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相似文献
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1.
王伟  杨显清 《大众科技》2012,14(3):47-49
文章首先分析了低噪声放大器电路噪声系数,稳定性以及功率增益,然后设计了一个1.8GHz~2.2GHz的两级低噪声放大器(LNA)。版图联合仿真结果表明,该放大器的噪声系数小于0.7dB,功率增益大于20dB,输入驻波比小于1.5,输出驻波比小于2。根据一般工艺要求与版图联合仿真,做出实际电路板。  相似文献   

2.
大功率速调管高功放运行于高压环境,组成复杂需要冷却散热。由于其输出功率高并且调试困难,为了方便操作,避免高电压、高功率误操作造成人身伤害,专门开发了大功率速调管高功放监控软件,对整个速调系统进行监控管理。所设计的软件采用了模块化方法,实现了对速调管高功放的工作参数监视、设置功率等功能,进行了设置功率稳定性拷机测试。实验结果表明,该软件运行可靠,操作简便,输出功率稳定性高,满足了速调管高功放监控的设计要求。  相似文献   

3.
根据回旋管的线性理论和自洽非线性理论设计了工作频率为460GHz,工作电压为40KV,工作电流为6A,且在二次谐波模式下工作的THz回旋管振荡器。通过对回旋管中谐振腔结构的设计,起振电流的计算,以及驻波互作用的分析,并对二次谐波模式特性,最佳模式的选取和工作参数的优化等问题的分析,设计得到回旋管平均输出功率为29KW,互作用效率为12.2%。  相似文献   

4.
《科技风》2019,(9)
介绍了一种具有高输出功率的功率放大器,设计利用的是两路伪差分电路结构,每一条支路都由两级电路构成,第一级电路为驱动级电路,第二级电路为功率级电路。电路的匹配网络由传输线和电容构成,以保证信号能够高效率地传输。用威尔金森功分器将两支路结合在一起,通过调试功率分配器使整体电路到达最优化。功率放大器属于AB类放大器,采用0.13um Si Ge Bi CMOS工艺,在中心频率30GHz时得到整体电路后仿真结果:输出1dB压缩点OP1dB=22.91dBm,功率增益GP=25.52dB。  相似文献   

5.
在射频集成电路的设计中,经常会应用到一种射频开关,帮助射频信号能够到达不同的支路当中。而且,随着电子对抗领域技术的发展,对于超宽带射频开关的需求日益增强。但目前我国市面上的宽带开关,其芯片大都是进口货,功率容量较小,插入损耗宽带平坦度较差,在大功率工作的状态下,无法保证良好的损耗,因此无法满足大功率射频开关的需求。文章就针对这一问题进行了研究,研制出一种新型的宽带大功率单刀双掷开关,而且本设计采用了国产芯片,实现了元器件的自主可控。且本设计的产品在6GHz~18GHz内小信号下插入的损耗低于1.3dB,施加连续波功率10W时,插入损耗低于1.5dB,具有良好的应用前景。  相似文献   

6.
王健 《中国科技纵横》2010,(5):18-18,14
本文讨论了一种低噪声放大器输入匹配设计结构,能够在低功耗约束的条件下实现最佳噪声和最大功率传输的同时匹配。本文基于0.35μmSiGeCMOS工艺采用该方法设计了一个1.5GHz的低噪声放大器,仿真结果表明在工作频率点噪声系数为0.39dB.增益为1456dB,输入输出匹配状态良好,工作电压为3.3V时,功耗为17.9mW。  相似文献   

7.
多注速调管是一种大功率微波器件,它是由单注速调管发展而来的,运用了多电子注技术。在相同功率的情况下,多注速调管和单注速调管相比,具有工作频带宽、电压低、重量轻、体积小、效率高、增益高的优势,广泛应用于雷达、粒子加速器、微波武器、航空探测、广播电台等领域。作为这些大功率微波发射设备之中的关键性器件,它的维护与保养至关重要。本文则是针对速调管在日常使用中可能出现的一些问题,提出了几点注意事项和解决方法。  相似文献   

8.
本文介绍了一种超宽带低噪声放大器的仿真设计,采用负反馈技术提高了工作带宽并增强了放大器的稳定性。通过ADS软件的仿真优化提高了设计效率,并进行了原理图-版图协同仿真验证。实验测试该超宽带低噪声放大器在0.1GHz~1.5GHz的带宽内增益大于30dB,增益起伏小于±1.8dB,噪声系数小于1dB,P1dB大于15dBm。  相似文献   

9.
2.0~4.0GHz低噪声放大器的设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了S波段低噪声放大器(LNA)的设计原理和流程,并分析级联放大器的S参数,详细分析通过优化元件参数,获得了一种在2.0~4.0GHz范围内具有低输入回波损耗、低噪声系数的放大器。结果表明:在2.0~4.0GHz的范围内,该宽带低噪声放大器输入输出驻波比小于1.9,增益G〉20dB,带内增益波动小于±0.5dB,噪声系数〈1dB。  相似文献   

10.
陈琛  喻胜 《大众科技》2011,(10):17-21
输出窗是高功率回旋管的关键部件之一。它的好坏直接影响回旋管的性能,甚至整管研制的成败。如果窗片的反射升高,在高功率情况下返回到高频系统的功率将显著上升,引起在高频系统中自激振荡,从而降低回旋管的高频输出功率和模式纯度,乃至于使回旋管不能正常稳定工作。由于窗片介质损耗因子的存在,当微波通过输出窗时会在窗片中产生高频介质损...  相似文献   

