沟槽栅MOSFET器件SPICE模型（英文）

针对沟槽栅纵向双扩散场效应晶体管(trench-gate MOSFET),提出了一种新型的SPICE模型.通过对沟槽栅MOSFET器件的物理特性及其内在结构分析,建立了漂移区电阻模型.为了准确模拟器件的动态特性,对栅源电容、栅漏电容及源漏电容分别建立了模型.考虑了器件的自热效应、温度效应及击穿特性,建立了自热模型和击穿电压模型,并对模型温度参数进行了修正.通过器件测试结果验证,各参数测试结果和对应模型的仿真结果误差均小于5%.因此,该模型能准确地反映器件的静态和动态特性.     

关于用万用表测试二极管正向电阻的讨论

当我们选择晶体二极管时,通常用万用表的电阻挡,测试二极管的正、反向直流电阻值,以判断其质量的优劣。在测试过程中,我们会发现用万用表的不同挡位测试同一个二极管的正向直流电阻时,其值也不相同,例如用R×10挡测出的电阻值小,而R×100挡测出的电阻值大,这是什么缘故呢? 究其根本原因是由于二极管的非线性特性,即二极管的电压和电流不是成正比关系,所以当不同的电流通过二极管时,电压和电流的比值(就是万用表测出     

含理想二极管电路的分析

理想二极管具有单向导电性,理想二极管可以当成一个电阻,当在理想二极管上加上正向电压时,理想二极管的阻值为零,理想二极管相当于一根理想导线,理想二极管所在的位置相当于短路;当在理想二极管上加上反向电压时,理想二极管的阻值为无穷大,理想二极管所在的位置相当于断路.     

数字电子电路复习练习题1

1填空题 1）将PN结的P区接电源_、N区接电源_称为外加正向电压。 2）载流子从浓度高的地方向浓度低的地方的运动叫做_运动,载流子在电场作用下的定向运动叫做_运动。 3）硅二极管外加电压uD_V时二极管截止,截止时其电流iD≈_。 4）二极管最主要的特性是_,它的两个主要参数是反映正向特性的_和反映反向特性的_。 5）晶体三极管工作在放大状态时,iC和iB的关系是iC=_,其穿透电流ICEO和反向饱和电流ICBO的关系是ICEO=_。     

PN结电路的图解分析法

本文讨论电压加在PN结上时,怎样用图解法在PN结伏安特性曲线上找工作点、求PN结两端的电压和流过PN结的电流。PN结上反向加电压时电路不通,只有微弱的反向电流,这里着重讨论正向加电压的情况。PN结两端正向电压不能加得太大,否则流过PN结的电流超过最大整流电流,造成管子烧毁。实际电路中,给PN结加直流电压或交流电压时都有限流电阻,电路中串接的电流表、灯泡、负载电阻等都起限流作用。PN结可以是二级管，也可以是三极管的发射结，本题电路以二极管为例，最后到三极管的发射结，分五种情况讨论。     

基于TCAD技术的碳化硅槽栅MOSFET器件设计

针对碳化硅槽栅MOSFET器件内部寄生二极管的反向恢复特性差的问题，设计了碳化硅槽栅MOSFET器件新结构，通过在碳化硅槽栅MOSFET器件元胞内部集成多晶硅/碳化硅异质结二极管，在不使器件的其他电学特性退化的基础上，改善器件的反向恢复特性。基于TCAD工具——ATLAS二维的半导体工艺与器件仿真软件，对碳化硅槽栅MOSFET器件的I-V特性、击穿特性以及反向恢复特性进行了研究。研究结果表明，与常规的碳化硅槽栅MOSFET器件相比，新结构的反向恢复特性明显改善，反向恢复时间减小了48.8%，反向恢复电荷减小了94.1%，反向峰值电流减小了82.4%。     

