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对T 型衰减器的插入损耗和衰减性能进行了理论分析, 在此基础上设计了一个用于跳时超宽带(TH-UWB)通信的载波频率为4 GHz 的通断键控(OOK)调制器. 该调制器的核心是一个T 型RF CMOS 衰减器, 其电路拓扑结构包括3个主要部分: 振荡频率为4 GHz 的振荡器、由射频CMOS 晶体管构成的T 型衰减器和带有L 型结构的输出阻抗匹配网络. 该调制器由一个脉位调制(PPM)信号控制, 使已调信号的包络随控制信号的幅度而变化, 以实现调制功能. 除此之外, 输出匹配网络将调制器的输出阻抗匹配到50Ω负载. 调制器采用0.18 μm 射频CMOS 工艺进行设计并仿真, 其芯片经过测试, 在1.8 V 电源和50Ω负载下有65 mV 的输出幅度, 输出端回波损耗(S11)小于-10 dB, 功耗为12.3 mW, 芯片尺寸为0.7 mm×0.8 mm. 相似文献
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首先提出了一个新的电流型跨导运算放大器(OTA)非线性多端口宏模型,该模型用构造法建立,可模拟差模、共模输入阻抗、共模抑制比、可变跨导等典型参数以及偏置电流的影响,并用简洁的电路,模拟了OTA的输入饱和特性,避免了复杂的公式推导及运算.通过计算机SPICE程序的模拟和实验,证实了该模型的正确性.作为OTA的应用,还在典型OTA乘法器基础上,用本模型设计并实现了双差动式乘法器,克服了典型OTA乘法器的不足,经过理论和实验分析,取得了很好的结果. 相似文献
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利用CMOS数字集成电路研制出一种专用物品监测仪器。该仪器具有结构简单,性能稳定,可靠性高,功耗低,和使用方便等特点,非常适于在超级市场,大型书店和图情机构中推广使用。将数字集成电路用于模拟信号的处理方法对从事电子仪器仪表开发、维护的技术人员也具有一定的参考价值。 相似文献
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设计了一种提高晶圆利用率和产出的小尺寸CMOS运算放大器贴片封装工艺。采用两级放大电路实现大功率输出,按照CMOS制造工艺要求,在16μm×16μm设计折叠型7层版图的集成电路,按照QFN封装的特点增加散热能力。测试结果证明,该设计电性能好,达到CMOS制造工艺的技术要求。这种创新设计的版图面积和芯片体积小、质量轻、集成度高,可降低芯片的工业制造成本,对解决晶圆利用率低和产出低的问题具有实践价值。 相似文献
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采用新型CMOS电流反馈运算放大器以及电阻和电容元件模拟无源LC梯型高通滤波器电路,得到了一种高频特性优良的容易全集成的连续时间有源全极点高通滤波器。以三阶高通滤波器的实际电路为例用OrCAD软件进行了MOS管级的计算机仿真,结果表明本文所出的电路方案是正确可行的。这种技术在高频高速模拟集成电路的设计中有较大的实用价值。 相似文献
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概述了几十年来集成电路基本单元CMOS晶体管特征尺寸的缩小以及由此带来电路性能的提高和出现的问题。其主要的挑战集中在研发成本的上升、能耗的增大和可靠性问题。阐明了驱动CMOS晶体管尺寸缩小的原因除了技术进步,更在于电路可售出成本的下降。 相似文献
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高阶全极点滤波器的CFA实现 总被引:1,自引:0,他引:1
采用CMOS电流反馈运算放大器实现高阶全极点滤波器,面向具体电路完成了MOS管级的计算机仿真,结果表明所提出的电路方案可行、性能优良。 相似文献
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CMOS工艺的低相位噪声LC VCO设计 总被引:3,自引:0,他引:3
本文介绍了用0.18μm 6层金属混合信号/射频 CMOS工艺设计的2个 LC谐振压控振荡器及测试结果, 并给出了优化设计的方法和步骤. 第1个振荡器采用混合信号晶体管设计, 振荡频率为2. 64GHz, 相位噪声为-93. 5dBc/Hz@500kHz. 第2个振荡器使用相同的电路结构, 采用射频晶体管设计, 振荡频率为2. 61GHz, 相位噪声为-95.8dBc/Hz@500kHz. 在2V电源下, 它们的功耗是8mW, 最大输出功率分别为-7dBm和-5.4dBm. 2个振荡器均使用片上元件实现, 电路的集成简单可靠. 相似文献
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为了改善超低频正弦信号发生器对电容大容量、无极性的要求,介绍了一种基于电容倍增原理的超低频正弦波振荡电路。利用电容倍增器的原理,选择电容接地的RC移相选频网络,设计一个三节相位滞后式RC正弦波振荡器。通过硬件电路实验和仿真分析,此电路能够实现以无极性、小容量等高性能参数电容获得频率很低、幅值大的正弦信号输出。此振荡电路调节方便,输出稳定,可满足实验教学对超低频信号源的要求。 相似文献