海森伯格XXZ模型在DM作用下的负值度

利用负值度研究在外加磁场和DM相互作用下两量子比特海森伯格XXZ模型的热纠缠,仔细讨论了温度、磁场和DM系数对纠缠程度的影响。在临界温度以上纠缠消失,小于临界温度时,负值度随DM系数的增加而增大,在系数D一定时,负值度随外加磁场的增加而减少,存在一个临界磁场。     

一维XXZ环形自旋链中的量子关联

研究了系统尺度L=8的一维XXZ环形自旋链中的两体和多体量子纠缠以及两体量子失协,在这个过程中,充分考虑了温度和粒子间隔对纠缠和量子失谐的影响.结果发现,同种情况下,三体和四体纠缠比两体的更加“强壮”,且在低温条件下,利用多体纠缠可以探测到系统发生量子相变的临界点.与纠缠相比,量子失谐可以在较高温度下存在,且在相变点处总是表现出尖峰行为,这使得量子失谐在探测相变点方面更具优越性.     

海森伯格XY模型的负值度

利用一种通用量子纠缠度——负值度（Negativity）,研究热平衡时在外加磁场（沿z轴）下两量子比特海森伯格XY模型的热纠缠．当各向异性系数γ足够大时,出现纠缠复苏现象,而且对于一有限温度,可以调节外加磁场来产生纠缠．而对各向同性,当温度比临界温度高时,负值度为零,与外加磁场无关．     

抛物量子点中束缚极化子的性质

利用两种不同的理论方法对抛物量子点中束缚极化子的性质进行了研究．首先是从抛物量子点中电子一声子体系的哈密顿量出发,用线性组合算符方法和幺正变换方法研究了外界温度、库仑势、量子点受限长度、耦合强度对抛物量子点中强、弱耦合束缚极化子的基态能量、振动频率及声子平均数的影响,接下来是从处于稳定的磁场抛物量子点中电子一声子体系的哈密顿量出发,用线性组合算符方法和幺正变换方法研究了声子之间的相互作用、量子点受限长度、耦合强度和外磁场对弱耦合束缚磁极化子的基态能量及声子之间的相互作用对基态能量贡献的依赖因素。     

抛物量子点中束缚极化子的性质

利用两种不同的理论方法对抛物量子点中束缚极化子的性质进行了研究.首先是从抛物量子点中电子-声子体系的哈密顿量出发,用线性组合算符方法和幺正变换方法研究了外界温度、库仑势、量子点受限长度、耦合强度对抛物量子点中强、弱耦合束缚极化子的基态能量、振动频率及声子平均数的影响.接下来是从处于稳定的磁场抛物量子点中电子-声子体系的哈密顿量出发,用线性组合算符方法和幺正变换方法研究了声子之间的相互作用、量子点受限长度、耦合强度和外磁场对弱耦合束缚磁极化子的基态能量及声子之间的相互作用对基态能量贡献的依赖因素.     

海森堡模型中的量子纠缠

量子纠缠是量子信息处理的重要资源,海森堡模型是一种简单的能够在固态系统中实现的模型,研究海森堡模型中的纠缠将极大地推动固态量子计算机的发展。本文简单介绍了海森堡模型,外磁场和Dzyaloshinskii-Moriya（DM）相互作用参量对系统纠缠的影响,以及现阶段的研究进展。此外,文章还进一步提出了在该领域的研究中需要解决的一些问题。     

均匀磁场下含DM作用海森堡模型热纠缠传态

研究了在外加均匀磁场下,含有D-M相互作用的两量子比特海森堡XXZ模型的热纠缠及隐形传态;通过计算得出模型的纠缠度和输出态的纠缠度以及传态的保真度,分析了D-M相互作用常数、温度、磁场、自旋耦合常数、各向异性参数对纠缠度和保真度的影响.     

