基于不同浓度PVA为绝缘层有机层为PCBM的有机场效应晶体管的分析

阐述了制备器件结构从下到上依次为氧化铟锡玻璃基底、PVA为绝缘层、PCBM为有机层、铝为源漏电极的有机场效应晶体管(OFET)。研究不同浓度的溶液PVA绝缘层对OFET的影响。实验证明40mg/ml的PVA溶液制备绝缘层时对OFET性能有所改善。     

电荷注入多重电极底栅有机场效应晶体管对接触和沟道电阻的影响

制备多重电极为WO3/Al/WO3、有机层为并五苯、绝缘层为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的底栅有机场效应晶体管,与只有Al为电极的底栅有机场效应晶体管相比迁移率从0.0018cm2 V-1s-1增加到0.364cm2 V-11s-1,阈值电压从21V降到10V。主要原因是多重电极对底栅有机场效应晶体管的接触电阻和沟道电阻有了明显的改善。     

成功研制多比特有机场效应晶体管存储器件

有机场效应晶体管存储器件研究是有机存储器件重要的研究方向之一,它不仅具有晶体管的开关功能同时还能够存储信息。化学所有机固体院重点实验室科研人员成功研制了多比特有机场效应晶体管器件。他们巧妙地将光辅助效应和聚合物修饰场效应晶体管结构相结合,探索出实现有机场效应晶体管的多比特存储的光电工艺过程。     

基于C_(60)有机场效应晶体管栅电压与迁移率的研究

制备了基于C_(60)为有源层的有机场效应晶体管,绘制了栅电压与迁移率的结构示意图,分析了栅电压与迁移率的关系。     

北京纳米能源所首次提出摩擦电子学新研究领域

<正>中科院北京纳米能源与系统所王中林院士研究小组将摩擦纳米发电机与传统场效应晶体管相结合,研制出接触起电场效应晶体管,首次提出了摩擦电子学(Tribotronics)这一新的研究领域。研究人员利用摩擦纳米发电机和金属-氧化物-半导体场效应晶体管的耦合特性,研制了外力触控的接触起电场效应晶体管。该器件可在外力作用下使门极材料产生接触起电,形成静电势作为门极信     

基于氧化石墨烯正极材料的锌离子混合超级电容器的综合性实验

本工作制备了锌离子混合超级电容器电极活性材料,并设计了电极储能性能研究的综合实验。实验按照电极材料制备、电极制备、储能器件的电化学性能测试的流程进行,当中涉及多种研究手段。通过学习,加强学生对退火温度—氧化石墨烯—电化学性能之间关系的理解,同时,也实现对专业理论知识和实验数据的综合分析。通过实验项目,学生的独立思考能力、理论知识的应用、科研意识及团队协作能力得到了锻炼。     

基于ZnO纳米粒子的有机光伏器件设计与研究

有机光伏器件具有价廉、轻便、柔韧良好以及Roll to Roll制备等特点被受广泛关注与研究。基于有机材料制备的太阳能电池、晶体管、传感器等各个热门领域发挥着重要作用。本文针对有机材料的太阳能电池结构进行改进;合成的纳米粒子(Zn O)材料,并引入纳米粒子作为太阳能电池的电子传输层材料,并对器件性能及微观结构进行表征。结果表明,增加纳米粒子作为阴极传输层(空穴阻挡层),其对活性层表面进行了有效的修饰,并改变了空间电荷区光子数,从而改善了太阳能电池的性能。     

铜电极电生一价铜作库仑滴定剂的研究

本文研究了在NaCl、EDTA及适量H_2SO_4的电解液中,用金属铜电极为发生阳极,恒电流电解产生一价铜作为库仑滴定剂,考查了NaCl、EDTA、酸度及其它因素对铜电极阳极极化产生一价铜的影响。在选定的条件下电生一价铜的电流效率和滴定效率接近100％。     

国家重大科学工程LAMOST喜获首条天体光谱

寡聚噻吩既是制备高性能纳米器件的重要功能有机分子，义可用作模型化合物来研究有机电子传输的基本问题，因而其组装行为和单分子性质研究受到了广泛关注。化学所分子纳米结构与纳米技术院重点实验室的研究小组，近年来系统研究了寡聚噻吩分子的组装规律和组装结构。利用高分辨扫描隧道技术（STM），发现寡聚噻吩分子不仅本身可以形成稳定的组装结构，     

基于喷墨打印技术柔性透明网格电极的研制

透明网格电极作为传统In_2O_3:Sn薄膜最主要的替代材料之一,受到人们广泛的关注。尤其结合喷墨打印工艺制备透明金属网格电极,具有制备工艺简单,环境友好,制备成本低、衬底选择性好,可柔性加工等优点。满足光电器件对透明电极的需求。本论文针对透明网格电极的研制,对金属网格电极的工作的原理、金属网格电极类别、喷墨打印技术制备透明网格电极的方法进行了介绍,最后对喷墨打印技术制备柔性透明网格电极的要求进行了探讨。     

