山东大学人工晶体材料亮相国家重大科技成就展

“十一五”期间,山东大学晶体材料研究所、晶体材料国家重点实验室陶绪堂教授课题组开展了几种在医疗、科技、国防等重大工程领域具有重大应用前景的人工晶体的研究,其研究成果在本次展览中参加了展示。参展的主要研究成果包括：一、固体强激光器用大尺寸Nd：GGG（掺钕钆镓石榴石）激光晶体。经过多年的努力,     

锑化物半导体开拓先锋——记中国科学院半导体研究所研究员牛智川

<正>半导体,与计算机、原子能、激光科技并称为当代科技文明标志性四大领域。半导体科技经过约70年的发展,科学理论不断完善,材料器件应用日益广泛,已经成为世界各大国强盛的战略根基。我国科技界将半导体材料体系的拓展称为三代半导体,也就是硅或锗基、砷化镓或磷化铟基、氮化镓或碳化硅基材料三大体系。基于这三代（类）半导体形成的大规模集成电路与计算机技术、高速光纤通信与互联网技术、高功率电力电子与能源技术等诸多重大战略应用价值方向,不断推动现代信息技术、能源技术以及人工智能技术的进步和发展。     

基于产业链分析的中国铟锗镓产业发展战略研究

铟、锗、镓资源在信息通讯、新能源、现代航空、现代军事等高新技术领域具有广泛应用,是中国战略性新兴产业发展的重要资源,中国是三种资源的主要供应国,但产业发展面临诸多问题。本文通过战略环节分析和产业链类型分析,首先确定铟锗镓产业的战略环节和产业链类型,同时通过对中国铟锗镓产业战略环节和非战略环节的分析,提出面临的问题和对策建议。分析认为：①尽管铟锗镓产业的原材料是稀缺性的矿产资源,但产业链属于产品导向型产业,战略环节为深加工及元部件产业;②中国铟、锗、镓产业战略环节发展呈现出有好有坏、总体向好的趋势,但仍面临多种技术问题;③中国铟锗镓初级产品严重过剩,从短期来看,国家收储和泛亚有色金属交易所提出的铟金融化能够消化过剩产量,但长期仍需依赖下游产业发展增加国内需求;④铟、锗、镓是伴生资源,未来极有可能因为铅锌、氧化铝等产能过剩及其他问题引发原材料供应不足,应有意识限制初级产业发展,逐步发展回收产业;⑤提出了打造一条以深加工、元部件产业为核心,以初级产业、回收产业两种原料供应模式为基础、以废料合理回收为补充的循环产业链,实现铟锗镓制造业新升级,使资源在中国内部循环,使产品在全球流动,实现铟锗镓资源效益最大化。     

开辟我国独立自主的半导体光电产业发展之路 ——西南技术物理研究所研究员、电子科技大学教授宋海智

量子信息科学是由物理科学与信息科学等多个学科交叉融合所形成的一门新兴前沿学科,在经济、社会乃至国防军工事业中发挥着重要的作用,已成为国家科技发展战略的重要组成部分.半导体光电子材料及其相关器件是发展量子信息科技的关键支撑之一,只有解决材料器件基础问题,才能掌握量子信息研究的主动权.宋海智教授长期致力于半导体光电子材料和器件等方面的开发,积累了丰富的量子信息研究经验.     

关于化合物CaGa2＋x共熔区间的研究

目前关于Ca-Ga体系计算相图的文献报道较少，为了更好地了解Ca-Ga体系中各个相互作用规律，有必要对化合物CaGa2＋x的共熔区间范围进行确定的测定。本文通过利用X射线衍射分析法（XRD）和化学分析法对实验制备的一定组成的钙镓合金进行物相鉴定，确定化合物CaGa2.36。存在，为进一步研究Ca-Ga体系提供参考。     

观点

要从源头重视基础研究自主创新引领发展,要充分认识基础研究是前沿技术自主创新的一个源头。当今科技发展的一个趋势是,基础性研究、创新性研究与实际可能的应用之间的距离以及时间正在日益变短、变快。比如半导体发光,从半导体发光现象的基础研究到如今半导体光源的实际应用,其间的周期非常短。再比如新能源技术,如何提高太阳能光伏电池的光电转换效率,归根到底还得立足基础研究。同时为了进一步提高太阳能电池的效率,还需要发现新的材料、提出新的构思、设计     

