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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 734 毫秒
1.
半导体激光器是功耗型有源器件,工作过程中的温升对其输出特性会有明显影响。采用热敏电阻作为温度敏感元件,对半导体激光器的温度变化特性进行了测试与分析。测试结果表明,自加热效应对半导体激光器的功率输出特性影响明显,其斜率效率的变化率为Δη=0.022V/℃。  相似文献   

2.
铸态镁合金ZK60之所以受到人们的青睐,是因为它在现在所有商用镁合金中强度最高。通过光学显微镜(OM)对组织进行分析,研究不同退火温度和时间条件下铸态镁合金ZK60的显微组织。分析了退火温度和时间对铸坯组织的影响,从而得出最佳工艺时间360℃,退火时间为8小时。  相似文献   

3.
随着世界高新技术的飞速发展和竞争的日趋激烈,基于半导体低维结构的固态量子信息、低维光电子器件研究已成为国际上的热门领域之一。实验制备高质量量子点、量子线、量子环等低维结构,制备GaAs基近红外激光器、探测器都是国际上具有重要应用前景的研究课题。在国内,业界的科学  相似文献   

4.
温度对半导体激光器特性的影响   总被引:3,自引:0,他引:3  
在描述半导体激光器动态特性的速率方程中引入温度的影响。借助半导体激光器等效电路模型,模拟仿真了温度对直调激光器P-I特性、频率响应特性、脉冲调制特性和啁啾特性的影响。  相似文献   

5.
本文介绍一种基于DS18820的半导体激光温度控制系统,从数字温度传感器和单片机与DS18820的典型接口两个方面详细介绍了激光器温度控制电路,并阐述了整流输出电路即利用PWM技术对温度进行调节控制,使半导体激光器的温度趋于稳定.  相似文献   

6.
在我国最近的几年时间里,半导体激光器所应用的功率逐渐升高,所以相应引发的散热情况成为了目前阻碍半导体激光器进一步发展的最大原因。由于机器芯片的升温最终会使得激光器的工作性能不断降低,想要使得半导体激光器能够在大功率的工作原理下依旧保持持续稳定的工作性能,就只能让芯片的工作得到很好的散热,经过对半导体激光器中的芯片升温现象对半导体激光器各项功能的影响程度分析,得出了芯片升温对半导体激光器有着非常重要的影响。本文根据半导体激光器在芯片升温中出现的问题进行了探讨,对如何解决这一问题提出了方法。  相似文献   

7.
半导体激光器作为光电子科技的核心技术,受到各国科技界和产业界的高度重视.芯片是半导体激光器的核心技术之一,在逆全球化、中美贸易摩擦的背景下,我国半导体高端芯片受限风险激增.本文从专利分析的角度出发,对全球半导体激光器芯片的技术现状进行了研究和探讨.  相似文献   

8.
主要研究了添加Ni对Sn-0.7Cu焊料的物理性能及其润湿性能的影响,分别测试了焊料的熔化温度、电阻率、热膨胀系数、抗腐蚀性能及其润湿性。结果表明:添加微量的Ni元素使得Sn-0.7Cu合金焊料的熔点有小幅度的升高,当添加Ni含量为0.2wt%时,Sn Cu基焊料熔点为228.83℃;焊料电阻率随着Ni含量的增加而增加;焊料的热膨胀系数随Ni含量的增加而降低。当Ni含量为0.12wt%时,焊料在室温到100℃区间其热膨胀系数为12×10-6/℃。同时,增加焊料中Ni元素的含量提高了焊料的抗腐蚀能力及其在Cu基板上铺展面积。  相似文献   

9.
本文给出了一种利用高信噪比的运算放大器与半导体制冷器设计的激光光源电路驱动系统,以及半导体激光器的稳定度实验测量结果。实验证明,本驱动系统能为半导体激光器提供高稳定度的恒温控制(ATC),温度控制精度可达0.01℃,波长控制精度可达0.1nm,而且提高了半导体激光器的使用寿命和输出波长的单一性。  相似文献   

10.
以废弃蛋壳为原料,通过煅烧法合成了碳羟基磷灰石。采用红外光谱法对其结构进行了表征。利用碳羟基磷灰石吸附模拟废水中的Ni2+,考察Ni2+初始浓度、pH值、吸附时间、吸附剂用量以及温度等因素对吸附效果的影响。结果表明:当废水中Ni2+初始浓度为30mg/L、pH=7、吸附时间为10min、吸附剂用量为0.08g、温度为35℃时,羟基磷灰石对Ni2+去除率接近100%。  相似文献   

11.
对各组ADC12铝合金试样进行退火处理,采用金相显微分析、硬度测试、拉伸性能测试等实验方法研究退火处理对ADC12铝合金组织与性能的影响。研究结果表明:ADC12铝合金在400℃退火后硬度不够,450℃退火后硬度变化不大,但塑性好,试样在500℃温度下进行退火硬度最高,达到24HRA,550℃退火后硬度下降,A12Cu相变大,会使合金不耐腐蚀,所以在500℃~550℃之间对铸件进行退火处理,ADC12铝合金综合力学性能得到有效改善。  相似文献   

