一种CMOS带隙基准电路的设计

带隙基准源广泛应用于许多模拟集成电路中，其性能对这些系统具有重要影响．一种基于CMOS0．18u工艺的带隙基准电路，Hspice仿真表明其工作电压可以低至2．2V，输出基准电压为1．232V，具有良好的温度特性，可以应用于电源芯片或数模混合芯片中．     

输出电压低于1 V的无电阻CMOS带隙基准电压源

本提出了一种带隙基准电压源，它能产生低于1V的精确基准电压．该电路有较高性能的启动电路使电路在上电时能进入正确的状态．在0．25μm CMOS工艺条件下，电路的各项性能指标采用HSPICE进行模拟验证．模拟结果表明该电路在2．2V～3．3V的电源电压变化范围内、在-10～80℃温度变化范围内，输出电压的变化不超过11mV．     

用传输矩阵法(TMM)研究光子晶体的带结构和传输特性

将传输矩阵法(TMM)应用于一维光子晶体带隙和带结构方程,计算了介电常数不随频率变化和随频率变化的带隙和带结构,计算并说明了在有缺陷的情况下缺陷态(局域态)的存在.     

超屏障在工程结构纵波抑制中的应用:带隙特性及优化机理（英文）

目的:提出一种基于局域共振带隙机理的超屏障,并将其应用于地铁浮置板轨道结构中。在保留现有浮置板轨道隔振效果的同时,进一步抑制低频带隙频率范围内纵波从道床板往基底的传播。创新点:1.探究超屏障导波模态,获取其带隙频率范围,建立带隙边界频率的简化模型;2.建立三维半轨道模型,分析新型浮置板轨道结构的整体减振效果;3.提出一种基于现场测试结果的超屏障带隙频率范围优化机理。方法:1.采用有限元法,筛选沿轴向传播的纵波模态,推导带隙边界频率计算公式;2.通过计算传递谱,研究超屏障结构的纵波抑制效果;3.建立三维半轨道模型,计算力传递率,并研究采用超屏障的浮置板轨道结构的整体减振效果;4.基于带隙边界频率计算公式,采用多目标遗传算法,得到超屏障关键参数的Pareto最优解集,并依据现场测试结果选取关键参数最优解。结论:1.所保留的现有浮置板轨道隔振效果、超屏障的纵波抑制效果以及带隙频率范围的可控性均有助于提高新型浮置板轨道的整体减振效果。2.超屏障可提供与现有浮置板轨道隔振器相近的静垂向刚度,且该静垂向刚度与第一带隙频率范围是相互独立的。3.简化模型及边界频率计算公式可用于获取具有更低起始频率且更宽频率范围的带隙;结合多目标遗传算法及现场测试结果,选取了第一带隙为50～113 Hz的最优解。     

一种0.6μm CMOS带隙参考电压源

利用CMOS晶体管迁移率和阈值电压温度效应相互补偿的原理 ,采用CSMC HJ 0 6 μmCMOS技术设计了一种稳定的带隙参考电压源 ,该带隙参考电压源可以在 0～ 85℃、电源电压 4 5～5 5V的范围内正常工作 ,输出参考电压为 1 12 2～ 1 176V ,输出参考电压浮动比例小于± 3 70 % .包括键合用的焊盘在内 ,芯片的总面积仅为 0 4mm× 0 4mm ,当电源电压在 4 5～ 5 5V范围内变化时 ,电路总的功率消耗在 2 8 3～ 4 8 8mW之间浮动 .     

Y160M电动鼓风机V带传动设计

对Y160M电动鼓风机V带传动进行了设计,对带轮基准直径、小带轮包角和V带根数以及带轮的选材和结构进行了设计分析。同时,对V带合理安装提出了建议。     

二维正方晶格光子晶体的光子带隙分析

运用平面波法研究了光波由面内入射到二维正方晶格光子晶体时的光子带隙,详细讨论了原子半径、原子介电常数及引入不同结构缺陷对光子晶体光子带隙的影响.结果表明:设置不同的原子半径和介电常数,可以得到不同波长范围的光子带隙;引入不同的缺陷结构,可以在禁带中形成不同频率的通带.因此,为了使不同波长的光波通过,可以在光子晶体中引入不同类型的缺陷.     

微波法合成纳米FeVO4及其光催化性能

通过微波法合成纳米FeVO4光催化剂,用XRD、SEM、UV-Vis DRS对其进行表征,探究不同Fe:V摩尔比、不同微波反应时间及Cu2+掺杂对产物的形貌、结晶度、粒径以及带隙的影响.结果表明,当Fe:V=1、微波反应6 min时,制备条件较优,获得了粒度比较均匀、尺寸较小、形貌比较规则的FeVO4晶体,且结晶度较高、带隙较窄.选取优化条件下制备的FeVO4与FeVO4:Cu2+,在可见光下进行甲基橙降解试验.在初始甲基橙浓度为10 mg/L、反应160 min时,FeVO4:Cu2+对甲基橙的降解率达到76.4%.     

基准电压源的分类及比较

基准电压源是集成电路的一个非常重要的组成单元,在数模转换器和模数转换器以及各种无线通信产品中,基准电压源是一个必不可少的组成部分,它对整个电路的性能和精度起到了至关重要的作用,可以说基准电压源的性能好坏就是整个电路性能的好坏。而衡量基准电压源性能好坏最重要的指标就是温度系数,温度系数越低则性能越好。文中主要介绍了现在比较流行的几类基准电压源的工作原理,并分析了各自的优缺点,并得出结论只有带隙基准电压源所需工作电压低,制作工艺不复杂,最容易实现。     

磁振子晶体带结构的优化研究

该文用平面波展开法计算了钴椭圆柱散射体正方排列在氧化铕基底中的二维磁振子晶体带结构.结果显示,同样的填充率下,旋转椭圆柱散射体可以打开更多的带隙,说明旋转椭圆柱散射体对磁振子晶体带隙有很好的优化作用.