含单负材料的光子晶体的紧束缚模型

对含单负材料的光子晶体进行理论研究，发现可以用固体物理学中的紧束缚近似方法描述含单负材料的光子晶体能带的形成机制，说明由单负材料组成的光子晶体的能带可以看成是电磁波在两种材料界面共振隧穿形成的局域模迭加而成的。其通带可以看成是局域模展宽所得到的，局域模之间的交叠积分决定着通带宽度的大小．     

负折射率的理论证明

最近的实验证明了人工合成负折射率材料的可能性。本文在实验基础上详细研究了这种物质介电常数ε和磁导率μ同时为负的条件与原因，并从理论上证明了它的折射率n为负值。     

基于L-C元件的左手材料特性研究

通常具有负介电常数和负磁导率的左手材料是用三维金属周期结构来合成的,文章详述了在普通的微带传输线中周期性加载L-C元件构造左手材料的理论依据,以及分布式与周期结构的区别,讨论了利用L-C元件构造的左手材料所具有的特性,并对其平均折射率为零的能隙作出了解释说明.     

多势垒结构电流特性的数值分析

通过数值自洽求解定态的维格纳方程和泊松方程,计算了一维多势垒结构偏压隧道电流,讨论了共振隧穿结构参数(量子阱宽度)连续变化对其电流特性的影响.数值模拟结果给出这类电子器件的量子极限--可观察到共振隧穿现象的量子阱宽度的限度.     

球型量子点结构中电子的共振隧穿

在有效质量近似和绝热近似的框架下,应用传递矩阵理论研究了球型量子点中电子的共振隧穿.结果表明:同一球型量子点中有效势垒宽度的增大使共振峰加宽,峰谷比减小;共振峰的位置由束缚能级决定,球型量子点半径越小,束缚能级越高,对应小尺寸的球型量子点要在较高能量处发生共振隧穿.这些可以为设计和制造更加优化的共振隧穿器件提供一定的理论指导.     

相对论电子在一维n重直角势垒结构中的共振隧穿

应用传输矩阵技术，推导出任意ｎ重直角势垒结构中的相对论电子的透射几率及其共振隧穿条件．在δ势极限下，发现当δ势强度满足一定的量子化条件时，所有能量均能发生共振隧穿．这一相对论电子独有的性质普在双势垒结构中首次报道［５］．本文的结果说明这是任意ｎ垒结构的共有性质．     

磁调节二维电子的输运

研究了电子通过一般的真实磁调节纳米结构的隧穿性质,其中磁调节纳米结构由被磁化的细长磁条沉积在典型的GaAs/GaAlAs 半导体异质结表面上形成的。电子隧穿这种磁纳米结构展示了有趣的波矢滤波特色,而且,其共振隧穿性质强烈地依赖于磁条被磁化的方位。这些结果暗示了调节系统中磁条的磁化方向可以剪裁这类磁纳米结构中电子的隧穿性质。     

一种新型金属化空心微球电磁功能材料

介绍了一种新型电磁功能材料．该材料由表面无电子镀镍的空心微球组成．采用扫瞄电镜观测了镀镍前后的表面微观结构，制备成样品放入X波段波导框中，在微波网络分析仪上进行散射参数测量，计算了电磁特性参数．结果表明，该材料在表面镀镍后取得了较高的磁导率(19．0)和磁损耗正切(0．6)，而介电常数保持较低(1．8)．与非金属化微球材料相比，可作为超薄型多层微波吸收材料的基本材料．     

工字开口环型左手单元结构设计与分析

提出了一种新型工字开口环左手材料结构单元.该结构只需要在介质板的一侧进行蚀刻,即可同时产生等效负介电常数与等效负磁导率.将该结构旋转90°形成十字交叉型工字开口环结构,在谐振频段内同样具有双负特性.而且由于十字交叉型工字开口环为中心对称结构,因此可以在二维平面上实现左手特性.对以上两种结构单元分别利用CST软件进行了仿真分析并提取了等效参数,证明了该左手材料的有效性.此两种结构制作相对简单,可在微波或更高频段得到广泛应用.     

基于一维光子晶体掺杂结构的单通道滤波特性分析

采用传输矩阵的计算方法,研究了一维光子晶体掺杂结构对光传输特性的影响,利用MATLAB绘制不同结构参数的一维光子晶体第一带隙透射率图谱.通过绘图发现：对称一维光子晶体的周期结构（（BA）m（AB）m）,在带隙内部出现光子局域,在中心波长处产生共振隧穿效应;增加对称周期层数,能够降低隧穿效应的透射率,降低光子局域带宽;提高掺杂层折射率,降低光子局域带宽,局域中心向短波方向移动;增大入射角,光子局域中心向短波方向移动;选择适当的结构参数能够实现在1 550 nm光波附近的窄带滤波器的设计.     

