用Ⅲ-V族化合物半导体制备二维光子晶体

随着光电子技术和精密加工技术的快速发展,光电子元件的尺寸也越来越小,在制作这些元件的技术中,电子束刻蚀作为制备光子晶体最为稳定可靠的方法,其发展被人们所关注.为此介绍了用电子束刻蚀工艺制备二维光子晶体的方法.     

二维光子晶体中的无序数值模拟研究

0　引言光子晶体是一种人工制造的新型光子材料 ,三维光子晶体首先在 1987年由雅伯罗诺维奇 (Ｙａｂｌｏｎｖｉｔｃｈ)制备成功 [1] ,接着一维 ,二维 ,三维光子晶体的有关实验与理论研究多了起来 [2～ 7] ,光子晶体由不同介电常数的材料间隔周期排列而成 ,当电磁波入射其上时在某一波段范围内电磁波不能透射过去 ,很象固体物理学中晶体的能带 ,所以引进禁带与带隙的基本概念 ,光子晶体具有很多方面的应用对其进行理论与实验研究对于发展非线性光学和光电子领域将具有广阔的前景。二维光子晶体是一系列介质园柱 (或球 )在空间二维周期排列 ,…     

光子晶体研究及其应用

光子晶体是20世纪80年代末提出的新概念和新材料，本文回顾了光子晶体的发展历史，主要阐述了光子晶体的重要性质及理论研究方法．展望未来可能的应用。     

光子晶体光纤研究进展

光子晶体光纤是一种新型光纤，它与传统光纤相比具有不可比拟的优点，主要阐述光子晶体光纤的传输机理、研究类型以及制备工艺，并对其发展前景进行了展望．     

一种衍射光学元件的研究

设计了一种新的衍射光学元件：在普通平凸透镜的表面上镀膜，利用计算机绘制的图样制成的胶片，蚀刻成环带阶梯状的图样，成为衍射光学[透镜，分析了它的光强分布和制作设计过程，这种光学元件具有会聚光斑小，会聚衍射效率较高的优点，在制作过程中，利用计算机绘制位相－－颜色深色较进行光学蚀刻，可以消除对位误差引起的衍射效率下降，深度刻蚀误差也可以有效控制。     

一维光子晶体的禁带

本文从传输矩阵出发，详细推导了一雄光子晶体的禁带结构，得出了光子晶体的禁带位置、带宽、形状和组成光子晶体材料光学厚度、折射率对比、光子晶体结构的关系．     

例析“光电效应”几个易错概念

“光电效应”是光的粒子性的一个重要体现，学习中要澄清一些易混淆的概念，如“光子”、“光电子”、“光子的能量”与“光电子的最大初动能”等，这对理解光电效应的规律具有重要意义．     

二维光子晶体的电磁波理论及光子带结构

对二维光子晶体的电磁波理论及周期介质中的Bloch波解做了详细的推导；给出了光子晶体中禁带存在的理论依据；同时以三角格子晶格的二维光子晶体为例，验证了空气圆孔在电介质栅中的排列存在E偏振和H偏振的光子带隙重叠区绝对光子带隙．     

二维光子晶体中光传输特性的数值模拟研究

本文将时域有限差分方法(FDTD)用于光子晶体理论研究，计算了光子晶体的透射率频率分布；并依据此透射率频率分布，直观地给出了不同频率段的光在二维方型完整光子晶体和有缺陷光子晶体中的一些传输特性。     

应用于微纳光子器件的立体光刻研究进展

本文概述了光刻技术的广泛应用并探讨其今后的发展方向,分析比较了几种常见立体光刻技术的优缺点,重点介绍了全息光刻技术在制备光子晶体方面的应用,并总结了我们小组的研究成果。     

