半导体光催化氧化技术探讨

目前来说,半导体光催化氧化技术取得了较大的进步,本文主要介绍了半导体光催化氧化技术的探讨,为从事相关的工作人员提供了参考意义。     

光催化材料近期研究进展

本文综述了近期出现的一些光催化材料的研究进展,阐述了各光催化材料的效率及优缺点。     

半导体材料的发展现状

工业的快速发展使我国许多行业都得到了相应的发展,半导体行业就是其中最为重要的一个,人们对半导体产品的研究不断深入,其性能得到了进一步增强。纵观半导体材料的发展,其中硅、锗作为第一代半导体材料;砷化镓、磷化铟、磷化镓等为第二段半导体材料;宽禁带(Eg2.3eV)氮化镓、碳化硅以及金刚石作为第三点半导体材料杰出代表。而当前已然进入到光电子时代并不断向光子时代转变。预计第二代和第三代半导体技术和产业将成为研究和发展的重点。     

淀粉黏合剂的制备及改性研究

以玉米淀粉为原料,采用H2O2为氧化剂,在淀粉黏合剂黏度影响因素考察的基础上,运用正交设计,用正交表安排实验,得到各因素对黏度影响的主次顺序,以及最佳工艺条件。并以添加聚乙烯醇及钠基膨润土进行改性,提高了粘接性能,缩短了干燥时间。     

高可见光活性氮掺杂纳米TiO2光催化材料的规模化制备技术及应用

北京科技大学承担的国家863计划“高可见光活性氮掺杂纳米TiO2粉体的规模化制备技术及应用”课题,攻克了纳米氮掺杂TiO2（N-TiO2）粉体的低成本规模化制备及其在水相中的均匀分散和悬浮稳定等关键技术,建成了年产能达百吨级的高可见光活性的纳米N-TiO2光催化喷剂中试生产线（如图1所示）,制定了纳米N-TiO2光催化喷剂产品企业标准,建立了高效气相和液相光催化降解示范装置。第三方权威部门检测结果表明,在可见光照射下,该课题所开发出的光催化产品具有优异的可见光光催化降解气相污染物（如甲醛、苯、TVOC等）、广谱抗菌（大肠杆菌、金黄色葡萄球菌、绿脓杆菌和白色念珠菌等）和防霉性能。用户实际应用效果表明,所研发的光催化产品具有良好的环境适应性,在不同气候条件下均具有长效可见光光催化性能。     

特殊形貌ZnO的水热制备及光催化性能

以十二烷基硫酸钠为形貌控制剂,醋酸锌和氢氧化钠为原料水热制备氧化锌。以甲基橙作为光催化降解的对象,实验结果表明,溶液初始浓度为0.5 mol.L-1、反应时间为24 h、反应温度120℃,氧化锌的光催化活性最佳,太阳光照2 h后,甲基橙的降解率为76.5%。XRD测试表明,ZnO为六方红锌矿相,SEM观测显示,ZnO晶粒主要呈规整八面体。     

生土材料改性及发展现状综述

正生土建筑是绿色建筑的一种,它以天然无污染的泥土为主要材料,这种泥土不需烧制,仅做简单处理即可用于使用。还可以添加天然材料如木头,石料等与生土一起构成结构。生土建筑从古流传至今,经过先人无数次的技术改良,目前可以大致分为夯土结构、土胚结构、掩土结构。生土材料有着较好的热学性能与力学性能,同时还有生态环保无污染等天然优势。中国的土建有几千年的历史,早在6000年前,在黄河流域所形成的半穴居、穴居和后来发展成型的地面建筑中,就可以窥探到原始社会初期人类使用生土的痕迹。如河南安阳后岗龙山文化遗址中的一批房址均为地面地建筑,     

新一代半导体材料新贵GAN

6aN（氮化镓）时代即将到来 在当今半导体材料与器件的研究与应用中，GaN（氮化镓）系材料日益成为世人瞩目的焦点，并和SiC、ZeSe、ZeO、金刚石等半导体材料并誉为继以Si和GaAs为代表的第一代、第二代半导体材料之后的第三代半导体材料。以GaN为代表的Ⅲ-V族化合物材料为直接跃迁半导体材料，     

新一代半导体材料新贵GAN

GaN(氮化镓)时代即将到来 　　在当今半导体材料与器件的研究与应用中,GaN(氮化镓)系材料日益成为世人瞩目的焦点,并和SiC、ZeSe、ZeO、金刚石等半导体材料并誉为继以Si和GaAs为代表的第一代、第二代半导体材料之后的第三代半导体材料.以GaN为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物材料为直接跃迁半导体材料,包括AlN、GaN和InN及以此为基础的三元合金AlGaN、InGaN、四元合金(AllnGaN)材料.……     

