抛物量子点中束缚极化子的性质

利用两种不同的理论方法对抛物量子点中束缚极化子的性质进行了研究．首先是从抛物量子点中电子一声子体系的哈密顿量出发,用线性组合算符方法和幺正变换方法研究了外界温度、库仑势、量子点受限长度、耦合强度对抛物量子点中强、弱耦合束缚极化子的基态能量、振动频率及声子平均数的影响,接下来是从处于稳定的磁场抛物量子点中电子一声子体系的哈密顿量出发,用线性组合算符方法和幺正变换方法研究了声子之间的相互作用、量子点受限长度、耦合强度和外磁场对弱耦合束缚磁极化子的基态能量及声子之间的相互作用对基态能量贡献的依赖因素。     

非对称量子点中杂质束缚极化子的基态结合能

采用线性组合算符和么正变换方法研究了非对称量子点中弱耦合杂质束缚极化子的性质.导出了极化子基态结合能随横向和纵向有效受限长度、电子-声子耦合强度和库仑束缚势的变化关系以及声子平均数随耦合强度的变化关系.数值计算结果表明:基态结合能随横向和纵向有效受限长度的增加而减少,随电子-声子耦合强度和库仑束缚势的增加而增大.声子平均数随耦合强度的增加而增大.     

量子阱中强耦合束缚极化子的性质

运用改进的线性组合算符与变分相结合的方法,研究无限深量子阱中强耦合束缚极化子的性质.得到束缚极化子的基态能量和库仑束缚势、阱宽以及拉格朗日乘子的关系.通过数值计算结果表明:当库仑束缚势、阱宽和拉格朗日乘子增大时,基态能量的绝对值增大.     

电场对量子阱中弱耦合束缚极化子性质的影响

采用线性组合算符及幺正变换的方法.研究了电场对量子阱中弱耦合束缚极化子性质的影响,得出基态能量和电场强度、阱宽、库仑束缚势、振动频率之间的关系.计算结果表明:随着电场强度的增加,束缚极化子的基态能量增大;随着阱宽的增大,束缚极化子的基态能量减小,且阱宽越小.量子尺寸效应越显著.     

极性半导体和离子晶体中束缚极化子的性质

本文利用两种不同的理论方法对极性半导体和离子晶体中束缚极化子的性质进行了研究.首先是从库仑场中电子-声子体系的哈密顿量出发,用线性组合算符方法研究强、弱耦合束缚极化子的有效质量、振动频率、声子平均数与外界温度和库仑势的关系.其次是从稳定磁场中离子晶体或极性半导体的电子-声子体系的哈密顿量出发,用线性组合算符方法在强、弱磁场的条件下讨论了束缚极化子的有效质量,振动频率,声子平均数与外界温度,磁场的变化关系.     

抛物量子线中的极化子效应

在考虑电子与LO声子和电子与SO声子相互作用情况下,采用微扰法研究圆柱形自由抛物量子线中极化子效应．计算量子线中两种声子对极化子自能和电子有效质量的影响．结果表明：随着量子线半径的减小LO声子对极化子自能和电子有效质量的影响相对小些,而SO声子对极化子自能和电子有效质量的影响却显著增加.     

氮化物柱形量子点中离子施主束缚激子态波函数的研究

在有效质量近似和变分原理的基础上,选取三个不同的尝试波函数,研究了纤锌矿结构的InxGa1-xN/GaN柱形量子点中离子施主束缚激子（D＋,X）的束缚能随量子点高度L、In含量x及离子施主杂质位置z0的变化规律.计算结果表明：三个不同尝试波函数变分计算得到的束缚能随量子点高度L、In含量x及离子施主杂质位置z0的变化规...     

电场对抛物量子线中弱耦合极化子的影响

采用线性组合算符法乖变分法研究了电场对抛物量子线中弱耦合极化子性质的影响。在考虑电子与LO声子相互作用和加电场的情况下,计算了抛物量子线中弱耦合极化子的基态能量．数值计算结果表明：抛物量子线中弱耦合极化子的基态能量Eο随电场强度F和约束强度‰的增强而增大,而随量子线长Z的增大而减小．     

磁量子结构中电子自旋极化输运性质的研究

研究了双磁垒量子结构中,磁场强度和偏压大小对电子自旋极化输运的影响。结果表明:零偏压下,电子在反平行等强磁垒结构中输运不会产生自旋极化;电子传输的阈值能量随磁场强度或偏置电压的增大而增大;在一定的磁场强度和偏压大小下,比较由半导体InAs和GaAs两类材料构成的量子结构中电子输运自旋极化度,发现它们的电子输运自旋极化度都随入射能量的增大而呈振荡衰减趋势,朗德有效因子高的InAs材料比GaAs的自旋极化度高出一个数量级。     

