有机光电材料载流子迁移率的研究方法与技术

测量有机光电材料的载流子迁移率,有助于了解载流子在有机光电器件中的传递机制。通过对几种有机光电材料载流子迁移率的测试方法详细的阐述与对比分析,深入理解各种测试技术的原理,有助于学生掌握各种测试技术的实验方法,总结出各种测试技术的优劣及适用性,对研究载流子在有机光电材料中的传输特性及有机光电器件的性能具有重要意义。     

非晶态半导体载流子的漂移迁移率

在分析非晶态半导体的电导时应考虑以下两个特点：第一,晶态半导体的导电主要靠导带中的电子或价带中的空穴;而在非晶态半导体中存在着扩展态、尾部定域态、禁带中的缺陷定域态等,这些状态中的电子或空穴都可能对电导有贡献,因此需要同时进行分析;第二,晶态半导体中的费米能级通常是随着温度变化而变化的,而非晶态半导体中的费米能级通常是“钉札”在禁带之中,基本不随温度变化而变化.下面,我们通过理论分析和实验测量来研究非晶态半导体定域态的载流子的漂移迁移率.     

变温条件下半导体霍尔系数及载流子浓度的测量

利用简单的加热装置改装HL—IV型霍尔效应实验仪,利用改装后实验仪器测量不同温度条件下的半导体霍尔系数及其载流子浓度。     

变温条件下半导体霍尔系数及载流子浓度的测量

利用简单的加热装置改装HL—IV型霍尔效应实验仪,利用改装后实验仪器测量不同温度条件下的半导体霍尔系数及其载流子浓度。     

自制低温电阻测量系统的分析研究

自制低温电阻测量系统,用该系统成功地测量样品电阻率随温度变化的特性,实验中设了一个包括制冷、测温、控温、测电阻率在内的冷头,准确地用四端引线法测量了样品的电阻率;对所测样品的峰值温度 下的部分用载流子的可变程跃迁和热激活两种模式拟合处理,结果表明,载流子迁移遵从可变程跃迁导电模式而不是热激活菜式。     

反应磁控溅射Cu2 O薄膜的结构和电学性质

用X射线衍射仪检测薄膜的结构;用分光光度计测量薄膜的透射率和反射率,采用拟合正入射透射谱数据的方法计算薄膜的厚度;用Van der Pauw方法测量薄膜表面电阻和霍尔迁移率,并计算出电阻率和载流子浓度.结果表明,生成单相Cu2O薄膜的氧气流量范围很小,在氧气流量为5-7sccm范围,薄膜主要成分为Cu2O,其中氧氩流量比为6∶25时,生成单相多晶结构的Cu2O薄膜,其表面电阻0.68MΩ/□,电阻率58.29Ω.cm,霍尔迁移率4.73cm2·V-1·s-1,载流子浓度3×1016cm-3.     

有机-无机钙钛矿作为有源层的薄膜晶体管制备

利用有机-无机杂化钙钛矿材料兼有机材料的易加工性和无机半导体优异的载流子迁移率的特点,采用有机-无机杂化MAPbI_3材料制备薄膜晶体管的有源层。利用两步旋涂法,通过控制MAI溶液的浓度定量化控制成膜,制备薄膜晶体管有源层。由该层组成的有机-无机杂化MAPbI_3钙钛矿型的薄膜晶体管具有明显的电场效应,场效应迁移率可达到0.97 cm~2/(V·s),工艺简单、加工温度低,而且适用于柔性显示。     

光照射对半导体导电性影响的研究

处于热平衡状态的半导体,温度处处一致,在一定温度下,载流子的浓度是一定的,热平衡态下的载流子称为平衡截流子．其中电子的浓度用no表示,空穴的浓度用po表承当半导体失去热平衡;处于非平衡态时,半导体内载流于的浓度有n＞no。,p＞po,且分别为n=no十△n,p=po十△p我们把“过剩”的载流子△n和△p称为非平衡载流子．如果以均匀光照射半无限的N型半导体表面,并且半导体对光有较强的吸收作用,那么表面极薄的一层范围内产生非平衡载流子,形成表面与体内载流子的差异．非平衡的少于空穴将向体内扩散．若以垂直于表面方向为x轴的正…     

压电半导体杆中的机械场、电场与载流子分布研究（英文）

目的:导出两端自由压电半导体杆在自平衡状态下内部的位移、电场和载流子的解析表达式,研究它们在杆内的分布规律。方法:从三维压电半导体基本方程出发,以n-型半导体为例,导出考虑拉伸变形模式的一维模型方程。由平衡方程和电学高斯方程和平衡态下杆内电流为零的条件得到以电场为未知函数一阶非线性偏微分方程,再利用两端自由的边界条件解出位移、电场和载流子的分布函数。结论:压电半导体杆内位移、载流子和电势关于杆的几何中心对称分布,电场、应变则关于中心呈反对称分布形式;它们在半导体两端部的区域变化比在中心区域的变化剧烈。此外,半导体杆两端部的载流子浓度、位移和电场显著依赖于端部的初始载流子浓度。     

