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相似文献
 共查询到10条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
为提升低品质黏土的纯度,对山东某企业提供的低品质黏土进行成分分析,在确定其主要杂质和呈色原因的基础上,提出了焙烧和磁选相结合的提纯脱色工艺,并利用XRF、XRD、SEM等方法对提纯后的黏土进行表征。结果表明:通过焙烧后磁选,黏土中Fe_2O_3、TiO_2质量分数分别减少1.38%和0.11%,达到陶瓷原料的要求,对提升黏土的品质具有显著的效果,为低品质黏土的提纯和脱色技术探索了一种行之有效的处理工艺。  相似文献   

2.
研究了氟化铝法除去铝矾土中的SiO_2、TiO_2、Fe_2O_3等杂质以制得含量为97%的α—Al_2O_3产品.并确定了最佳的除杂工艺条件.  相似文献   

3.
铝合金中Fe含量较高时,在凝固过程中容易出现以粗大片状形态析出的富Fe相,降低了产品的使用性能.本文开展了熔剂法改善废铝熔体中富Fe析出形态的工艺试验,以Na_2B_4O_7、MnCl_2、Al Ti BRE(质量比为1∶1∶1)等组成熔剂,在730~750℃加入废铝熔体中,加入量为2%并在30 min内完成浇注,富Fe析出相可以较为规整的形状析出,颗粒较细小且分布较为均匀,铝合金性能有明显提高.  相似文献   

4.
《商洛学院学报》2016,(2):53-56
针对某磁铁矿石,对磨矿后样品进行了湿式预选试验,适宜磨矿细度条件下预选试验精矿的三段磁选试验以及三段磁选精矿的磁悬浮精选试验。确定了湿式预选试验的适宜磁场强度为397.8 k A·m-1,所得预选精矿的TFe品位为50.20%,回收率为96.95%。三段磁选试验所得精矿的TFe品位为67.37%,回收率为89.47%。磁悬浮精选作业最终可获得精矿TFe品位68.21%,回收率85.64%的良好指标,最终尾矿的TFe品位为7.49%。  相似文献   

5.
Ti3Si C2是一种新型金属陶瓷材料,集金属和陶瓷特性于一身。文中采用浸渗反应烧结技术制备Ti3Si C2材料,同时对制备试样的性能进行了研究。研究结果表明:当浸渗温度为1550℃,保温时间为20min时,制备试样的纯度为96.1%,气孔率为5.3%;随着试样中Ti3Si C2含量的增多,材料的性能随之明显提高。  相似文献   

6.
采用纳米粒子二元复配填充改性及冷压烧结工艺,制备了Al_2O_3/CaCO_3/PTFE三元复合材料,对其力学性能进行了探讨。实验结果表明,纳米粒子的填充显著提高了PTFE的摩擦磨损性能、硬度、抗蠕变性能及拉伸强度,降低了断裂伸长率。当Al2O3质量分数为20%、CaCO_3质量分数为10%时,PTFE复合材料综合力学性能优异。  相似文献   

7.
从探索高温焙烧拜耳赤泥后通过磁选提取铁精矿粉的工艺条件入手,试验以某氧化铝厂的拜耳法赤泥为原料,以某钢铁厂的喷吹煤粉作为固体还原剂,将两者按一定比例混合制团后在高温条件下进行还原焙烧,继而磁选出铁精矿.通过精矿和尾矿分析,确定适宜的工艺参数.  相似文献   

8.
一、"净吃"思维的基本含义H_2O、CO_2与Na_2O_2发生反应时存在如下质量变化关系: (1)2H_2O 2Na_2O_2==4NaOH O_2↑固体增重36g 156g 160g 32g 4g (2)2CO_2 2Na_2O_2==2Na_2CO_3 O_2固体增重88g 156g 212g 32g 56g反应(1)中固体增重等于参加反应的H_2O中的H元素质量,从固体质量变化角度看,可以理解为固体"净吃"了H_2O中的所有H原子;反应(2)中固体增重等于参加反应的CO_2对应的CO(与CO_2物质的量相等)的质量,可以理解为固体"净吃"了CO_2中的所有CO.  相似文献   

9.
以水杨酸和乙酸酐为原料,环己烷为溶剂,SiO_2-Al_2O_3为催化剂合成乙酰水杨酸.最佳实验条件为:水杨酸与乙酸酐摩尔比为1∶3.5,SiO_2-Al_2O_3用量为水杨酸摩尔分数的8.4%,反应时间20 min,反应温度75℃,溶剂用量为水杨酸摩尔分数的14.9%,超声功率为90 W,乙酰水杨酸收率可达93.9%.催化剂重复使用5次后仍有较高催化活性.该法较传统方法催化效果更好,无腐酸排放,不腐蚀设备,后处理工艺简单,催化剂重复利用率高、易再生,是一种绿色高效合成乙酰水杨酸的方法 .  相似文献   

10.
以Sr(OOCCH3)2·H2O,Ti(OC4H9)4·Nb(C2H5O)5为原料,用溶胶-凝胶工艺成功地进行了SrNb0.05Ti0.95O3(SNTO)膜的制备,溶胶薄膜经过575℃-725℃/60min退火形成立方钙钛矿结构。用XRD、SEM等进行了结构和形貌表征,证明了该薄膜是纳米晶体结构,制定了SNTO薄膜的最佳退火工艺。SNTO薄膜的介电特性分析:掺杂Nb^5+能使SrTiO3转化为n-半导体。  相似文献   

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