有限深半抛物量子阱中束缚电子态的本征能量与本征函数

采用数值求解和谐振子变换的方法，研究了一维有限深半抛物量子阱系统中的束缚电子态，得到了系统束缚电子态能量本征值与本征函数的严格解。研究结果对研究一维半抛物量子阱系统中的其它物理性质，如非线性光学性质等与束缚电子态相关的性质有重要意义。     

单分子量子点中的自旋流

研究了与声子模耦合的单分子量子点中的输运特性,重点讨论声子效应对自旋流的影响。结果表明,电子与声子的相互作用导致在磁场频率恰为声子频率的正整数倍的地方出现共振伴峰,伴峰的强度对电声子相互作用的强度非常敏感。这些现象为人们更好地理解单分子量子点中的输运特性,提供了更加丰富和有益的信息。     

电子作用对共轭聚合物极化子激发态反向极化的影响

采用Su-Schrieffer-Heeger（SSH）模型,并结合扩展的Hubbard模型,讨论了分子链长和电子-电子相互作用对有机共轭高分子中极化子激发态-阶极化率的影响：极化子激发态的反向极化受到分子链长的制约;同一格点电子间相互作用u抑制极化子激发态的-阶反向极化,相邻格点电子间相互作用V增强极化子激发态的-阶反向极化。以上结论为实验中观察极化子激发态的反向极化提供了理论线索。     

外电场作用下氮化物有限抛物量子阱中激子的极化子效应

考虑GaN/Al_xGa_(1-x)N有限抛物量子阱(PQW)中空穴有效质量及声子模的各向异性,采用LLP变分法计算了外电场作用下有限PQW中激子的能量。结果表明,轻、重空穴激子的基态能随阱宽的减小而增大,结合能随着阱宽的减小,先增大后减小;考虑极化子效应时,结合能有明显的降低;轻空穴激子的结合能和基态能量均比重空穴激子的高;闪锌矿阱中激子的基态能量比纤锌矿阱中的高,而闪锌矿阱中激子的结合能比纤锌矿阱中的低;有外电场作用时,激子的结合能和基态能量降低较明显。     

量子环面导子代数上的导子

设Fq是F上关于量子矩阵q=（qij）的量子环面,本文确定了[Fq,Fq]的导子Der[Fq,Fq],当M是Z^n的一个非退化子集时,证明了Der[Fq,Fq]是完备李代数．     

氮化物柱形量子点中类氢施主杂质态波函数的研究

在有效质量近似和变分原理的基础上,选取三个不同的变分波函数,研究了纤锌矿结构的GaN/AlxGa1-xN柱形量子点中类氢施主杂质态结合能随量子点高度L及杂质位置z0、p0的变化规律.计算结果表明:三个不同变分波函数计算得到的杂质态结合能随量子点高度L及施主杂质位置z0、p0的变化规律一致,但对比三个不同变分波函数计算所得结果可知,选取单参量的各向同性类氢波函数,杂质态结合能最大,基态能最低,按变分原理,表明备向同性类氢波函数能更好地描写柱形量子点中类氢施主杂质电子的运动,也表明小量子点(量子点的直径和高度可比)中类氢施主杂质态一定程度上的各向同性行为.     

抛物量子点的非线性光学折射率变化

详细研究了GaAs/AlGaAs抛物线形量子点(QDs)在电场和磁场作用下的折射率的变化.通过使用密度矩阵理论和迭代的方法,可以得到线性和非线性子带间的折射率变化(RIC)的解析表达式.计算结果表明,入射光强度、QDs的半径、宽度以及施加的电场和磁场对系统的折射率变化有很大影响,进而为研究抛物线形量子点的非线性光学折射...     

无消相干子空间的几何量子计算方案

文章提出了利用超导量子干涉仪作为量子比特设计一个在无消相干子空间的几何量子计算的方案。该方案融合了无消相干子空间的量子计算对某些特定的噪声不敏感,而几何相位具有内秉抗随机噪声的容错能力的优点。     

双电子柱形量子点基态能的杂质效应

在有效质量和有限高势垒近似下,变分研究了在双电子柱形GaN/Al0.2Ga0.8N量子点中掺入不同类型杂质时,杂质电子体系的基态能随杂质电荷、量子点的高度及杂质位置的变化规律。结果表明,随量子点高度增加,杂质电子体系的基态能单调递减;杂质带负电时,体系的基态能量都比较大,不易形成稳定的束缚态。随着杂质由量子点下界面沿z轴上移至上界面,对于类氢施主杂质,体系的基态能先减小后增大,在z0=1.0 nm处取得极小值;而受主杂质,变化趋势相反：体系的基态能先增大后减小,在z0=1.0 nm处取得极大值;若掺入中性杂质,杂质电子体系的基态能不变。     

电子在三个耦合量子点中输运的主方程

本文基于S.A.Gurvitz等人通过直接求解薛定谔方程方法,在一些假设和近似下计算出电子在三个耦合量子点模型中的输运主方程,即几率演化方程.