Ga2O3/ITO/Ga2O3深紫外透明导电膜的研究

采用常压烧结方法制备了Ga2O3陶瓷靶,用X射线衍射仪、金相显微镜对Ga2O3陶瓷靶的结构和形貌进行了研究.用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO(锡铟氧化物)靶材分别制备了Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜,用紫外-可见分光光度计、四探针测试仪对Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜的光学透过率和电阻率进行了表征. Ga2O3薄膜不导电,光学带隙5.1eV;Ga2O3(45 nm)/ITO(14 nm)/ Ga2O3(45 nm)膜在300 nm处的光学透过率71.5%,280 nm处60.6%,电阻率1.48×10-2Ω.cm.ITO层的厚度影响Ga2O3/ITO/ Ga2O3膜的光电性质.     

液晶盒电容的测量

分别采用交流谐振和交流电桥的方法对混合排列向列相液晶盒电容进行了测量,得到了液晶空盒的谐振曲线和液晶盒的电容-电压特性曲线,由此给出了对应两种情况的液晶盒电容值,并与理论值进行了比较,理论值和实验值拟合得很好,说明交流电桥方法是测量液晶盒电容的一种有效的方法。     

液晶显示器定向层静电损伤的实验观测

在液晶显示器制造中对基板上的聚酰亚胺(PI)摩擦形成定向层。在电极间隙处容易发生定向层的聚酰亚胺静电损伤。通过偏光显微镜和原子力显微镜(AFM)对定向层正常区域和静电损伤区域进行观测,我们发现,与正常区域比较损伤区域失去了沟槽结构。因此,损伤后PI对液晶分子取向作用失效的机制是沟槽结构的消失。     

液晶动态响应实验研究

为了分析液晶的响应时间并判断其响应速度,开发了液晶动态响应测试装置,并对强锚泊扭曲排列向列液晶的动态响应过程进行了测量。当脉冲信号施加于液晶盒上时,液晶的响应时间,即上升时间随电压的增大而减小;当脉冲信号撤消时,液晶的响应时间,即下降时间基本保持不变。与液晶动力学理论数值计算结果进行比较表明,实验结果和理论结果基本吻合。     

溶胶-凝胶多层高反射膜光学特性研究

利用Essential Macleod膜系设计程序，对溶胶-凝胶法制备的多层光学高反膜的光学特性进行了理论上的研究。通过膜系设计程序计算得到光学特性曲线，分析了多层膜层数、膜层奇偶性和基底对薄膜光学性能的影响，得到性能最优的理论膜系结构。并设计了带有抗激光损伤匹配层的多层光学高反膜，研究了匹配层对高反膜光学特性的影响。以上研究结果将对溶胶一凝胶多层高反射膜的镀制起到重要的指导作用。     

有机溶剂热生长技术制备硫族化合物及其光学特性的研究

以有机溶剂热生长技术(solvothermal technique)制备了半导体硫族化合物(CdS、ZnS、MoS2)等纳米颗粒,采用XRD、TEM等技术对其结构进行表征.以ITO导电玻璃以及导电聚合物(PANI、PPY)膜为基底,将纳米颗粒涂布其上并以PL法研究其光学特性,实验结果表明:经修饰后,材料的荧光发射位置发生显著的变化.     

液晶非线性光学

本文综述了液晶非线性光学的一般原理,描述了液晶中的各种电动流体力学的不稳定性,报道了我们所得到的各种新的实验结果和可能的应用,指出了液晶非线性光学现代研究倾向.     

电光聚合物调制器电晕极化和直接接触极化方法的实验比较

对调制器用电光聚合物材料的2种极化工艺--直接接触极化方法和电晕极化方法进行实验比较和分析,制备了用于极化实验的3层结构的电光聚合物调制器,给出了这2种极化方法的实验装置和极化工艺.实验发现,极化前的预处理工艺控制非常关键,否则会降低极化效率或损伤膜表面.结果表明:直接接触极化方式对膜表面的损伤较小,极化电压低,而电晕极化方式可以得到高的电光系数.直接接触极化方式极化的面积能够达到基板的尺寸.     

光学薄膜表面质量与膜层牢固度分析

光学系统一般要通过镀膜来提高系统的透过性能,光学零件(基底)镀膜前表面的清洁质量直接影响镀膜的薄膜质量,如薄膜表面质量(光洁度)、膜层牢固度。通过对不同光学零件清洁方法的评述,分析了影响光学零件膜层表面质量与牢固度的因素,提出了一些工作实际中的改进措施。     

Fe(OH)_3胶体渗析半透膜制备研究

研究了Fe(OH)3胶体渗析半透膜的制备,主要从半透膜的层数和加入尿素的质量2个方面进行探究。实验结果表明:加入尿素的质量为2g,用两层的半透膜进行渗析时得到的Fe(OH)3胶体电泳实验现象最佳。