一种应用于CMOS放大器的带宽扩展技术

介绍一种能用于CMOS放大器上的带宽扩展技术。该技术是在共源共栅结构的基础上改进而来,在共栅管栅极加入电感、电容和电阻,可以实现可控的高频增益峰值。通过对其小信号条件下的传输函数进行零极点分析,阐述其带宽扩展原理。同时该技术被应用于1-5GHzCMOS宽带低噪放的设计上。仿真结果表明,和传统的共源共栅结构相比,实现1倍的带宽提升。     

低噪声放大器的设计及仿真

低噪声放大器在接收系统中能降低系统的噪声和接收机灵敏度,是接收系统的关键部件。本文按照低噪声放大器电路的设计要求,完成了实际的电路设计并通过ADS仿真软件对电路进行仿真,得到了很好结果,对实际的电路设计有一定的意义。     

射频低噪声放大器的ADS设计

采用E-PHEMT晶体管(ATF54143)设计了一个S波段的低噪声放大器。依据放大器的各项指标对电路进行了设计、优化,最后通过S参数及谐波仿真分析得到了放大器的各项性能参数。结果表明设计的低噪声放大器完全符合性能指标,其功率增益可达15dB,噪声系数在0.7dB以下,带内平坦度小于0.5dB,输入/输出驻波比小于1.5dB,1dB压缩点输出功率大于16dBm。     

C波段低噪声放大器的设计

文章介绍了使用Agilent公司的微波电路CAD软件ADS进行仿真和优化设计C波段的低噪声放大器的过程,该LNA达到了预定的技术指标,性能良好。该LNA工作在4.7～6.7GHz范围内,噪声系数≤1dB,带内增益达到26dB,带内增益平坦度△G≤1dB。     

高性能LDO线性电压变换器的误差放大器的分析与设计

本文将一种共源共栅运放结构成功地应用于新一代高性能的LDO线性电压变换器的设计中。通过仿真和比较可知,整个LDO线性电压变换器在低频段的电源抑制比为69dB左右,改善了误差放大器开环增益,同时芯片抗电源变化的能力也能满足要求。     

一种超宽带低噪声放大器的仿真设计

本文介绍了一种超宽带低噪声放大器的仿真设计,采用负反馈技术提高了工作带宽并增强了放大器的稳定性。通过ADS软件的仿真优化提高了设计效率,并进行了原理图-版图协同仿真验证。实验测试该超宽带低噪声放大器在0.1GHz～1.5GHz的带宽内增益大于30dB,增益起伏小于±1.8dB,噪声系数小于1dB,P1dB大于15dBm。     

2．0～4．0GHz低噪声放大器的设计

介绍了S波段低噪声放大器（LNA）的设计原理和流程,并分析级联放大器的S参数,详细分析通过优化元件参数,获得了一种在2．0～4．0GHz范围内具有低输入回波损耗、低噪声系数的放大器。结果表明：在2．0～4．0GHz的范围内,该宽带低噪声放大器输入输出驻波比小于1．9,增益G〉20dB,带内增益波动小于±0．5dB,噪声系数〈1dB。