为何倍率不同测量的阻值不同？

在人教版普通高中课程标准实验教科书《物理》选修3—1中,第2章第8节是“多用表”,在本节内容中安排了实验——使用多用表测量小灯泡的电压、电流和二极管的正反向电阻．当学生在做使用欧姆表测量AP型和CZ型二极管正、反向电阻时,发现当欧姆表选择不同倍率来测量同一型号二极管的正向电阻,倍率越大测值越大．如图1是CZ型二极管的测量图,×1挡测值是34Ω,×10挡测值是240Ω,×100挡测值是1900Ω．     

逻辑门电路实验

本文介绍几个新实验——逻辑门电路实验。 1或门 1．1实验原理图1是用2个二极管做的一个非常简单的或门电路。根据二极管的伏安特性,当A点接高电压时,二极管1正向导通,二极管1上的电压降为0．7V,C点输出高电压;例样,当B点接高电压时,二极管2正向导通,二极管2上的电压降为0．7V,C点也输出高电压;当A点和B点同时接低电压时,C点输出低电压。     

二极管电流方程中m值的测定

对二极管电流方程中m值的测定进行了实验研究.结果表明,m值随正向电压变化而变化.对于锗二极管,m存在一个最小值;对于硅二极管,m值随正向电压的增大而减小.     

计算机电路基础练习题1

1　填空题(1 )电流和电压是具有和的物理量。(2 )关联参考方向是指 :电压的参考方向和电压的参考极性相时的情形。(3)基尔霍夫电流定律指出对于任一电路中的任一节点 ,在任一时刻 ,流入或流出该节点的电流之代数和为。(4)某电路中 ,已知Ａ点电位Ｕａ =- 3Ｖ ,Ｂ点电位Ｕｂ =1 2Ｖ ,则电位差Ｕａｂ =。(5)在一个 5Ω的电阻上施加 2 0Ｖ电压 ,该电阻吸收的功率是Ｗ。(6)当ＰＮ结外加正向电压时 ,ＰＮ结内多数形成较大的正向电流。(7)把ＰＮ结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做特性。(8)Ｎ沟道增强型场效应管的输出特性曲线是…     

观察交流电变化的一个简单实验

利用晶体二极管的单向导电性,可以演示一般照明电路中交流电的变化情形。实验电路如图示,a、b两端直接接在220V交流电源上,灯泡L用“220V、40W”或“220V、60W”的普通白炽灯泡即可,二极管选用最高反向工作电压较大(约400V)和最大正向工作电流较大(约100mA)的2CP系列小功率整流管。当合上电键K_1时,灯泡正常发亮。当断开K_1,分别单独合上K_2或K_3时,发现灯泡亮度明显降低,而且伴随有十分明显的     

AD7705在智能LiMn204材料电特性测试仪中的应用

为了研究材料的电特性,设计了一种智能LiMn204材料电特性测试仪,介绍了硬件的核心单元电流与电压测量及参考源的设计,系统采用AD公司生产的两通道16位∑-△型模数转换器AD7705作为电流与电压信号的数据采集转换器件,通过单片机对AD7705转换通道的选取、控制及对转换的数据进行读取实现对电流与电压信号的采集.     

AD7705在智能LiMn2O4材料电特性测试仪中的应用

为了研究材料的电特性,设计了一种智能LiMn2O4材料电特性测试仪,介绍了硬件的核心单元电流与电压测量及参考源的设计,系统采用AD公司生产的两通道16位Σ-△型模数转换器AD7705作为电流与电压信号的数据采集转换器件,通过单片机对AD7705转换通道的选取、控制及对转换的数据进行读取实现对电流与电压信号的采集.     

