绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在PSM广播发射机调制器中的应用

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种大电流密度、高电压激励的控制器件,是高压高速新型大功率器件,它的耐压能力为600V～1800V、电流容量为100A～400A、关断时间低至0.02μs。所以在PSM广播发射机调制器的功率模块中大量应用了(IGBT)作为电子开关的重要组件。     

光伏逆变器功率单元的热设计

介绍了大功率IGBT功率器件功率损耗的组成,给出了功率器件散热器的热阻计算方法和步骤,简要说明了在采用风冷散热时应遵循的一般准则。     

IGBT栅极绝缘特性测试方法研究

作为新型功率半导体器件的主型器件,IGBT广泛应用于工业、4C(通信、计算机、消费电子、汽车电子)、航空航天、国防军工等传统产业领域以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域。IGBT的测试技术也随之进入了一个新的时代,本文针对IGBT静态测试中栅极特性I参数的测试方法进行了分析和验证。     

MOS和IGBT驱动器IR2131J及其应用

引言:功率元件驱动电路的特性在PWM直流伺服系统中占有很重要的地位,在PWM直流伺服系统中,H桥型主电路有四个功率开关器件(功率MOSFET或IGBT),若每个开关器件都用一单独的驱动电路驱动,则需四个驱动电路,至少要配备三个相互独立的直流电源为其供电,这使得系统硬件结构复杂,可靠性下降。 IR2131J是功率MOSFET和IGBT专用栅极驱动集成电路,独有的HVIC(High     

正弦波输出的自适应中频镀膜电源设计

中频镀膜电源已广泛应用于镀膜领域。文中设计了一种以IGBT为功率器件的中频镀膜电源,主电路采用BuckDC-DC变换电路进行电压调整,中频输出电路采用全控型器件构成串联谐振式逆变电路,详细的分析设计了主电路以及控制电路。实验结果证明,中频正弦波电流输出工作在(30±5)kHz,具有功率调节范围宽、自动适应负载变化、高效率的特点。     

科技信息

首件国产高压IGBT芯片通过鉴定
　　最新发现与创新
　　9月12日,一名技术人员展示装有IGBT芯片的模块
　　中国科技网讯我国自主研发的高压大功率3300V/50A IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片及由此芯片封装的大功率1200A/3300V IGBT模块,今天（12日）通过专家鉴定。中国自此有了完全自主的IGBT“中国芯”。     

VSC_HVDC的数学模型及控制方式的综述

随着丈功率电力电子技术的发展和可工作在高频率开关状态的完全可控器件（如丈功率IGBT,IGCT等）的出现,使得电压源型高压直流输电（VSC_HVDC）成为现实,这种新型的高压直流输电技术能弥补传统直流输电的部分缺陷,体现了诸多优点,其发展十分迅速。该文从数学模型和控制方式方面综述了新型直流输电研究的主要成果。     

IGBT型固态开关技术的研究

固态开关技术是用户电力中一种新型电气设备投切控制技术。该文着重对IGBT型固态开关进行了研究。设计了IGBT型固态开关的基本结构和构成方案,进行了全导通控制实验、SPWM导通与关断控制实验。实验结果表明,采用IGBT全控器件构成的固态开关完全可以实现电气设备的快速投切控制。     

IGBT型固态开关技术的研究

固态开关技术是用户电力中一种新型电气设备投切控制技术.该文着重对IGBT型固态开关进行了研究.设计了IGBT型固态开关的基本结构和构成方案,进行了全导通控制实验、SPWM导通与关断控制实验.实验结果表明,采用IGBT全控器件构成的固态开关完全可以实现电气设备的快速投切控制.     

首件国产高压IGBT芯片通过鉴定

中国科技网讯我国自主研发的高压大功率3300V／50A IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片及由此芯片封装的大功率1200A／3300VIGBT模块,今天（12日）通过专家鉴定。中国自此有了完全自主的IGBT“中国芯”。     

基于IGBT的静止无功发生装置研究

随着电力电子技术的发展,绝缘栅双极晶体管IGBT的容量和耐压有了较大突破.由于IGBT属于全控型器件,因此IGBT构成的新型无功电源具有可靠性高、体积小、控制灵活、调节范围大等特点,这就是新型的无功补偿器ASVG(Advanced static VARGenerator).该装置通过控制IGBT的通断,在三相之间实现能量交换,从而产生所需无功功率.ASVG感性和容性运行状态均连续快速可调,具有广泛的发展前途.     