联栅晶体管的电压放大因子

联栅晶体管(简称GAT)是具有高速高反压低饱和压降性能的功率开关器件,它是一种双极型晶体管的改进型结构。它有一个特殊的基区,基区一部分做得较深,其杂质浓度较其他部分为高。这一基区中伸出部分相当于JFET的栅,接近基区的集电区相当于源,远离基区的那部分集电区相当于漏,两栅之间的集电区作为沟道,基区其他部分作为普通NPN晶体管的基区作用。联栅晶体管克服了高反压与高频之间的矛盾,同时使得在较低的电阻率情况下得到较高的BV_(ceo)。     

金属有机骨架分离膜研究取得进展

中科院大连化物所杨维慎研究组利用了金属有机骨架（MOFs）材料（ZIF-8）的骨架柔性．实验观测和理论模拟到异丁醇分子在ZIF-8纳米粒子上吸附过程中的“gate—opening”效应。基于该效应和ZIF材料的表面超疏水性,制备出可以优先透过醇类大分子而阻止尺寸更小的水分子的高性能ZIF-8纳米复合膜。     

新型纳米结构电极体系的界面结构和性能

1 背景 具有重要应用功能的新体系和新研究方法,是当代电化学与其他学科实现交叉及电化学本身发展的二个主要研究方向。“九五”国家自然科学基金重点项目“新型纳米结构电极体系的界面结构和性能”,正是遵循电化学的主要方向,以新型材料或结构、尤其是纳米结构制备电极(包括表面增强光学电极、过渡金属薄膜和表面合金电极、纳米结构半导体膜电极、电活性表面团簇电极);利用电化学现场     

超导电子器件应用基础研究

超导电子学是超导物理与电子技术相结合的一门交叉学科,以超导微观理论和多种量子效应为基础,以Nb基超导薄膜为主要材料体系、以约瑟夫森结、超导平面微纳结构为主要结构单元,可形成无源器件、微波有源器件、传感器/探测器等多种超导电子学器件和电路,在噪声、速度、功耗、带宽等方面具有传统半导体器件和电路无可比拟的优势,在极高限灵敏度探测、量子信息处理、量子计量、高性能计算和前沿基础研究等领域可发挥不可替代的作用。然而高性能超导器件和电路西方国家一直对我国实施严格的禁运。     

计算快百万倍

这些错综复杂的电极被称为表面电极离子陷阱,它们能协助我们向制造量子计算机的目标更进一步。量子计算机能通过操纵原子的量子态进行数据处理,速度可达目前最强大的超级计算机的上百万倍。我们现在使用的电脑通过晶体管开台来实现0和1的基础运算,而量子计算机借助的是利用激光脉冲快速击打带电的亚原子粒子。亦即粒子,在理论上可以同时进行大量运算。     

科技人物

王中林小组制备出高性能传感器美国佐治亚理工学院(Georgia Institute of Technology)和中科院纳米能源与系统研究所王中林教授领导的研究小组最近利用压电电子学效应对肖特基结纳米线传感器进行调节,制备出高性能传感器——pH传感器和蛋白质传感器。     

有机电致发光器件的载流子调控

有机电致发光载流子调控主要是指通过改善载流子的注入和传输来获得高亮度、高效率、高稳定性的器件.目前有机电致发光器件的载流子调控主要通过修饰有机电致发光器件的电极及其界面、引入具有高载流子迁移率的材料、采用新型载流子注入和传输层结构等方法来实现.     

高性能碳纳米管光电器件和光电集成

当前,由于大多数光电器件的工艺与硅基电路不相匹配,致使其制备需要巨大的成本,且制备过程异常繁琐。本文就以碳纳米管制备材料为切入点,探讨高性能碳纳米管光电器件和光电集成的优化。     

体积极小的单分子晶体管

美国贝尔实验室的两名科学家在1947年发明了晶体管,当时它的长度相当于手表的直径。现在,贝尔实验室的另一个研究小组利用单个分子制成了晶体管,它的大小只有针尖的1000万分之一。科学家们预计,作为当代计算机基础构件的硅晶体管的体积在本世纪20年代将无法再缩小。有机纳米晶体管将使计     

新型器件及其超薄层异质外延材料和表面、界面研究

随着分子束外延(MBE)、化学束外延(CBE)以及金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)等超薄层生长技术的发展,人们已经成功地生长出原子级厚度和原子级平整的优质异质结构外延材料。以此为基础,研制成功多种新一代半导体光电子和微电子器件,如:量子阱激光器、高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶晶体管(HBT)等。这些器件不仅大大促进了国防电子工程技术的发展(如雷达、导弹),而且在超高速计算机、卫星通讯和电视接收等方面也有重要应用。超薄层外延材料具有许多新颖的物理特性,已成为凝聚态物理研究前沿领域之一。随着器件尺寸的减小,表面和界面效应越来越突出,并严重影响器件性能。因此,利用现代表面分析技术,从原子尺度上了解超薄层材料生长机理,及器件表面和界面的物理特性,有利于新型材料和器件的发展。三年来,我们在此领域做了许多深入研究,取得了一批具有较高学术价值和应用价值的研究成果。