外部电压源法测试大电压LED器件/模块热阻

热阻是衡量LED器件/模块散热性能的重要参数。针对大电压LED器件/模块,实验采用T3Ster/Teraled热光参数测试仪,利用外部电压源供电方法,实现了对超过仪器量程的大电压LED器件的热阻测试。该方法拓展了热阻测试仪的常规测量范围,使正向电压大于15V的LED器件/模块的热阻测试成为可能。     

基于不对称结构的级联五开关多电平逆变器

为了提高级联H桥和五开关级联多电平逆变器的电平数,并减少开关器件和直流电源的数量,提出了一种不对称的级联五开关逆变器拓扑结构。该逆变器由2个不对称六电平逆变器反向级联而成,输出电压可达15电平。在相同的输出电平数下,该逆变器拓扑结构比传统级联H桥多电平逆变器减少了1个直流电源和18个开关器件。给出了相应基于正负反向层叠的调制方法,通过将输出电压波形与目标波形进行比照,对PWM脉冲信号进行逻辑组合得到开关管的驱动信号。最后通过MATLAB2016/Simulink软件搭建仿真平台进行验证,结果证明了所提逆变器拓扑结构及其控制策略的正确性及可行性。     

半导体三极管的损坏机理浅析

三极管的损坏,主要是指其PN结的损坏.按照三极管工作状态的不同,造成三极管损坏的具体原因是工作于正向偏置的PN结,一般为过流损坏,不会发生击穿;而工作于反向偏置的PN结,当反偏电压过高时,将会使PN结因过压而击穿.     

用可控硅调压电路代换投影仪变压器

投影仪是电化教学中常用的教学设备,当其变压器损坏后,通常是拆下重绕或者换新,经试验,用可控硅调压电路进行代换,其效果令人满意。上图是其电路原理,图中２ＣＴＳ是双向触发二极管,ＫＳ_１是小电流双向可控硅,耐压为６００Ｖ,电流为２Ａ,ＫＳ_２为大电流双向可控硅,耐压也是６００Ｖ,电流为２０Ａ,负载Ｒ_Ｌ为２４Ｖ／２５０Ｗ溴钨灯泡。此电路工作原理大致如下：接通电源,电源电压无论是上正下负,还是上负下正,都通过Ｗ、Ｒ_１、Ｒ_２给Ｃ_２充电,当Ｃ_２上的电压达到双向二极管的正向或反向转折电压时,２ＣＴＳ突然转…     

半导体三极管的损坏机理浅析

三极管的损坏 ,主要是指其 PN结的损坏。按照三极管工作状态的不同 ,造成三极管损坏的具体原因是 :工作于正向偏置的 PN结 ,一般为过流损坏 ,不会发生击穿 ;而工作于反向偏置的 PN结 ,当反偏电压过高时 ,将会使 PN结因过压而击穿。     

Sb_2(SSe)_3薄膜的两步法制备及其在太阳电池中的应用

本文首先采用磁控溅射工艺在FTO衬底上沉积Sb_2S_3薄膜,然后通过Se化处理工艺制备Sb_2(SSe)_3薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜及紫外-可见分光光度计对薄膜的结构及光学性能进行了分析.在此基础上,初步制备了上衬底结构的太阳电池器件并对其性能进行了测试.结果表明,随着Se化温度的提高,所制备的Sb_2(SSe)_3薄膜晶粒逐渐变大,同时光学带隙逐渐降低.这主要是由于在Se化过程中,Se原子替代Sb_2S_3中S原子的位置所造成的.所制备的太阳电池器件开路电压达到了469.3mV,二极管理想因子为2.6,反向饱和电流为3.389×10~(-8)A.     

新型多路温度测量控制和报警系统的设计

多路温度测量控制和报警系统广泛用于锅炉、烘箱、恒温等装置中。首先设计总体方案,绘制系统框图,用温度传感器将温度信号转化成电流信号,经精密运放变换成与温度成线性关系的电压信号;用模拟开关CD4051实现信号路数选择;用模拟可编程器件ispPAC20实现温度控制及报警电路;用数字可编程器件EPM7128外接数码管实现温度测量显示。结果显示:该系统灵活性强,能实现0～150℃温度测量控制和报警,工作稳定可靠。