一种高增益低功耗LC谐振放大器的设计

设计了一种低电压、高增益、高矩形系数的多级LC谐振放大器,该放大器由衰减器、LC谐振放大电路和AGC电路组成,其核心为六级参差调谐方式.模块化设计以防止自激的发生,较好地抑制了外部干扰.实测表明,该放大器各项指标均能达到设计要求,具有一定的实用性.     

低噪声高增益锁相放大的微弱信号检测系统

设计了基于低噪声高增益发大技术、锁相放大技术和高速高精度采集技术相结合的微弱信号检测系统,该系统采用ARM和FPGA为控制核心,由程控放大模块对待测信号进行宽带滤波和高增益放大,通过双锁相放大器将信号分解成2个正交分量,由24位模数转换器进行高速率采集,实现微弱信号的高精度检测,并通过网口与上位机实时通信和波形显示。测试表明,该系统可将被测信号放大10~8×10~6倍,输入短路噪声低至2nV·Hz~(-1/2),最大可调带宽为10kHz,时间常数3~30 ms,采样速率为52.734kHz,成功检测到239.60nV随时间衰减的核磁共振信号,可用于电子类专业本科实验教学。     

小型化铷原子频标射频放大器设计

射频放大器的低噪声和高增益是两个相互影响的指标.针对小型化铷原子频标的特殊要求,对传统电路进行改进并通过应用ADS软件对电路进行了优化设计,使设计具有低噪声、高增益和小体积的特点,满足了小型化铷原子频标的要求.     

单调谐回路谐振放大器与双调谐回路谐振放大器特性分析

本文着重分析单调谐回路谐振放大器与双调谐回路谐振放大器选频特性.     

LC振荡器设计与调试中三类常见问题

对LC振荡器设计与调试中的三类常见问题(不起振、不稳定和缺少仪器)进行了研究,通过实例对产生问题的可能原因进行了归纳,进而借助关键的测量与分析将其原因逐步缩小,最后聚焦到问题的实质并解决.     

带选频滤波功能的程控高增益音频放大器

为了对传感器产生的微弱信号同时进行选频滤波和大增益放大,研制了一种带选频滤波功能的程控高增益音频放大器.该系统主要包括控制中心(单片机12LE5A60S2)、放大器模块(VCA810和两级固定放大)和选频滤波模块(LTC1068和FPGA).测试结果表明:该系统的增益在80 dB～120 dB范围内可按1 dB步长调整,选频带通滤波器的中心频率在200Hz～3.1 KHz范围内可按1Hz步进,且通频带宽度不大于100Hz.     

程控低噪声宽带直流放大器设计

为解决小信号易受干扰、难以实现线性放大的问题,以MSP430F247单片机为控制核心,采用压控可变增益宽带放大器VCA820作为程控增益放大器,设计了一个低噪声宽直流放大器.系统能对直流到20MHz的信号,实现增益从0dB到80dB范围内以1dB为步进的程控放大,带内增益起伏小于0.5dB,50负载时输出信号峰-峰值高达30V.系统的零点漂移小,工作带宽高,驱动能力强,性能稳定,可广泛应用于传感器网络和通信设备等电路中.     

一种宽带高线性高增益功率放大器的研究与设计

倍频程宽带功率放大器是宽带射频前端的关键部件,在无线电通信、雷达、电子对抗设备中有着广泛的用途.在对晶体管进行分析的基础上,选择InGaP／GaAs异质结双极晶体管TQP7M9105,该晶体管是高线性、高增益的输出功率1W的驱动级功率放大器.设计带宽为400MHz-800MHz,在电路设计中采用新的负载牵引、源牵引仿真方法,在输入激励为12dBm条件下,设计带宽内增益达到19dB,带内波动±1dB,实验结果和仿真结果非常吻合.     

无线接收机可变增益放大器的设计与实现

设计并实现了一种同时具有可变增益和自动增益控制功能的放大器,可用于无线接收机中。该放大器主要分为4级电压放大电路和控制部分。控制部分是使用STM32单片机作为控制器,控制操作由按键输入实现,LCD1602液晶屏显示键入和系统输出信息。系统可实现可变增益和自动增益控制模式。样机指标达到超过60 dB的最大增益且能在20 d B以上以6 d B步进线性可调。     

高频小信号单调谐放大器的分析与仿真

通过Multisim10.1软件对高频小信号单调谐放大器的仿真分析,观察到了发射极电阻的变化对单调谐回路频率特性的影响。利用实例证明:将Multisim10.1引入高频电路实验教学后,该软件能及时帮助学生理解课程内容、提高学生分析问题和解决问题的能力,Multisim10.1软件在"高频电子线路"课程教学改革中起着越来越重要的作用。     

