旋涂法制备ICF分解实验用薄膜靶

采用旋涂工艺,以K9玻璃为衬底,制备低表面粗糙度的惯性约束聚变(ICF)分解实验用的聚苯乙烯(CH)和聚氯乙烯(PVC)平面薄膜靶,对它们的厚度、宽度和表面光洁度等靶参数进行测量.结果表明,CH和PVC平面薄膜靶的厚度分别为18μm和6μm,对应的宽度分别为200μm和300μm.CH和PVC平面薄膜靶都具有较好的表面光洁度,它们平均粗糙度Ra的最大值分别3.7 nm和4.5 nm,TIR表面最高点与最低点差值TIR的最大值分别58.4 nm和56.8 nm.     

CoSiN薄膜的制备

文章采用磁控溅射的方法在n型硅基底上制备了CoN和SiN薄膜,再用薄膜测厚仪和四探针测试仪(EPP)测出样品的厚度及方块电阻,得到制备CoN和SiN薄膜的优化条件,然后由CoN和SiN薄膜制备出CoSiN薄膜。     

CoSiN薄膜的制备

文章采用磁控溅射的方法在n型硅基底上制备了CoN和SiN薄膜,再用薄膜测厚仪和四探针测试仪(EPP)测出样品的厚度及方块电阻,得到制备CoN和SiN薄膜的优化条件,然后由CoN和SiN薄膜制备出CoSiN薄膜.     

有机电致发光薄膜的制备与测试

用喔星铝作发光层、铝作负电极,镀制了有机电致发光薄膜器件,测量了其特性曲线,定性分析了发光原因,总结了材料的物性.     

聚酰亚胺复合膜的制备及富氧性能的研究

以均苯四甲酸酐和4,4-二氨基二苯醚为反应单体,首先通过溶液缩聚法制得前驱体聚酰胺酸,再以超声震荡法与分子筛共混,最后经热亚胺化处理得到聚酰亚胺复合膜.结果表明,分子筛添加量为3％时,复合膜富氧浓度可达33.9％.     

溶胶-凝胶法制备SiO2/TiO2多层膜工艺研究

采用溶胶-凝胶工艺，使用旋涂方法在单晶硅片、石英玻璃和K9玻璃上制备SiO2／TiO2系列多层膜。采用椭偏仪、透射电镜等对所制得的多层膜的性能进行了研究。结果表明实验条件对SiO2／TiO2多层膜的制备非常重要。通过对实验条件的改善与优化，可以镀制出性能优良的SiO2／TiO2多层膜，以用于微型谐振腔、滤光片、一维光子晶体和传统的光学高反膜的研究。     

基于椭圆偏振法的薄膜厚度测量

选用Si3N4薄膜和ZrO薄膜两种光学材料作为测试对象以研究椭圆偏振法测量薄膜厚度的精度。实验结果表明,椭圆偏振法的精度较高,但对于数量级在几十个nm的光学薄膜,误差相对较大。该实验为进一步调试和改进测试平台,对单一材料多层膜和不同材料多层膜等更加复杂的膜系进行研究提供了参考。     

迈克尔逊干涉仪测量薄膜的折射率与厚度

用迈克尔逊干涉仪测量薄膜折射率与厚度的方法,原理简单．通过测出动镜的移动量及观察相应的干涉条纹变化现象,就能计算薄膜的厚度,有较高的测量精度．并基于此装置进行实际测量,理论和实际相符的较好．     

磁控溅射制备MoS_2/C复合薄膜及其结构表征

采用单靶与双靶磁控共溅射技术,在非晶态石英玻璃基底上分别沉积生长了MoS_2薄膜及MoS_2/C复合薄膜.利用X射线衍射、拉曼光谱检测技术对MoS_2薄膜和MoS_2/C复合薄膜材料的结构进行表征,探讨了退火处理前后薄膜结构的变化.结果表明,通过脉冲和射频双靶共溅射制备的MoS_2/C复合薄膜,碳原子对二硫化钼的空隙进行了填充,经过400℃真空退火20分钟,获得了结晶度较好的MoS_2/C复合薄膜材料.     

透明电极薄膜的制备及其电阻率测量普通物理实验

介绍了如何把“透明电极薄膜的制备及其电阻率测量”的实验引入到普通物理实验教学中,用简单的直流溅射镀膜仪制备不同厚度的金属氧化物透明电极薄膜(ZnO:A l薄膜),并用四探针测量了它们的电阻率。该实验是对已经在北京科技大学国家工科物理基础课程教学基地开设的大学生普通物理实验内容的新扩充[1]。     

有机电致发光薄膜的研制

根据Abeles法测量了喔星锌的折射率为 1.6 97;利用下涉极值法代替石英晶体振荡法进行监控 ,通过真空蒸发镀制了光学厚度 (nd)为 540nm的喔星锌有机电致发光薄膜 ,说明在真空蒸发下干涉极值法监控有机电致发光薄膜的膜厚是有效的 .     

