铝诱导非晶硅场致晶化检测方法的比较

非晶硅晶化的检测仪器有很多,主要有扫描电子显微镜、X射线衍射仪和喇曼谱仪.采用上述检测仪器检测铝诱导非晶硅样品的场致晶化,讨论了各种检测手段对分析铝诱导非晶硅场致晶化情况的影响和意义。     

非晶硅薄膜和结晶硅薄膜的拉曼光谱

以玻璃为衬底,利用等离子体增强化学气相沉积工艺制备了非晶硅(α-Si)薄膜,然后通过准分子激光晶化方式获得结晶硅(nc-Si)薄膜,采用激光显微拉曼光谱仪对非晶硅薄膜、结晶硅薄膜这两类薄膜的拉曼光谱效应和结晶质量等进行了定量分析。结果表明:当激光功率达到某一阈值时,非晶硅样品发生了晶化,即由非晶硅转化成了结晶硅,特征峰发生了46.8 cm-1的位移,薄膜的结晶性质发生根本变化。而结晶硅样品在激光功率变化过程中仅因能量积聚造成了薄膜内应力变化,激光能量消散后内应力恢复原来的状态,特征峰在±5.4 cm~(-1)位移内波动,薄膜的结晶性质并未发生明显变化,表明薄膜处于稳定的晶态结构。     

利用快速热退火法制备多晶硅薄膜

为了制备多晶硅薄膜,研究了非晶硅薄膜的快速热退火（RTA）技术.先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后把其放入快速热退火炉中进行退火.退火后的薄膜利用X射线衍射仪（XRD）和Raman测试仪分析其晶体结构,研究了退火温度、退火时间对非晶硅薄膜晶化的影响.     

多晶硅薄膜晶化率对暗电导率的影响

采用氢等离子体加热的方法晶化a—Si：H薄膜制备多晶硅薄膜．用Raman散射谱进行结构表征和分析，研究了薄膜晶化率对暗电导率的影响．结果表明，暗电导率随着晶化率的增大而逐渐增大．提出了一个简单模型解释了这一现象，     

激发频率对纳米晶硅薄膜晶化特性的影响

为制备高质量的纳米晶硅薄膜,采用等离子体化学气相沉积方法,以硅烷、高纯氢为源气体,氢稀释率保持在98％,衬底温度200℃,反应气压100 Pa,沉积时间60 min,在射频频率分别为13.56、54.24 MHz下合成了纳米晶硅薄膜.利用Raman光谱和X射线衍射技术分析了样品,结果表明,高激发频率可促进薄膜从非晶硅到纳米晶硅的转化,有利于提高薄膜的晶化率,且晶粒具有各种晶体取向,没有出现择优生长.当激发频率从13.56 MHz升高到54.24 MHz时,晶化率相应从9％提高到72％.     

非晶硅薄膜电池充电器的制作

利用廉价的普通开关电源型电动车充电器,制作了一个满足使用要求的非晶硅薄膜充电器,实现了用一块非晶硅薄膜电池板来建立一个小型的离线光伏发电系统。该系统简单可靠,经济实用。     

多晶硅薄膜材料与器件研究进展

多晶硅薄膜是当前在能源科学和信息技术领域中广泛使用的功能材料,综述了多晶硅薄膜材料及其器件的特点、制备方法及研究进展.     

真空退火对非晶硅薄膜的暗电导和光电导的影响

本文报道对用SiH_4辉光放电方法和溅射法制备的本征a—Si(非晶硅)薄膜样品,进行高真空退火的电导变化效应。     

基于ABAQUS的LED固晶臂优化研究

LED固晶设备作为典型的光机电一体化产品,是电子元器件封装过程中的关键设备之一。基于有限元分析软件ABAQUS,对LED固晶设备的关键部件—固晶臂进行优化设计与模态分析。通过改变固晶臂几何结构,得出LED固晶臂的优化设计方案。基于有限元分析方法,比较在不同的约束情况和装配刚度情况下固晶臂的固有特性。     

室温固相法合成纳米层状双金属氢氧化物

首次报道了通过室温固相法,合成纳米层状双金属氢氧化物(简称LDH).考察了反应物配比、反应时间分别对试样物相的影响.采用X-射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)分别对样品的物相、形貌、粒径等进行了表征.结果表明,反应物配比、反应时间对产物物相有很大影响,镁铝比为3:1,反应时间控制在60min制备的样品分散性好,晶型单一,粒子呈针状,长120nm,宽20nm.     