高迁移率聚合物半导体材料

半导体材料作为场效应晶体管的关键组成元素,严重的影响器件性能,相对于小分子半导体材料,聚合物半导体材料具有很多优势,比如便于溶液加工、适用于室温制备等。目前,高迁移率聚合物半导体材料经过多年研发,已经取得了突飞猛进的成果,并且经过不断的创新,诞生了各种结构新颖、性能良好的聚合物半导体材料,不断优化器件制备工艺,使得聚合物场效应晶体管的载流子迁移率从10~(-5_cm~2v~(-1)s~(-1)提升到了36.3cm2v~(-1)s~(-1)。详细地描述了高迁移率聚合物半导体材料的研究现状,分析了高迁移率聚合物在半导体器件设计中的应用情况,从空穴传输型、电子传输型和双极传输型等三个方面分析高迁移率聚合物半导体研发现状,归纳和总结半导体材料,从而可以进一步的为半导体器件构筑提供一定的指导。     

二氧化钛光催化薄膜制备的研究进展

二氧化钛(TiO2)是一种重要的光催化剂,具有氧化能力强、稳定性好、无毒无害的特点.载体支撑的TiO2薄膜具有回收分离简单、可用于光电催化的特点,在环境污染物去除方面有广泛的应用,在解决环境污染问题有着不错的应用前景.文章通过总结近些年TiO2薄膜的常用合成制备方法、载体材料合成方法及改性技术,为制备高性能的并展望Ti...     

离子束材料合成及表面改性技术的发展

本文摘要地介绍了离子束材料合成及表面改性技术及其在新材料与高新技术发展中所起的作用,对离子束技术的发展前沿及应用前景进行了讨论。     

石墨烯复合光催化材料专利技术综述

本文针对现有的石墨烯复合光催化专利,归纳了国内外石墨烯光催化材料专利的申请态势,并对石墨烯基光催化材料的组成、制备方法、重要申请人及技术演进路线进行了分析,采用气泡图的形式将重点申请人的研发方向清晰的表现出来,为新能源领域开发新型石墨烯基光催化剂材料起到很好的指导作用。     

金属多孔材料的制备及应用

金属多孔材料作为当前各行各业广泛运用的原材料,其多种优势和多功能性的运用更是使得受到科技的关注,本文围绕金属多孔材料的制备工艺及当前运用进行了探讨     

稀磁半导体材料的研究进展概述

稀磁半导体的研究对于自旋电子学器件的研发与应用具有极其重要的意义。宽带隙ZnO基稀磁半导体因其具有独特的光电性能而备受青睐,尤其是在Ditle等人预言p型ZnO基稀磁半导体具有室温铁磁性之后,从而引起了人们的关注。虽然许多科研人员在ZnO基稀磁半导体材料的研究方面取得了丰硕的成果,但迄今为止所报导的结果大相径庭,仍然还有很多问题存在争议,尤其在磁性方面。常规的稀磁半导体制备方法,如磁控溅射和脉冲激光沉积技术等,均需要很高的生长温度,高生长温度容易催生颗粒在薄膜中的形成,但其低温下制备也难以保证薄膜的质量。运用等离子体增强化学气相沉积法制备稀磁半导体薄膜,具有无法比拟的优越性,对稀磁半导体的研究具有非常重要的学术意义和实用价值。     

半导体材料的性能分析及其应用

社会经济发展为各行各业带来了更大的挑战和更好的发展机遇,对于半导体行业来说,要求材料的更好运用和对技术的不断革新,半导体物理也成为材料物理重要的研究方向。针对这种情况,本文主要阐述半导体的具体含义及其分类,根据不同类型的半导体,对其发展前景进行进行简单的设想和展望,希望为我国的半导体行业发展尽一份绵薄之力。     

超高能效半导体光源核心材料及器件技术研究

半导体照明已成为光电转换效率最高的人工光源,节能效益显著.氮化物半导体材料与器件是半导体照明的"核芯",实现超高能效发光器件是国内外半导体照明研发和产业界追求的目标,对掌握半导体照明科技制高点和产业主导权意义重大. 在国家重点研发计划"战略性先进电子材料"重点专项"超高能效半导体光源核心材料及器件技术研究"项目(项目编...