基于lGBT的静止无功发生装置研究

随着电力电子技术的发展,绝缘栅双极晶体管IGBT的容量和耐压有了较大突破。由于IGBT属于全控型器件,因此IGBT构成的新型无功电源具有可靠性高、体积小、控制灵活、调节范围大等特点,这就是新型的无功补偿器ASVG（Advancedstatic VAR Generator）。该装置通过控制IGBT的通断,在三相之间实现能量交换,从而产生所需无功功率。ASVG感性和容性运行状态均连续快速可调,具有广泛的发展前途。     

基于能源变换IGBT应用技术研究

从当前IGBT的发展情况来看,其在可再生能源系统中发挥了较大的价值。电力是当前我国工业发展的重中之重。要想有效降低国内生产总值能源消耗的总量,就要从工业生产的过程着手。采取有效的措施控制大电流和高电压机械设备的实际功耗。IGBT应用技术同时具有MOSFET的高速性能和双极型功率晶体管的低电阻性能。这两个主要性能决定了IGBT应用技术在交流控制中的重大作用,是实现降低能源消耗的重要工具。     

零电压开关在电磁炉硬件设计上的实现方法

电磁炉可靠性的好坏直接影响到使用者的人身安危。文章从电磁炉硬件电路设计原理出发,分析了主单元电路功率调节对功率开关器件（IGBT）的影响,对比传统的单端准谐振变换电路设计出一种零电压开关高频变换器,并详细论述了该变换器的整个工作过程,实现了电磁炉低功耗,高效率,可靠性强等优点。     

首件国产高压IGBT芯片通过鉴定

最新发现与创新 9月12日,一名技术人员展示装有IGBT芯片的模块 中国科技网讯我国自主研发的高压大功率3300V／50AIGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片及由此芯片封装的大功率1200A／3300VIGBT模块,今天（12日）通过专家鉴定。中国自此有了完全自主的IGBT“中国芯”。     

中频正弦波镀膜电源开发

设计了一种功率器件为IGBT,10KW,40KHZ正弦波镀膜电源主电路采用移相全桥,输出滤波电路采样LLCC4阶功率变换电路。通过用状态空间平均法建立LLCC功率变换电路的小信号模型,推导出控制到输出的传递函数,并用MATLAB进行仿真;分析并画出闭环系统结构图,通过用试探法使原始系统开环回路传递函数的bode图满足所需要求,从而得到补偿网络传递函数,完成了变换器的控制系统设计。     

开国内行业先河 树民族品牌形象——北京落木源公司高科技电力电子产品研发纪实

<正>绝缘栅器件(IGBT/MOSFET)是现代开关电源为提高效率、减小体积广泛采用的电力电子器件,而其隔离驱动模块是其应用中的关键技术,完善的驱动电路能够高效地驱动IGBT并提供可靠的保护,开关电源的工作     

硅基AIGaN-MOS功率器件热阻压降的测试

研究了硅基AIGaN-MOS功率器件的热阻和压降这二个电热参数,提出了参数的测试原理和方法,给出了一种测试设备的电原理图。成果来自于安徽省省级重点科技攻关项目"硅基AlGaN/GaN-HEMTs功率新器件研发"。     

平面型功率合成电路技术参数的研究

在雷达、通讯等军事和民用需求的推动下,功率合成技术受到国内外的广泛重视,传统的功率合成技术大致归纳为四种类型:器件(管芯)功率合成、电路功率合成、空间功率合成、混合型功率合成。平面毫米波功率合成技术的研究已经起步,从目前的研究成果来看,系统的合成效率、输出功率、带宽基本得到满足。根据平面型功率合成电路的结构及原理,分析了决定平面型功率合成电路性能的参数,探究了功分/合成网络设计原则,为提升平面型功率合成技术性能指出了方向。     

数控恒流器件的工作原理和特性

提出了利用Ｄ／Ａ转换特性研制数控恒流器件的方法,从理论上分析了器件的设计思想和性能,并研制成功新型数控恒流器件．测试结果表明,该器件样管具有优良的电性能,同时具有体积小、功率损耗低等优点．