电子技术基础(一)学习辅导

1 基础知识包括教材的第一章和第二章。“半导体二极管,三极管和 MOS 管”是组成电子电路的基本元件。“数字逻辑基础”是分析和设计数字电路的基本教学工具。掌握有关数字电路的基本特性和基本教学工具,为学习数字电路打下基础。1.1 半导体二极管、三极管和 MOS 管的开关条件及开关状态下的特性(见表1)。     

电子技术基础(一) 学习辅导

电子技术基础—数字电子电路是中央电大电气工程、电子工程和计算机应用工程各专业必修的专业基础课,本课程电视学时36,面授学时19,必做实验5个。本课程教学内容可分为四大部分:(一)基础知识部分包括教材的第一章和第二章。“半导体二极管,三极管和 MOS 管”是组成电子电路的基本元件。“数字逻辑基础”是分析和设计数字电路的基本数学工具。掌握有关数字电路的基本特性和基本数学工具,为学习数字电路打下基础。这部分的主要内容归纳如下:1.半导体二极管、三极管和 MOS 管的开关条件及开关状态下的特性(见表1.1)表1.1     

电子技术基础(一)期末复习辅导

现将电子技术基础—数字电子电路课程的复习要求按教材章节顺序汇总如下,另外,给大家出了一些复习练习题,供大家期末复习参考。一、各章复习要求第一章半导体二极管、三极管和 MOS管1.掌握二极管的单向导电特性,开关应用时的开关条件及开关工作状态下的特点。2.掌握双极型三极管(主要是 NPN 硅     

数字电子电路学习要点辅导

1 半导体二极管、三极管和 MOS 管半导体二极管、三极管和 MOS 管的开关条件及开关工作状态下的特点。在数字电路中,半导体二极管、三极管和 MOS 管往往相当于一个“开关”,它的作用是使信号“接通”或“断开”。因此,这些半导体器件在多数情况下。工作在截止或饱和状态(导通状态),掌握半导体器件的开关条件和特点,是本章的重点。现将半导体(硅)管、NPN 型三极管(硅)和 NMOS 管的开关条件及特点汇总于表1中。     

数字电子电路学习要点辅导

1 半导体二极管、三极管和MOS管 半导体二极管、三极管和MOS管的开关条件及开关工作状态下的特点。 在数字电路中,半导体二极管、三极管和MOS管往往相当于一个“开关”,它的作用是使信号“接通”或“断开”,因此,这些半导体器件在多数情况下.工作在截止或饱和状态(导通状态),掌握半导体器件的开关条件和特点,是本章的重点。 现将半导体(硅)管、NPN型三极管(硅)和NMOS管的开关条件及特点汇总于表1中。 表1 半导体器件的开关条件及特点     

数字电子电路期末复习指导

“数字电子电路”是中央电大1999级工业自动化、电子仪器与测量、应用电子技术、通信工程等专业的一门必修课。为了便于同学们做好期末复习,现按教材章节顺序将教学要求予以小结,并给出一些练习题供同学们复习时参考。 1 半导体二极管、三极管和MOS管 1.1 掌握的内容 (1)半导体(硅)二极管开关应用时开关条件和开关状态下的特点。 (2)半导体三极管(NPN型硅管)截止、放大、饱和三种工作状态的条件及特点。     

电子技术基础期末复习指导

1 半导体二极管、三极管和MOS管 1.1 重点内容小结 (1)半导体二极管的开关条件及特点 表1列出了半导体二极管的开关条件及特点     

电子技术基础期末复习指导

1 半导体二极管、三极管和 MOS 管1.1 重点内容小结(1)半导体二极管的开关条件及特点表1列出了半导体二极管的开关条件及特点     

电子技术基础(一)学习辅导

1 基础知识 包括教材的第一章和第二章。“半导体二极管,三极管和MOS管”是组成电子电路的基本元件。“数字逻辑基础”是分析和设计数字电路的基本教学工具。掌握有关数字电路的基本特性和基本教学工具,为学习数字电路打下基础。     

电子技术基础(一)——复习辅导

本文将按章节顺序,分掌握、熟悉、了解三个层次归纳教学要求,最后给出一些复习练习题,供同学们复习时参考。 1 复习要求 1.1 半导体二极管、三极管和MOS管 (1) 掌握半导体二级管的单向导电特性、伏安特性曲线、开关应用时开关条件及开关状态下的特点。 (2) 掌握半导体三极管三种工作状态的条件及相应的特     

电子技术基础(一)复习辅导

本文将按章节顺序,分掌握、熟悉、了解三个层次归纳教学要求,最后给出一些复习练习题,供同学们复习时参考。1 复习要求1.1 半导体二极管、三极管和MOS管(1)掌握半导体二级管的单向导电特性、伏安特性曲线、开关应用时开关条件及开关状态下的特点。(2)掌握半导体三极管三种工作状态的条件及相应的特点。     