昆山集成电路产业分析及发展策略

<正>集成电路在消费电子、汽车、通讯、工业制造等几乎所有先进制造领域都有着广泛应用,被誉为“工业皇冠上的明珠”。近年来,昆山抢抓新一代信息技术发展新机遇,深入推进“芯屏双强”战略,形成以封测产业为龙头,以化合物半导体、芯片设计、半导体设备及材料等为支撑的集成电路产业体系。本文通过对昆山集成电路产业现状进行总结分析,研判国内外集成电路产业发展形势,研究提出昆山集成电路产业高质量发展的对策建议。     

认真实施科教兴国战略

继续加大对科技、教育的投入。抓紧制定与实施国家中长期科学和技术发展规划。推进国家创新体系建设。切实加强基础研究、高技术研究，增强科技创新能力和竞争力。抓紧实施“国家高技术研究发展计划”和“国家重点基础研究发展计划”，以及重大科技专项。努力在关键领域和若干科技发展前沿掌握核心技术和拥有一批自主知识产权。加强科技基础条件建设。继续深化科技体制改革，完善科技服务体系，加强知识产权保护，促进专利发明，加快科技成果向现实生产力转化。坚持社会科学与自然科学并重，发展繁荣哲学社会科学。──摘自十届全国人大一次…     

纳米家族的新成员——nanobelt纳米带的诞生

美国佐治亚理工学院的王中林教授等三位中国科学家在世界上首次发现并合成半导体氧化物纳米带状结构,这是纳米材料合成领域的又一重大突破。王中林教授等人利用高温固体气相法,成功合成了氧化锌、氧化锡、氧化铟、氧化镉和氧化镓等宽带半导体体系的带状结构。这些带状结构纯度高、产量大、结构完美、表面干净,并且     

可贴在窗户上的电视机

日本科学家开发出一种新型晶体管，在30摄氏度的常温条件下，研究人员在真空中用激光照射一种由铟、镓和锌构成的半导体材料，使之成为气状，然后利用聚对苯二甲酸乙二脂(PET)树脂作为基片，让气状半导体材料在基片上蒸镀成厚度为30至60纳米的薄膜，最后在薄膜上制作晶体管，     

典型发达国家国际合作对中国与“一带一路”国家科技创新合作的启示

当前大多数“一带一路”国家的科技创新基础较薄弱，科技创新合作意愿和基础普遍不足，各国之间深层次的国际科技合作亟待加强，中国与“一带一路”沿线国家的科技创新合作的内容与机制也亟待进一步丰富与完善。本研究通过重点梳理分析美国、欧盟、德国、日本和新加坡等发达国家和地区与发展中国家开展国际科技合作的经验，总结得出其具有四方面共同特征：搭建多层次科技交流平台，深化科技人文交流；科学布局国际科技合作基地，拓宽科技合作网络；建立健全海外孵化器，打造“一带一路”特色创新合作体系；推进联合技术攻关，提升科技援助水平。中国可从中汲取有益的做法，根据自身与“一带一路”沿线国家的发展阶段和现实需求，探索具有中国特色的“一带一路”科技创新合作创新模式。建议重点从科技人文交流、科技合作网络、特色创新合作体系、科技援助水平等维度探索构建人才、技术、空间等多种要素协同创新和联动发展的合作生态，通过增强国际科技话语权、有效互补协作和开展科技援助等方式推进“一带一路”国际科技创新与合作行稳致远。     

我国半导体超晶格科学的进展

半导体超晶格是当代固体物理学的新生长点和重要前沿领域。它是以具有各种人工剪裁能带结构的半导体低维电子系统(二维、一维和零维)为其主要研究对象,涉及半导体物理、材料和器件的综合性研究领域。“半导体超晶格微结构”的研究属国家自然科学基金委员会重大基金项目,它以探索、开发新一代固态电子、光电子器件作为研究工作的着眼点,以生长超薄、陡变和大面积均匀的超晶格、多层异质结等低维量子结构的分子束外延(MBE)和金属有机化合物气相淀积(MOCVD)等超薄层材料生长手段为技术基础,着重开展半导体超晶格低维系统与普通三维固体不同的新物理现象和效应及其潜在的应用前景方面的基础研究,研究和探索新一代超晶格量子器件的新原理、新模式和新结构。本项目的总体设想是要在全国范围内组织起具有国内第一流水平,国际先进水平的,对半导体超晶格量子阱材料、物理和器件进行综合性基础研究的科研实体,经过“七五”和“八五”期间的工作,应当将我国在该领域内的基础研究整体水平推进到国际先进行列,并且在某些专题研究方面应当做出具有特色的,国际领先的研究成果。     