柔性薄膜光栅数字化制作及光谱检测应用

建立了数字微镜(DMD)数字化制作系统,通过光栅数字掩模生成、曝光、显影、PDMS复制、PDMS固化,制作了PDMS柔性薄膜光栅。将该柔性薄膜光栅应用于光栅光谱仪原理系统中,先对系统进行定标,再测量待测光源波长,波长测量相对偏差为2.10%。为了评估光栅的制作质量,采用光栅光谱仪原理系统对光栅周期进行测量,相对偏差为2.15%;利用光学轮廓仪对光栅二维、三维形貌进行检测,光栅周期相对偏差为1.45%,光栅的整体轮廓光滑,均匀性较好。制作实验及测量结果表明,基于DMD的数字化制作技术为柔性微结构及器件的制作提供了一条简单、高效、低成本、高精度制作的新途径。     

HfGdO_X栅介质薄膜晶体管的制备及其反相器应用

采用无毒、环保的水溶液法,制备HfGdO_X薄膜(HGO)。通过XRD、UV、XPS、C-F和J-V等表征手段探索HGO薄膜最佳掺杂浓度和退火温度。以HGO薄膜为栅介质制备的铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO/HGO TFTs)饱和载流子迁移率(μ_(sat))达16.8 cm²v2v^(-1)s(-1)s^(-1),开关电流比达1.5×10(-1),开关电流比达1.5×10⁷。基于IGZO/HGO TFTs的电阻负载型反相器电压增益为9。结果表明,水溶液法制备的HGO高K薄膜在高分辨率平板显示器件和超大规模集成逻辑电路中具有潜在的应用前景。     

迈克尔逊干涉测薄膜厚度

利用迈克尔逊干涉原理测量薄膜厚度的方法,以测量PE保鲜膜和透明塑料膜为例,采用白光干涉产生的彩色条纹来精确测量薄膜的厚度,通过采集干涉产生的实验数据,计算出薄膜的厚度,这是一种实用有效的方法.此方法的测量范围为1μm～1cm,测量精度为0.1μmn.     

非晶合金拉应力流变测量实验装置的研制

为研究非晶合金在不同温度下结构的变化,研制了非晶合金拉应力流变测量实验装置。该装置主要由炉体、加热及温度控制系统和流变测量系统组成。将炉膛设计成对半打开的结构,加快了炉膛的散热、缩短了实验周期,测量连接杆选用导热系数和热膨胀系数均小的Invar合金,降低了测量连接杆对炉温影响,提高了测量精度。使用该装置,进行了Fe78Si9B13非晶合金条带拉应力流变测量实验,结合DSC实验结果,分析了Fe78Si9B13非晶合金条带的结构变化和流变性能。实验证明,该装置结构合理、简单实用,能较为准确地反映合金的流变变化。     

新型薄膜热电变换器的误差分析及其设计制作

交流电压(流)基准是国家交流电压(流)量值传递中的基准计量器具.首先分析新型薄膜热电变换器的热电转换误差,提出采用微桥谐振器非接触式测量加热电阻温度,属于新型薄膜热电变换器中加热电阻的高灵敏度温度检测方式、减小温度传感器与加热电阻之间的寄生电容、减小因热电效应、寄生电容和介质损耗引起的交直流转换误差,从而具有较高的测温灵敏度.其次研究新型薄膜热电变换器设计制作中的关键工艺,加热电阻辐射的热量使得微机械桥平均温度上升,轴向压应力增加(或拉应力减小),谐振频率减小,通过测量微桥谐振频率的变化获得加热器的温度信息,而温度测量元件从加热电阻汲取的热量极小.这种新型薄膜热电变换器的测量输出量为频率信号,受电路噪声影响很小,因此是一种高计量精度的薄膜热电转换器.     

La0.7Pb0.3MnO3薄膜的溶胶凝胶法制备及电特性研究

利用溶胶凝胶法在单晶LaAlO3（100）衬底上成功的制备了La0.7Pb0.3MnO3外延膜.用X射线衍射仪、直流四探针法对其结构及电特性进行了研究.结果表明,薄膜为赝立方钙钛矿结构,晶胞参数为a=3.907nm.电阻率随着温度的增加,从金属导电行为向半导体行为转变,转变温度为TP=336K,利用双交换理论对此现象作了合理的解释.其电阻率在低温区时满足ρ=ρ0＋ρ1T2＋ρ2T4.5,其导电机制主要是电子与电子的散射,在T〉TMI时主要是小极化子输运.     

单层薄膜生长率实时检测系统的设计与分析

基于反射光干涉测量法介绍了单层薄膜生长率实时检测系统的原理,建立了双光束干涉简化模型。进行了LD功率稳定闭环控制电路和探测器前置聚光镜的设计,并利用简化模型对膜厚检测的精度进行定量分析。