载流子热迁移对多量子阱发光性质的影响

采用多量子阱载流子动力学模型,研究载流子热迁移对多量子阱发光性质的影响。随着温度的升高,多量子阱中的载流子被热激发到势垒层中,一部分载流子会被基态能量更低的量子阱再俘获,即载流子在不同的量子阱之间发生了热迁移。研究表明:在不同温度下,量子阱发光强度比依赖于量子阱的激活能;发光强度比的峰值温度主要由深量子阱的激活能决定;峰值大小则取决于两阱的激活能之差。     

基于半导体量子点的量子计算的物理实现

利用半导体量子点导带中电子的自旋作为量子信息的载体,设计了量子计算的方案,该方案不需要利用量子位之间的相互作用,所有的操作只是单量子位的操作。     

用量子理论分析均匀磁场中带电粒子的运动

该文采用量子理论分析均匀的外磁场中带电粒子的运动情况,及相应概率流密度的计算.对于存在于原子系统的电子,由于磁矩的存在与磁场相互作用,能级发生分裂.自由运动的带电粒子,当处于均匀磁场中时,通过多种情况分析发现在垂直磁场矢势的平面内粒子做自由运动,在一固定点出现了粒子流恒定的现象,而平行矢势方向做简谐振动,粒子流恒为零.     

x型态两量子比特的量子谐错与共生纠缠度比照

研究了一个x型态两量子比特由量子谐错测定的量子关联动力学特性的解析解和数值解,并与纠缠进行比照,指出了共生纠缠度与量子谐错间的差别,得到共生纠缠度出现纠缠突然死亡（ESD）处量子谐错不会．也指出了对于所研究的模型,用量子谐错量度量子关联比用共生纠缠度更具鲁棒性．进一步说明了量子谐错也反映了量子关联在系统AB和ah间的转移．     

磁场对类氢杂质InAs量子环的能级的影响

利用B样条技术计算强磁场中InAs量子环的能级和量子尺寸效应．计算结果表明：磁场对量子环的能级曲线Enr,mt--r0影响剧烈;当量子环较大时,随着磁场强度B的增大,能级曲线快速上升,对应不同角动量的简并消失．能量曲线的极小值位置r∞随着B的增加而减小,随着mt增大而增大．能级随着谐振子势wh的增大而增大．不同能级曲线Enr,mt——wh出现交叉现象．当量子环较大时,E即％——B曲线．随磁场B增加线性上升,不同能级出现交叉现象．     

含有DM相互作用的混合XXZ模型的临界性质

利用平均场近似的方法,研究了立方晶格上具有DM相互作用的混合XXZ模型的相变和临界性质.在Ising极限下,在不同的DM相互作用参量D下做出了系统的自发磁化强度m随约化温度T=1/K的变化,得到了系统的临界温度,分析了DM相互作用对系统临界温度的影响;在不同的各向异性参数△下作出了系统二级相变线,结果表明混合自旋XXZ系统只存在二级相变,系统没有出现三临界点.     

四端量子波导中电子的输运几率

量子波导理论研究不仅是对基础物理而且对量子器件研究具有重要意义,我们采用模匹配方法,研究了非均匀磁场下开放的四端量子波导中的电子输运性质。结果表明,从一端入射的电子可以透射到两个与之垂直的输出端和一个与之平行的输出端。在没有外加磁场的情况下,两个垂直输出端的输运几率是相同的,但垂直端与水平端的输运几率不同;在外加磁场下,由于磁边缘态效应,两个垂直输出的输运几率也有着相当大的差别。     

磁量子结构中电子自旋极化输运性质的研究

研究了双磁垒量子结构中,磁场强度和偏压大小对电子自旋极化输运的影响。结果表明:零偏压下,电子在反平行等强磁垒结构中输运不会产生自旋极化;电子传输的阈值能量随磁场强度或偏置电压的增大而增大;在一定的磁场强度和偏压大小下,比较由半导体InAs和GaAs两类材料构成的量子结构中电子输运自旋极化度,发现它们的电子输运自旋极化度都随入射能量的增大而呈振荡衰减趋势,朗德有效因子高的InAs材料比GaAs的自旋极化度高出一个数量级。     

量子计算机研究进展

从量子力学的基本原理出发,论述了量子力学的基本概念,简要介绍了目前实现量子计算机的几种物理方法,包括离子阱、腔量子电动力学、核磁共振、量子点等,以及当前该研究领域的研究进展。     

GaAs量子环中类氢杂质能量的研究

利用B样条技术研究GaAs量子环中类氢杂质能量的量子尺寸效应.对计算结果比较看到：无磁场情况,对于｜m｜=0,r0〈75 nm,抛物禁闭关联势可以近似作为微扰项来处理;对于｜m｜≥0,r0〈60 nm,不可以采用微扰法.当r0〉90 nm时,库仑势可以近似作为微扰项来处理,但误差很大.当磁场B增加时,类氢杂质能量的量子尺寸效应出现明显变化,当r0〉90 nm时,量子环中类氢杂质能量快速上升.