含单负材料的光子晶体的紧束缚模型

对含单负材料的光子晶体进行理论研究，发现可以用固体物理学中的紧束缚近似方法描述含单负材料的光子晶体能带的形成机制，说明由单负材料组成的光子晶体的能带可以看成是电磁波在两种材料界面共振隧穿形成的局域模迭加而成的。其通带可以看成是局域模展宽所得到的，局域模之间的交叠积分决定着通带宽度的大小．     

光电效应中的概念辨析

1．“光子”与“光电子”光子是指光在空间传播时的每一份能量（即能量是不连续的）,光子不带电,是微观领域中一种只含有能量的粒子;而光电子是金属表面受到光照时发射出来的电子,其本质就是电子．     

光子晶体滤波器的滤波品质调制因素研究

利用传输矩阵法理论,通过数值计算模拟的方法,研究各种结构参数对光子晶体滤波器滤波品质的调制机制,结果表明:对于双正介质光子晶体,当光子晶体或光子晶体量子阱的排列周期数越大,或基元介质高折射率介质的折射率越大,光子晶体滤波器的滤波品质越高;对于单负介质光子晶体,当光子晶体介质层厚度越大,光子晶体滤波器滤波品质也越高;当双正介质光子晶体的介质换成双负介质时,光子晶体滤波器的滤波品质会降低,但随着双负介质折射率的负值增加,滤波品质会上升。光子晶体或光子晶体量子阱结构参数对滤波器品质的调制机制,为设计光子晶体滤波器以及形成其有效调制机制提供理论参考。     

光电效应中易混概念辨析

光电效应是光的粒子性的重要体现,在学习的过程中要澄清以下几个概念．1光子和光电子光子是指光在空间传播时的每一份能量(即能量是不连续的),光子不带电,是微观领域中的一种粒子;而光电子是金属表面受到光照时发射出来的电子,因此其本质是电子．     

二维六边形晶格SiO_2光子晶体的制备及表征

通过改进的Stober法,以正硅酸乙酯为硅源,合成了尺寸为900nm左右的高质量单分散SiO2胶体颗粒;并以此为原材料,采用重力沉降法获得了二维六边形晶格SiO2光子晶体。表征分析显示所制备的SiO2光子晶体具有一定程度的缺陷且不具有完全光子带隙;采用平面波展开法对二维六边形晶格SiO2光子晶体不存在完全光子带隙进行数值计算验证。     

光子晶体简介

介绍了光子晶体的基本概念、发展概况和应用前景,并以一维光子晶体为例,给出了其透射谱、反射谱和光强分布的计算方法。     

一维光子晶体周期层厚度对禁带宽度的影响

采用传输矩阵的计算方法,分析一维光子晶体对光传输特性的影响,利用MATLAB绘制一维光子晶体不同结构参数对传输光的透射率图谱,寻找到在1550nm光波附近禁带宽度与层周期厚度的关系．     

具有复介电常量一维光子晶体的特性研究

借助传输矩阵法,数值模拟了具有实介电常量和复介电常量一维光子晶体的带隙结构,发现具有复介电常量一维光子晶体的带隙出现增益,并对此作出了Imεα-R,Imεα-λ的关系曲线．这对研究和设计二、三维光子晶体具有一定的指导意义．     

光子晶体

光子晶体是20世纪80年代末提出的新概念和新材料,迄今取得异常迅猛的发展,是一门正在蓬勃发 展的有前途的新学科.光子晶体不仅具有理论价值,更具有非常广阔的应用前景,这个领域已经成为国际学术 界的研究热点.本文介绍光子晶体的基本概念,理论研究方法以及应用前景.     

高真空制备超纯晶体

高真空制备超纯晶体电子要穿越半导体，其速度与晶体纯度密切相关：材料内杂质越少，电子流动的速度越快。一研究小组已将此经验法则应用于砷化镓（ＧａＡｓ）晶体，该半导体材料被用在ＣＤ机的激光元件上。通过制备比以前晶体纯度高２５％的ＧａＡｓ，该小组创下了电子速...