电工学自学检查题(三)——电子技术部分

一、填空题:真,工作点设置过低将引起 失真,设置在交 1.半导体中有两种载流子,一是、,流负载线的中央时将、失真。 二是。厂型半导体的多数载流子是10.分压式偏置电路稳定工作点的物理过。。,少数载流子是、。P型半导体的多 程是。 数载流子是,少数载流子是。 2.PN结是由于多数载流子的 运动与11。把放大电路的输出量回送到放大电路 少数载流子的、运动,处于动态平衡而形成 的输入回路,这个过程叫。设输出量为厂,’ 的。当它与输入端电压厂;反相时,这种过程叫。 3.当*N结加正向电压时,*N结。,如它与输入端电压厂;同相时,这种过程叫 当PN…     

单层单极聚合物发光器件中的输运性质

假设载流子浓度按指数关系变化,认为注入电流为热电子电流和隧穿电流,通过引入电荷空间分布特征长度和有效迁移率,讨论了单层单极聚合物发光器件内部的输运性质.结果表明:(1)电荷空间分布特征长度对器件中的电场强度,电流有很大影响;(2)载流子迁移率在注入电极附近减小,而在另一电极附近增加.本文对这些现象给予了解释.     

HoBi的多重磁相变及磁输运研究

通过自助溶剂法制备HoBi单晶样品,详细研究其磁性、磁输运性质,发现该材料具有复杂的磁化行为和极大的磁电阻.和一般的半金属不同的是:HoBi的磁电阻在磁相变过程中偏离二次方关系,表明磁有序相影响磁电阻的形成.此外,还发现载流子补偿及超高的迁移率是极大磁电阻产生的原因.     

单一杂质半导体中杂质电离状态判定

利用电中性条件,通过分析不同温度下杂质浓度和少子浓度的相对关系以及杂质未电离比率,讨论了如何判定具有单一杂质的半导体中杂质的电离状态并计算相应状态下的载流子浓度;通过判定少子浓度是远低于还是远高于杂质浓度,或是与杂质浓度相当,可有效区分饱和电离区、过渡区以及本征电离区并得到有效的载流子浓度计算公式;通过计算未电离杂质的比率可有效判定杂质半导体是处于低温弱电离区、中间电离区或饱和电离区,并得到其载流子浓度计算公式;最后通过实例说明判定方法的应用并计算相应的载流子浓度。     

冷热探针测半导体导电类型实验研究

制作并改进了传统的冷热探针测半导体导电类型的实验装置,即使传统冷热探针由原来固定的温度差改进为数值可变的量,作出p、n型硅半导体样品的温差电动势随冷热探针温度差的变化关系,进而测出了样品的导电类型,并且发现温差小于120℃时温差电动势与温差成正比,对上述结果做了理论分析。最后,提出了一种测半导体掺杂浓度的实验测量方法。该测量半导体掺杂浓度的方法与其他测量方法相比计算简单,实验装置造价低廉。     

电解质溶液、气体导电的原理及电流的计算

金属导体导电是依靠自由电子作为载流子导电;半导体材料导电是依靠电子-空穴对作为载流子导电;液体导电是依靠液体中电离的离子作为载流子进行导电（汞除外）;电解质溶液里电解质电离出阳离子和阴离子,在给它加上电压后,阳离子和阴离子就会在电场力的作用下定向移动形成电流,这就是电解液导电。     

西安交大研究人员在热电材料方面取得进展

近日,西安交通大学金属材料强度国家重点实验室肖钰特聘研究员与北航赵立东教授合作,通过能带锐化、动态掺杂以及半共格界面设计,实现了n型PbSe基热电材料中电子和声子的解耦传输,大幅提升其热电性能。首先,SnS固溶使PbSe的导带形状锐化,降低载流子有效质量,有利于在低温区获得高的电传输性能;其次,通过Cu间隙原子掺杂,在全温区动态优化载流子浓度,获得高的功率因子;最后,大量的SnS第二相固溶在PbSe基体中形成半共格界面,在保持高的载流子迁移率的同时增强声子散射,降低晶格热导率。     

纯铁膜的阻温特性

采用直流磁控溅射的方法 ,制备了一系列不同厚度的纯铁膜 ,并测量了它们的阻温 (R -T)特性。研究表明 ,样品的R -T特性与镀膜时间 ,即膜的厚度有关。在同一系列中 ,随样品厚度的增加 ,R -T关系呈现出由半导体特性向金属性渡越的特征     

Co掺杂ZnO基稀磁半导体材料磁性研究进展

ZnO基稀磁半导体是目前研究的热门课题,其中关于Co掺杂ZnO的磁性研究有很多报道。本文对不同方法及条件制备的Co掺杂ZnO基稀磁半导体的磁性和相应机理进行了归纳总结,分析发现铁磁性可能源于载流子调制、晶格中的氧空位、杂质相、交换作用等。     

非晶态半导体的光吸收

光与非晶态半导体作用所产生的光吸收包括本征吸收、激子吸收、自由载流子吸收、声子吸收及杂质吸收等,由于吸收方式不同,它们分别发生在不同的光谱波段。     

提高TiO2改性技术研究进展

TiO2是当前最具应用潜力的一种光催化剂,但它仍然存在着不足,主要表现在光吸收波长狭窄,吸收波长阈值大都在紫外区,利用太阳光比例低,载流子复合率高,量子效率低,必须对其进行改性,增加它的光吸收波长范围,更好地利用太阳光,同时降低半导体载流子的复合率,提高其催化效率.