12.
本文研究了退火工艺对3102铝箔耐蚀性能的影响,结果表明:退火过程中,铝箔的抗拉强度明显下降;并且在退火条件下3102铝箔的自腐蚀电位发生明显的负移。随着退火温度升高,铝箔发生再结晶过程,3102铝箔的再结晶起始温度为350℃,再结晶终了温度为400℃。再结晶过程中,铝箔中的合金元素发生迁移和富集,导致铝箔的耐蚀性下降。  相似文献   

13.
用多弧离子镀在镍基高温合金K417G上制备了NiCoCrAlY涂层,对涂层进行了1050℃真空退火4小时、粉末包覆渗铝、1100℃下预氧化1小时等后续预处理:研究了涂层在1000℃下的高温氧化行为结果表明:真空退火处理使涂层组织更致密,涂层形成β+α+γ/γ′多相平衡组织,轻微降低了涂层退化倾向;  相似文献   

14.
正专家简介:谢自力,南京大学电子科学与工程学院教授,南京南大光电工程研究院有限公司总经理。主要从事氮化物半导体材料MOCVD生长、器件结构设计、GaN基紫外光电探测器和太阳电池的结构设计与器件研发工作。"九五"期间,曾任原"863"计划半导体材料领域GaAs单晶材料评审专家。在InN材料、GaN基紫外探测器、InGaN太阳能电池研究以及氮化物发光二极管研究等领域分别取得了国际先进水平的研究成果。  相似文献   

15.
李炳虎 《内江科技》2009,30(2):98-98
激光多普勒测速以其高精度、动态响应快而在速度测试领域得到广泛应用。该测速系统需要对两个半导体激光器进行温度控制。使得两个半导体激光器的温度恒定,对LD温度控制采用模糊PID控制算法。对半导体激光器采用模糊PID控制策略与传统PID控制器相比,反应速度更快,控制效果更好。  相似文献   

16.
沈锴 《大众科技》2010,(7):104-105
通过真空热氧化法氧化用电子束蒸发技术沉积于GaN衬底表面的Cu薄膜,制备出了单一相外延的Cu2O薄膜。接着对样品在不同的温度下(400℃到800℃)进行真空热退火处理,详细分析讨论了对薄膜所造成的影响。在低于700 oC的温度下退火,薄膜表面的均方根表面粗造度和禁带宽度都基本保持稳定。而X射线研究揭示了Cu2O薄膜保持着先前沉积的Cu薄膜与GaN衬底之间的外延关系。  相似文献   

17.
屈婧 《科技风》2013,(4):20
本文以5A02铝合金板材为研究对象,采用退火实验的方法,从退火温度和退火时间两个指标来研究热处理工艺对铝合金板材性能的影响。随退火温度的升高和保温时间延长,5A02铝合金板材的抗拉强度、屈服强度变化不明显,下降幅度较小;而伸长率却大幅提高、硬化指数逐渐增大,有利于提高材料的成形极限。在380℃退火,保温90min时,材料的硬化指数较大,且此时屈强比相对较小,有利于板材的塑性变形。  相似文献   

18.
稀磁半导体的研究对于自旋电子学器件的研发与应用具有极其重要的意义。宽带隙ZnO基稀磁半导体因其具有独特的光电性能而备受青睐,尤其是在Ditle等人预言p型ZnO基稀磁半导体具有室温铁磁性之后,从而引起了人们的关注。虽然许多科研人员在ZnO基稀磁半导体材料的研究方面取得了丰硕的成果,但迄今为止所报导的结果大相径庭,仍然还有很多问题存在争议,尤其在磁性方面。常规的稀磁半导体制备方法,如磁控溅射和脉冲激光沉积技术等,均需要很高的生长温度,高生长温度容易催生颗粒在薄膜中的形成,但其低温下制备也难以保证薄膜的质量。运用等离子体增强化学气相沉积法制备稀磁半导体薄膜,具有无法比拟的优越性,对稀磁半导体的研究具有非常重要的学术意义和实用价值。  相似文献   

19.
对不同水质环境下花卉水生诱变适宜催根温度的特征进行分析具有重要的应用价值和发展前景。在不同水质环境下对花卉水生诱变适宜催根温度的特征进行了实验分析,实验结果标明,温度分别为25℃、30℃、35℃时,激素浓度分别是0、1000、2000 ppm,此时可达到催根根数快速生长的目的,并且还发现花卉水生诱变催根适宜的温度在28℃~32℃,催根时间为10 d左右,相对于23℃~27℃和33℃~37℃,花卉的存活情况更好。  相似文献   

20.
犁铲作为田间农业机械关键触土部件,在耕作过程中与土壤相互作用,极易磨损,从而影响作业质量和效率。为解决深松犁铲耐磨性差、失效频繁的问题,文中利用氧-乙炔火焰喷焊技术在65Mn钢基体上制备了镍基碳化钨复合喷焊层,研究了Ni60和不同质量分数WC的复合粉末在预热温度500℃、乙炔流量1000L/h-1、喷焊距离25mm等喷焊参数一定下对喷焊层耐磨性的影响。利用金相显微镜、显微硬度计、往复型磨粒磨损试验机对喷焊层的显微组织结构、显微硬度和耐磨性进行了试验。试验结果表明:在一定范围内随着Ni60复合粉末中WC质量分数的提高,涂层的硬度和耐磨性能增强。  相似文献   

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