磁场退火温度对Ni_(80)Fe_(20)薄膜磁畴结构的影响研究

利用电子束真空蒸发方法制备了厚度100nm的Ni80Fe20薄膜,研究了磁场退火温度对薄膜磁畴结构的影响。利用振动样品磁强计测量了磁滞回线,利用磁力显微镜观察了薄膜的表面形貌和磁畴结构。结果表明:磁畴结构为明显的条状畴,磁畴宽度最大值约为860nm;随着磁场退火温度的升高,磁畴取向趋于沿垂直膜面方向,退火温度为600℃时,沿着主畴的畴壁形成了细小的横向细畴结构。     

经多聚赖氨酸修饰后的云母表面形貌及细胞DNA的AFM观察

通过原子力显微镜(AFM)观察并分析多聚赖氨酸在不同浓度和不同修饰方式下云母表面的形貌,选择适于观察细胞DNA的最佳修饰条件.使用不同浓度的多聚赖氨酸对云母表面进行直接滴加和镀膜两种方式进行处理后,AFM观察其对云母表面形貌的影响以及DNA分子在修饰后的云母表面沉积情况.结果显示:多聚赖氨酸直接滴加至云母上时,其表面会...     

聚苯乙烯微球的AFM研究

采用接触式原子力显微镜（AFM）方法观测聚苯乙烯微球用去离子水和甲醇分散后在云母表面的形貌变化及与衬底之间的作用;初步讨论了分散剂、放置时间、分散时间等对聚苯乙烯微球的影响。结果发现去离子水做为分散剂时,聚苯乙烯微球在云母表面具有单分散性,而以甲醇做为分散剂时则具有多分散性。     

原子力显微镜探针选择及常见故障解决方法

基于针尖和样品之间的各种相互作用力,原子力显微镜(AFM)可用于样品表面形貌、摩擦力等各种物理特性的研究,它是纳米科技研究中一个重要工具。影响AFM测量图像质量的因素很多,如振幅参数、积分增益I、比例增益P、衰减增益和扫描速度等,而探针同样是提高样品表面形貌像成像质量的关键。通过采用控制变量法,并以均方根粗糙度Rq作为评判标准,用不同参数的探针测量同一样品。实验结果表明,探针的共振频率f、弹性系数k、曲率半径Rh等对测量样品粗糙度均有较大影响,可选择合适的探针,提高成像质量。同时,针对仪器使用中出现的一些常见现象及故障,作出了解释和解答。     

隧道磁阻效应在畴壁运动中的应用

由于自旋电子技术（包括信息存储和逻辑电路）是通过磁畴壁的运动来实现的．其应用前景广阔．因此对铁磁中的畴壁运动进行研究显得十分重要．本文首先对隧道磁阻的原理进行了阐述．然后通过对实验设备进行分析，从而引出了畴壁动力学分析的相关内容。     

带绝缘层多层复合薄膜巨磁阻抗效应理论研究

根据带绝缘层的复合结构层状、丝状磁性材料的巨磁阻抗效应的实验研究结果,提出了带绝缘层的多层复合薄膜结构模型,采用将静态、动态两种磁化过程分开考虑的方法,同时考虑畴壁振动和磁畴转动两种磁化机制的影响,推导出当电流只通过高电导率的导电层时该模型的阻抗表达式,所得公式体现了"三明治"模型的特点,并弥补了它的不足.同时,通过有无外加直流磁场时阻抗表达式的异同,对袁望治等人的实验结果作了理论上的正确解释.     

虚实一体的原子力显微镜实验系统

研究开发了虚实一体的原子力显微镜实验系统,由AFM原理演示及模拟扫描软件系统、AFM模拟演示探头系统和AFM实验仪器装置等部分组成。开展了AFM实验背景的介绍、相关原理的仿真演示、AFM操作的模拟训练、AFM模拟扫描成像实验数据的测量及相关的实验研究。实现了对学生进行创新思维、操作技能、知识整合等各种层次的训练,并建立了"回顾历史、触摸现在、遇见未来"的四维空间物理实验教学模式,具有低成本、多功能和高效率等特点。该虚实一体的AFM实验系统已在我校得到很好的推广与应用。     

用AFM研究SBS嵌段共聚物的动态微区相分离

用原子力显微镜(AFM)研究了聚苯乙烯-聚丁二烯-聚苯乙烯(SBS)薄膜相分离结构。用二甲苯溶解SBS制备成溶液,滴制成膜后,一部分在干燥器中长时间放置;另一部分在不同的温度下进行AFM轻敲模式下观察相位变化。研究发现,随着放置时间的延长,表面相分离变得不均匀,并出现了第三相,说明SBS中的PB逐渐发生了氧化交联。同时研究了随着温度的升高,PB链段向表面运动加强,含量增加,相位也变得不明显。而且在其软化点温度时,PB区出现了扭曲和变形。原子力显微镜直观地观察到了SBS的动态微区相分离过程,对SBS的应用具有参考价值。     

溅射气压对Al掺杂ZnO薄膜光电性能的影响

采用射频磁控溅射技术,在常温状态下在玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO透明导电薄膜.利用XRD和AFM分别对薄膜的晶体结构和表面微观形貌进行了表征,利用紫外-可见分光光度计和霍尔效应测试仪对薄膜的光电性能进行了测试,并分析讨论了不同溅射气压对Al掺杂ZnO薄膜结构、形貌和光电性能的影响.结果表明,在本实验条件下制备的薄膜均为良好的c轴择优取向;在可见光范围内样品的平均透过率都高于85%;在溅射气压为1.2Pa时,薄膜的结晶度、电阻率和透过率都达到了最佳值.     

生长温度对Si衬底ZnO薄膜结构的影响

通过脉冲激光沉积方法在1.3Pa氧氛围,100-500℃衬底温度,Si(111)衬底上成功地制备了ZnO薄膜,我们用X射线衍射(XRD)谱,原子力显微镜(AFM),透射电镜(TEM)对其表面形貌和结构进行了测试和分析。通过测试分析得知,这些ZnO薄膜在生长温度400℃时能够获得较好的晶体结构,薄膜表面平整,晶粒均匀。