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新一代半导体材料新贵GAN 总被引:1,自引:0,他引:1
6aN(氮化镓)时代即将到来 在当今半导体材料与器件的研究与应用中,GaN(氮化镓)系材料日益成为世人瞩目的焦点,并和SiC、ZeSe、ZeO、金刚石等半导体材料并誉为继以Si和GaAs为代表的第一代、第二代半导体材料之后的第三代半导体材料。以GaN为代表的Ⅲ-V族化合物材料为直接跃迁半导体材料, 相似文献
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《黑龙江科技信息》2017,(16)
半导体材料作为场效应晶体管的关键组成元素,严重的影响器件性能,相对于小分子半导体材料,聚合物半导体材料具有很多优势,比如便于溶液加工、适用于室温制备等。目前,高迁移率聚合物半导体材料经过多年研发,已经取得了突飞猛进的成果,并且经过不断的创新,诞生了各种结构新颖、性能良好的聚合物半导体材料,不断优化器件制备工艺,使得聚合物场效应晶体管的载流子迁移率从10~(-5_cm~2v~(-1)s~(-1)提升到了36.3cm2v~(-1)s~(-1)。详细地描述了高迁移率聚合物半导体材料的研究现状,分析了高迁移率聚合物在半导体器件设计中的应用情况,从空穴传输型、电子传输型和双极传输型等三个方面分析高迁移率聚合物半导体研发现状,归纳和总结半导体材料,从而可以进一步的为半导体器件构筑提供一定的指导。 相似文献
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社会经济发展为各行各业带来了更大的挑战和更好的发展机遇,对于半导体行业来说,要求材料的更好运用和对技术的不断革新,半导体物理也成为材料物理重要的研究方向。针对这种情况,本文主要阐述半导体的具体含义及其分类,根据不同类型的半导体,对其发展前景进行进行简单的设想和展望,希望为我国的半导体行业发展尽一份绵薄之力。 相似文献
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半导体光催化剂有很多种制备方法,本文主要介绍磁控溅射法、溶胶-凝胶法和电沉积法。单一的半导体光催化剂存在一定的局限性,限制了其性能。本文研究了利用肖特基势垒和异质结结构对半导体光催化材料进行改性,提高光催化性能。 相似文献
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《黑龙江科技信息》2016,(32)
稀磁半导体的研究对于自旋电子学器件的研发与应用具有极其重要的意义。宽带隙ZnO基稀磁半导体因其具有独特的光电性能而备受青睐,尤其是在Ditle等人预言p型ZnO基稀磁半导体具有室温铁磁性之后,从而引起了人们的关注。虽然许多科研人员在ZnO基稀磁半导体材料的研究方面取得了丰硕的成果,但迄今为止所报导的结果大相径庭,仍然还有很多问题存在争议,尤其在磁性方面。常规的稀磁半导体制备方法,如磁控溅射和脉冲激光沉积技术等,均需要很高的生长温度,高生长温度容易催生颗粒在薄膜中的形成,但其低温下制备也难以保证薄膜的质量。运用等离子体增强化学气相沉积法制备稀磁半导体薄膜,具有无法比拟的优越性,对稀磁半导体的研究具有非常重要的学术意义和实用价值。 相似文献
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到2015年,我国将拥有多条45—90纳米的8英寸、12英寸生产线。2022年进入国际前列。不过随着集成度提高,硅晶片会遇到很多困难.例如芯片功耗急剧增加,极有可能将硅片融掉。以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等为代表的第二代半导体材料不断向硅提出挑战。 相似文献