11.
严兰芳 《大众科技》2010,(2):22-23,29
文章介绍了使用Agilent公司的微波电路CAD软件ADS进行仿真和优化设计C波段的低噪声放大器的过程,该LNA达到了预定的技术指标,性能良好。该LNA工作在4.7~6.7GHz范围内,噪声系数≤1dB,带内增益达到26dB,带内增益平坦度△G≤1dB。  相似文献   

12.
介绍了一种具有高线性度非对称式单刀双掷开关,本电路在传统对称式电路结构的基础上进行优化,对称式结构的其中一条支路上增加可变阻抗模块,这种非对称式结构可以满足开关在发射模式下对高功率处理容量的要求。该非对称式工作在15GHz时,在发射模式下,插入损耗为1.9dB,隔离度为18dB,输入1dB压缩点为26dBm,回波损耗S11、S22分别为-21dB和-18dB;在接收模式下,插入损耗为1.4dB,隔离度为21dB,输出1dB压缩点为7.6dBm,回波损耗S11、S22分别为-28 d B和-18dB。  相似文献   

13.
《科技风》2020,(20)
本文采用芳纶纸蜂窝芯材浸渍吸波浆料方式制备了一系列均匀吸波蜂窝材料,并采用遗传算法优化设计均匀蜂窝堆叠方式,同时利用CST电磁仿真软件验证优化结果,最后实验制备出具有良好宽带吸收性能的多层吸波蜂窝材料,其四层结构在2.8~18GHz频率范围内达到-10dB吸收性能,在7~18GHz频率范围内能达到-15dB吸收性能;五层结构在3.2~18GHz频率范围内达到-10dB吸收性能,在7~18GHz频率范围内能达到-15dB吸收性能。本文设计制备的多层吸波蜂窝材料具有结构简单,制备容易,易于大规模生产等特点,具有广阔的应用前景。  相似文献   

14.
利用Aglient-ADS软件,仿真和设计出用EBG结构代替3dBWilkinson功分器A/4部分,使其在频率f=2.4GHz时特性阻抗为70.7Ω,相移为90°,不断在原理图中对整体结构进行调试、优化,使得在该中心频率下回波损耗小于-30dB,很好的实现了功率二等分。制作实物通过测量,发现和仿真结果有很好的一致性,从而验证了此EBG结构应用于二等分功分器的可行性。  相似文献   

15.
文章介绍了两款采用硅基工艺和SIW结构的带通滤波器。滤波器结构采用高阻硅作为衬底材料,通过金属通孔阵列形成微波滤波器谐振腔,输入输出采用共面波导-微带转换结构,易于外部集成,通过探针台可以进行快速测试;同时该滤波器尺寸较小而且易于加工。将第一款滤波器的模型在HFSS上进行了仿真分析得到结果,第二款滤波器在第一款的基础上增加阶数以提升滤波器的带外抑制性能。仿真数据说明,不同尺寸的两款滤波器的通带频率均是55 GHz~60GHz,插入损耗分别是1.7dB和2.1dB,驻波比低于1.1,在50GHz带外抑制分别达到31dB和62dB。  相似文献   

16.
X波段宽带低噪声放大器设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍与实现了一种X波段宽带低噪声放大器(LNA)。该放大器选用NEC公司的低噪声放大管NE3210S01(HJFET),采用微带分支线匹配结构和两级级联的方式。利用ADS软件进行设计、优化和仿真。最后研制的放大器在10-13GHz范围内增益为(21.5±1)dB,噪声系数小于2 dB,驻波比小于1.8。  相似文献   

17.
孙毅  王彦 《大众科技》2021,23(1):36-39
针对目前市面上大多数低通滤波器的截止频率低、难以满足毫米波频段的需求这一问题,设计了一款基于ADS的微带线低通滤波器.在微带线中根据高低阻滤波器原理,采用ADS对微带低通滤波器进行设计和优化仿真.仿真结果表明,所设计的低通滤波器通带内回波损耗小于-20 dB,插入损耗大于-1.3 dB,阻带(50 GHz~100 GHz)内插入损耗小于-20 dB,尺寸为2.5 mm×2.33 mm×0.508 mm.具有体积小、便于集成等特点,对毫米波频段的滤波器设计具有一定的借鉴价值.  相似文献   

18.
西门子公司 KD-2型医用直线加速器能产生6档高能电子射线和两档 X 射线,可准确有效地杀伤任何深度组织的肿瘤细胞,实为肿瘤的克星,患者的福音。为减少故障停机时间和维护费用,发挥大型现代医疗设备的经济和社会效益,现介绍两点具体做法。一、正确训练速调管速调管在加速器中是产生电磁微波用以加速电子的关键电子元器件,其工作状态如何对加速器有直接的影响。速调管使用寿命短(一般两年左右更换一  相似文献   

19.
李良 《大众科技》2010,(10):46-47,45
采用E-PHEMT晶体管(ATF54143)设计了一个S波段的低噪声放大器。依据放大器的各项指标对电路进行了设计、优化,最后通过S参数及谐波仿真分析得到了放大器的各项性能参数。结果表明设计的低噪声放大器完全符合性能指标,其功率增益可达15dB,噪声系数在0.7dB以下,带内平坦度小于0.5dB,输入/输出驻波比小于1.5dB,1dB压缩点输出功率大于16dBm。  相似文献   

20.
本文提出一种在高阻抗线上加载开路存根实现超宽带滤波的方案。该滤波器采用多模谐振(MMR)的方式,MMR是由加载的三个存根循环分流到一个高阻抗的微带线实现的,用叉指结构来耦合能量。采用FR4介质板的相对介电常数为10.8,介质板厚度为0.635mm。利用软件CST对设计方案进行验证与优化,得到通带范围为3.1-10.6GHz,带内插入损耗大于-0.5dB,回波损耗小于-15dB,上阻带宽度为14-26GHz。  相似文献   

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