创科技教育"特色"办个性化学校

青少年科技教育是一项综合性的教育实践和系统性的教育工程。开展和实施青少年科技教育,是贯彻落实党和国家“科教兴国”战略举措与整体推进素质教育发展的一项基础工程。随着经济、科技的不断发展和社会需求的不断增加,加强青少年科技教育的意义和作用也就越来越显示出它的重要性。为了“传播科学知识,增强科学意识,倡导科学方法,弘扬科学精神,树立科学发展观,提高青少年科学素养”,我们总结出了“一中心”、“四体系”的活动理论,促进了学校个性化教育的蓬勃发展。     

科技创新战略-政策体系研究：“3+5”框架体系的提出与分析

科技创新战略和政策作为推动国家科技发展的重要手段,正向科技、经济、社会、环境多维度“协同作用”推进,需要综合考虑科技促进发展和促进科技发展的诸多内外要素。为此,应构建涵盖关键要素及相互作用的整体科技政策架构。文章提出“3+5”科技创新战略-政策框架体系（以下简称“‘3+5’框架体系”）并进行理论和实践分析,为决策部门和政策研究者提供一个政策分析框架。具体包括：（1）界定“3+5”框架体系的概念内涵,建立包括方针战略、规划布局、制度安排的“设计图层”和包括创新主体政策、资源配置政策、科技人才政策、成果转化政策、环境营造政策的“施工图层”;（2）从作用维度和价值导向出发,阐述“3+5”框架体系的建构逻辑;（3）以我国科技创新的战略布局为考察对象,基于“3+5”框架体系进行政策分析。     

加强科技基础条件建设 为区域创新体系建设构筑坚实基础

科技基础条件建设是构筑区域创新体系的基础。云南省科技基础条件建设,取得明显成效。对“十一五”加强科技基础条件平台建设问题,提出若干建议。     

关于创立“科技奖励学”的思考

本文论述了科技奖励的产生及演变过程，介绍了科技奖励活动在世界各国已经广泛开展及其积累的经验，探讨和介绍了科技奖励的理论基础等有关问题。进而指出钱学森同志创导的创立“科技奖励学”是建立在科学技术发展和社会进步客观需要的基础上而提出的科学论断，建立“科技奖励学”已具备了实践与理论基础。文章对“科技奖励学”的定义、学科体系、研究对象和内容，以及作为一门独立的新兴交叉学科的特点、与其他学科关系等作了探讨。     

增强科研实力 推动科技创新体系的建设

<正> (一) “创新是一个民族的灵魂,是一个国家兴旺发达的不竭动力”。而“科技创新已越来越成为当今社会生产力的解放和发展的重要基础和标志”。因此,“加快建立当代中国的科技创新体系,全面增强我们的科技创新能力”,是实现新世纪宏伟目标,实现中华民族伟大复兴的重大举措。最近,中央政治     

新型半导体材料的性能分析及其应用研究

半导体材料是制作功率器件、晶体管、集成电路、光电器件的基础材料,随着社会不断的进步和发展,直接或间接的影响着人们的生活,同时半导体业的也是物理材料研究的主要方向之一,因此本篇文章对新型的半导体材料的性能以及其应用前景进行了分析和概述。     

加快云南科技经济发展的新举措——云南科技基础条件平台建设的几点思考

一、建设我省科技基础条件平台的重要性和紧迫性大力实施科教兴国和可持续发展战略,建立国家创新体系,加强科学基础设施建设。这是在新形势下,适应当代科技、经济发展趋势的重大决策。为此,国家科技部最近提出了“关于加强国家科技基础条件平台建设的意见”。建设科技基础条件平台是科技界的“三峡工程”,是增强我国综合国力,提高我国科技实力和科技竞争力的一项战略工程。最近,省政府在十届人大会议政府工作报告中明确提出要加快我省科技基础条件平台建设,并将其列为省科技工作的重要任务之一。科技基础条件平台建设是一项长期、艰巨的世纪…     

非晶硅基合金半导体的研究进展

非晶硅基合金半导体材料是近些年开发研究的新型光电功能材料。由于它在光电技术方面具有广泛应用背景,特别是在薄膜太阳能电池和大面积薄膜场效应管(TFT)矩阵以及各类敏感器件方面的成功应用,国际科技界对这类新材料的研究给予了高度的重视。尤其是对这类材料的基本物理问题的研究更有其深刻的学术价值和对应用的重要指导意义。我国自70年代末即有较多部门研究非晶态半导体,经过“六五”、“七五”期间的工作,不少方面处于国际水平。1989年国家自然科学基金委员会批准将“非晶半导体中若干物理问题的研究”列为重大项目,旨在加强这一领域的基础物理的研究,推动应用开发。本重大项目包括五个子课题,由中国科学院和国家教委的10个单位承担。本文扼要介绍本项目的研究意义,目前的进展情况和今后的计划和设想。