Characteristics of bottom gate a-Si TFT array for AM-OLEDs

The authors have fabricated bottom gate amorphous silicon thin film transistor (a-Si TFT) array using five-step lithography process.The device shows a field effect mobility of 0.43 cm 2 /(V·s),on/off ratio of 7.5×10 6 and threshold voltage of 0.87 V.The instability of a-Si TFT is ascribed to the defect state in the a-Si channel and SiNx/a-Si interface.The present a-Si TFT array with SiN x insulator could be a significant step towards the commercialization of active matrix organic lighting diode (AM-OLED) te...     

Sol-Gel法制备KTN薄膜的结构和形貌研究(英文)

本文用XRD和SEM等分析测试手段,详细研究了Sol－Gel法不同工艺过程制得KTN薄膜样品的结构和形貌。发现KTN薄膜的结构和形貌主要受热处理工艺的烧结温度、升降温速率、烧结气氛等影响,详细分析讨论了产生这些影响的原因。在SrTiO3（100,111）基片上制备出了高取向、纯钙钛矿结构、表面形貌良好的KTN薄膜。     

常温H2S气敏薄膜的溶胶—凝胶制备及性能研究

以无机盐SnCl2·2H2O为主体原料,以Zn(CH3COO)2·2H2O2为掺杂剂,无水乙醇为溶剂,采用溶胶-凝胶（Sol-Gel)工艺制备了ZnO-SnO2薄膜;采用DTA-TG及XRD等分析手段研究了ZnO-SnO2薄膜的热分解和晶化过程,对ZnO-SnO2薄膜的结构进行了表征。研究了ZnO-SnO2薄膜的电学、气敏性能及机理。实验证明,ZnO-SnO2薄膜在常温下对H2S气体具有很好的气敏性能。     

LB膜技术的应用综述

LB膜技术是一种制备分子高度有序排列的超薄膜的先进技术。本文对LB膜技术的应用进行了综述,主要讨论了目前LB膜技术在生物膜仿生模拟、超薄膜制备、光学及传感器等方面的应用研究进展。     

衬底温度对Zn095Ca005O薄膜结构和光学性质的影响

利用磁控溅射法在玻璃基片上制备Zn095Ca005O薄膜,用X射线衍射（XRD）研究薄膜的结构特性,用LS920荧光光谱仪测量了样品薄膜的PL谱,探讨了衬底温度对薄膜结晶质量和光学性质的影响。研究发现,衬底温度对薄膜的质量影响较小,450℃时制备的薄膜结晶质量最好;不同衬底温度对发光峰强度有影响;薄膜在可见光区显示出较高的透过性,在350－400nm范围内薄膜透过率骤然下降,在该范围内存在吸收边。     

Preparation of Nano-Particles （ Pb, La）TiO3 Thin Films by Liquid Source Misted Chemical Deposition

Nano-particles lanthanum-modified lead titanate (PLT) thin films are grown on Pt/Ti/SiO2/Si substrate by liquid source misted chemical deposition (LSMCD). PLT films are deposited for 4-8 times, and thenannealed at various temperature. XRD and SEM show that the prepared films have good crystallization behavior and perovskite structure. The crystallite is about 60nm. The deposition speed is 3nm/min. This deposition method can exactly control stoichiometry ratios, doping concentration ratio and thickness of PLT thin films. The best annealing process is to bake at 300℃ for 10min and anneal at 600℃ for 1h.     

非均匀电场中氢原子的能级和波函数

研究氢原子第二和第三激发态（n=3和4）在正交非均匀电场中的能级和波函数．讨论了能级分裂,绘制了零级近似下氢原子的电子概率角分布图．