电子技术基础(1)期末复习提要

1 半导体二极管、三极管和 MOS 管1.1 掌握的内容半导体(硅)二极管开关应用时开关条件和开关状态下的特点,半导体三极管(NPN 型硅管)截止、放大、饱和三种工作状态的条件及特点,NMOS 管开关应用时开关条件和开关状态下的特点。1.2 熟悉的内容半导体硅二极管的伏安特性曲线、主要参数 I_F,I_R,U_((BR))的物理意义,半导体三极管(NPN 硅管)输入特性和输出特性曲线、主要参数β,a,I_(CBO),I_(CEO),I_(CM),P_(CM),U_((BR)CEO)的物理意义,NMOS 管主要参数 U_(TN)的物理意义及三个工作区域的特点。1.3 了解的内容     

电子技术基础(1)期末复习提要

1 半导体二极管、三极管和MOS管1.1 掌握的内容 半导体(硅)二极管开关应用时开关条件和开关状态下的特点,半导体三极管(NPN型硅管)截止、放大、饱和三种工作状态的条件及特点,NMOS管开关应用时开关条件和开关状态下的特点。1.2 熟悉的内容 半导体硅二极管的伏安特性曲线、主要参数I_F,I_R,U_(BR)的物理意义,半导体三极管(NPN硅管)输入特性和输出特性曲线、主要参数β,α,I_(CBO),I_(CEO),I_(CM),P_(CM),U_((BR)CEO)的物理意义,NMOS管主要参数U_(TN)的物理意义及三个工作区域的特点。1.3 了解的内容     

电子技术基础(一)学习辅导

电子技术基础一数字电子电路是中央电大电气工程、电子工程和计算机应用工程各专业必修的专业基础课,本课程电视学时36,面授学时19,必做实验5个。 本课程教学内容可分为四大部分: (一)基础知识部分 包括教材的第一章和第二章。“半导体二极管,三极管和MOS管”是组成电子电路的基本元     

《电子技术基础》(1)期末复习指导

《电子技术基础》(1)——数字电子电路课程电视学时36,面授学时19,必做实验6个(含综合性实验1个),本复习指导为98级电气工程、电子工程各专业和计算机应用专业撰写.复习要求下面按教材章节顺序,分重点掌握、一般掌握和一般了解三个层次介绍教学要求.第一章 半导体二极管、三极管和MOS管(一)重点掌握的内容     

半导体三极管的输入、输出特性及其开关应用

半导体(硅)三极管既是基本的放大元件,又是重要的开关元件。因此,在数字电路的学习中,要注意在理解的基础上,熟悉其输入、输出特性,掌握其开关应用,一、半导体三极管的输入特性要理解三极管的输入特性,首先应该熟悉二极管的伏安特性。1.半导体二极管的伏安特性图1.1(a)是半导体二极管的符号,1.1(b)是伏安特性——反映加在二极管两端的电压V_D和流过其中的电流I_D两者间关系的曲线。     

学好《模拟电子技术》课程必须闯过三关

搞好《模拟电子技术》课程教学,教师要引导学生闯过“三个关口”:器件、工程计算和操作技能。一、过好器件关模电教材中要求掌握的电子器件主要有:晶体二极管、晶体三极管和场效应管、集成运算放大器、集成功率放大器、集成稳压器。晶体三极管是构成各种电子电路的核心原件,在整个电子电路中占有非常突出的位置,过好器件关特别要过好晶体三极管关。作为三端器件,其特点比晶体二极管复杂得多,其内部有三个区(P或N)、两个PN结,且掺杂浓度和面积有一定的具体要求。因此,必须在掌握了PN结的形成、特性和晶体二极管的伏安特性曲线的前提下,再…     

谈谈《电工学》第三部分的学习

《电工学》课程的第三部分是电子技术。这部分内容共分五章,前四章属于模拟电子电路,最末一章属于数字电子电路。这部分内容的电视授课时数约为33学时,占总授课时数的41％。电子技术发展迅速,应用日益广泛,并渗透到其它技术领域中,现在已成为非电专业技术人员不可缺少的技术基础知识。但是,由于受到学时的限制,我们只能根据教学大纲的规定介绍以下几方面的内容:1.介绍一些最常用的电子器件:半导体二极管、稳压管、三极管及集成逻辑门、触发器等;2.介绍自动控制设备及测量仪表中最基本的电子电路;3.介绍一些最基本的分析和计算方法,如三极管放大器的图解法及微变等效电路法等。全部内容都以定性分析为主,以物理概念的说明为主。     

浅谈二极管的特性与应用

几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。一、二级管的工作原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷     

数字电子技术基础期未复习的基本内容和要求

第一章.门电路一、会分析计算对于比较简单的门电路要会分析计算,为此应该注意下面三点。1.熟悉半导体(硅)二极管和三极管的开关特性。(1)二极管:(?)导通条件:V_D>0.7V。导通时的特点:V_D≈0.7V,如同闭合的开关。截止条件:V_D<0.5V。截止时的特点:I_D≈0,如同断开的开关。(2)三极管(?)饱和导通条件:I_B>I_(BS)=I_(CS)/β。饱和导通时的特点,V_(?)≈0.7V,V_(?)=V_(?)≤0.3V,如同闭合的开关