,对公式中体电阻rbb的经验数据提出一个修正的式子;