空间相对位置对复合铁电隧道结的电输运影响

基于最近理论上对复合铁电隧道的研究,进一步探讨了复合铁电隧道结中介电层势垒和铁电层势垒的空间相对位置对电子隧穿行为的影响,研究发现,当固定铁电材料极化方向时,交换介电材料和铁电材料的空间相对位置,将显著影响复合隧道结的隧穿电导,且当介电层的厚度达到1nm时,隧道结隧穿电导的差异会达到两个数量级.     

正负折射率介质分界面反射和折射的仿真

电磁波在负折射率介质中传播时,材料的介电常数和磁导率均为负数,从而表现出一些奇特的特性。为详细了解电磁波在正负折射率介质分界面的反常折射现象,文章讨论了正负折射率介质分界面的反射和折射规律,并用有限元软件Comsol Multiphysics对反射和折射现象进行仿真,同时对与理论分析一致的仿真结果以图像形式进行了显示。     

量子点的输运特性研究

研究了电子隧穿通过量子点的相干输运特性。考虑量子点上的库仑相互作用,得到了电导—门压的共振隧穿曲线,并讨论其物理意义。     

介质材料的射频和微波复介电常数复磁导率的测量与分析

利用同轴探头方法测量介质材料的射频复介电常数和复磁导率。结果表明,这种改进型同轴传输反射测量方法在整个频率范围内,测量结果和理论计算结果吻合得相当好。     

一维光子晶体中多负折射率缺陷导致的缺陷模

利用传输矩阵方法研究了多个周期性分布的负折射率缺陷的一维光子晶体的透射谱.以32个周期的1/4波堆存在5个负折射率缺陷的光子晶体为例进行了数值计算.结果表明:在带隙中产生多个缺陷模,这些缺陷模的分布依赖于缺陷在晶体中的分布.当缺陷密集时,缺陷耦合较强,缺陷模相距较远;当缺陷稀疏时,缺陷耦合较弱,缺陷模相距较近,分立的缺陷模趋于简并,由此形成一个很窄的通带.与正折射率缺陷情形相比较,负折射率缺陷间的相互作用对缺陷模的影响更大,缺陷模谱线也更宽.     

双频周期调制光晶格中单粒子的混沌动力学

论文主要研究了一维光晶格中单粒子在双频周期调制下的混沌动力学.通过数值分析不同调制参数下的庞加莱截面,发现依赖于占比参数和相位,倍频调制既可导致原来处于高混沌区域的相空间中出现规则岛,也可使体系更容易进入高混沌区域,并对混沌与量子隧穿的关系进行研究,发现双频调制可引起分数共振隧穿.     

碱激活镍渣胶凝材料的制备及力学性能探究

以碱激活镍渣胶凝材料为研究对象,考察了养护龄期及混合碱中氢氧化钾含量对镍渣胶凝材料抗弯强度、抗压强度及微观结构的影响。实验结果表明,镍渣胶凝材料的抗弯强度和抗压强度随养护龄期的延长总体呈增大趋势。混合碱中氢氧化钾含量对镍渣胶凝材料强度的影响较为复杂,在养护龄期较短(小于7d)时,镍渣胶凝材料的抗弯强度和抗压强度均随着氢氧化钾含量的增加而增加;在养护龄期为28d时,抗弯强度随氢氧化钾含量的增加先缓慢增加后小幅降低,而抗压强度则随氢氧化钾含量的减少而明显增大,最大可达23.3MPa。     

自旋极化输运的方法讨论

电子自旋注入和自旋相关输运是自旋电子学中被广泛研究的课题。本文将介绍在自旋电子学器件上具有广泛应用前景的不同结构中物理原理相关的材料问题,如F/I/S隧穿、F/I/F隧穿、Andreev反射。     

折射率问题的讨论简

折射率的定义为n=√εμ,其中ε和μ分别是电介质的介电常数和磁导率.对一般介质而言,e和μ都是非负常数,则其折射率是正值.但人们后来发现还存在着负折射率的物质.并且,若考虑介质对光能的吸收,折射率还可以表示为复数.而在现实生活中,由于空气的温度和高度不同,折射率会随之变化,表示成函数的形式.折射率根据具体情况的不同,取值也分别不同,有各自物理意义及应用.     

准连续植物组织介电常数的频率响应特性的研究

采用宽频域交流阻抗技术研究准连续植物组织的介电特性.选取土豆组织为研究对象,在100 kHz～25 MHz频率范围内测蛩其介电常数随交变电场频率变化的特性.通过对实验数据的处理和分析得到如下结论:在工作电压1V时,同一厚度的土豆组织,介电常数随频率的增加呈整体减小趋势;对应同一频率,介电常数随厚度的增加呈增长趋势;每一厚度的土豆组织介电常数均出现三个极小值,随厚度的增加介电常数的各极小值对应的频率基本不变.