负反馈使放大器通频带展宽的物理过程

文章采用图文并茂的方法对负反馈能使放大器通频带展宽的物理过程进行了剖析，使读者易于接受，便于理解。     

Analysis,design and implementation of SiGe wideband dual-feedback low noise amplifier

A wideband dual-feedback low noise amplifier(LNA) was analyzed, designed and implemented using SiGe heterojunction bipolar transistor(HBT) technology. The design analysis in terms of gain, input and output matching, noise and poles for the amplifier was presented in detail. The area of the complete chip die, including bonding pads and seal ring, was 655 μm×495 μm. The on-wafer measurements on the fabricated wideband LNA sample demonstrated good performance: a small-signal power gain of 33 dB with 3-dB bandwidth at 3.3 GHz was achieved;the input and output return losses were better than-10 dB from 100 MHz to 4 GHz and to 6 GHz, respectively; the noise figure was lower than 4.25 dB from 100 MHz to 6 GHz; with a 5 V supply, the values of OP1 dB and OIP3 were1.7 dBm and 11 dBm at 3-dB bandwidth, respectively.     

低输出功率应用的E类CMOS功率放大器设计(英文)

利用标准的0.18μm6层金属混合信号/射频CMOS工艺设计了一种工作在2.4 GHz频段的全集成E类功率放大器.电路采用两级放大器级联结构,其中驱动级利用谐振技术生成高摆幅开关信号;输出级采用E类结构实现了信号的功率放大.在1.2 V电源电压下,设计的功率放大器最高输出功率为8.8 dBm,功率附加效率(PAE)达到44%.同时,提出了一种E类功率放大器功率控制方法.通过改变进入E类开关晶体管的信号幅度和占空比,在3位数字控制字的控制下,输出功率达到-3～8.8 dBm.所设计的功率放大器可以满足诸如无线传感网络(WSN)和生物遥测等低功率系统的应用.     

CMOS工艺的低相位噪声LC VCO设计

本文介绍了用0.18μm 6层金属混合信号/射频 CMOS工艺设计的2个 LC谐振压控振荡器及测试结果, 并给出了优化设计的方法和步骤. 第1个振荡器采用混合信号晶体管设计, 振荡频率为2. 64GHz, 相位噪声为-93. 5dBc/Hz@500kHz. 第2个振荡器使用相同的电路结构, 采用射频晶体管设计, 振荡频率为2. 61GHz, 相位噪声为-95.8dBc/Hz＠500kHz. 在2V电源下, 它们的功耗是8mW, 最大输出功率分别为-7dBm和-5.4dBm. 2个振荡器均使用片上元件实现, 电路的集成简单可靠.     

高频小信号单调谐放大器实验设计

研究了高频小信号单调谐放大器实验,采用扫频法和点测法分别测量幅频特性曲线,观察了集电极负载对幅频特性的影响,计算了放大倍数并观察其动态范围,在实验中测试各组数据,验证并巩固了调谐放大器电压增益、通频带、选择性等相关知识和计算方法。为进一步掌握高频小信号调谐放大器的工作原理奠定了基础。     

一种应用于DRM/DAB频率综合器的宽带低相位噪声LC压控振荡器(英文)

介绍了一种应用于DRM/DAB频率综合器的宽带低相位噪声低功耗的CMOS压控振荡器.为了获得宽工作频带和大调谐范围,在LC谐振腔里并联一个开关控制的电容阵列.所设计的压控振荡器应用中芯国际的0.18μm RF CMOS工艺进行了流片实现.包括测试驱动电路和焊盘,整个芯片面积为750μm×560μm.测试结果表明,该压控振荡器的调谐范围为44.6%,振荡频率范围为2.27～3.57GHz.其相位噪声在频偏为1MHz时为-122.22dBc/Hz.在1.8V的电源电压下,其核心的功耗为6.16mW.     

电视系统中预放器的噪声分析

预放器是电视系统中决定图象质量最关键单元电路之一，于抓住低噪声电路设计之重点，本文通过等效电路分析与数学推导，方法。而在预放器所有特点中，要求低噪声居首位。为了有利得到预放器信杂比计算式，由此指出提高其信杂比的     

晶体管功率放大电路综述

为了提高功放电路的效率,电路被不断改进.本文介绍了多种类型的晶体管功率放大电路的结构、定性的工作原理和效率的主要影响因素.