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现将电子技术基础—数字电子电路课程的复习要求按教材章节顺序汇总如下,另外,给大家出了一些复习练习题,供大家期末复习参考。  相似文献   

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第一部分复习要求1 放大电路的基本原理和分析方法(1)掌握放大、静态与动态、直流通路和交流通路、静态工作点、负载线、放大倍数、输入电阻和输出电阻的概念。(2)掌握用近似计算法估算单管共射放大电路、分压式工作点稳定电路静态工作点的方法。(3)掌握用微变等效电路法分析计算单管共射放大电路、分压式工作点稳定电路的电压放大倍数A_u(A_(us))、输入电阻和输出电阻的方法。  相似文献   

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第一部分 复习要求 1 放大电路的基本原理和分析方法 (1)掌握放大、静态与动态、直流通路和交流通路、静态工作点、负载线、放大倍数、输入电阻和输出电阻的概念。 (2)掌握用近似计算法估算单管共射放大电路、分压式工作点稳定电路静态工作点的方法。 (3)掌握用微变等效电路法分析计算单管共射放大电路、分压式工作点稳定电路的电压放大倍数  相似文献   

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本文将按章节顺序,分掌握、熟悉、了解三个层次归纳教学要求,最后给出一些复习练习题,供同学们复习时参考。1 复习要求1.1 半导体二极管、三极管和MOS管(1)掌握半导体二级管的单向导电特性、伏安特性曲线、开关应用时开关条件及开关状态下的特点。(2)掌握半导体三极管三种工作状态的条件及相应的特点。  相似文献   

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本文将按章节顺序,分掌握、熟悉、了解三个层次归纳教学要求,最后给出一些复习练习题,供同学们复习时参考。 1 复习要求 1.1 半导体二极管、三极管和MOS管 (1) 掌握半导体二级管的单向导电特性、伏安特性曲线、开关应用时开关条件及开关状态下的特点。 (2) 掌握半导体三极管三种工作状态的条件及相应的特  相似文献   

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为了帮助同学们作好期末复习,现将电子技术基础(二)——模拟电子电路课程的复习要求进行小结,并通过复习练习题帮助同学们掌握解题方法和复习要求。 1 复习要求 第一章 放大电路的基本原理和分析方法 掌握放大、静态与动态、直流通路与交流通路、静态工作点、放大倍数、输入电阻和输出电阻的概念。 掌握用近似值算法估算单管共射放大电路,分压式工作点稳定电路的静态工作点。 掌握用微变等效电路法估算单管共射放大  相似文献   

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为了帮助同学们作好期末复习,现将电子技术基础(二)——模拟电子电路课程的复习要求进行小结,并通过复习练习题帮助同学们掌握解题方法和复习要求。1 复习要求第一章放大电路的基本原理和分析方法掌握放大、静态与动态、直流通路与交流通  相似文献   

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1 半导体二极管、三极管和MOS管1.1 掌握的内容 半导体(硅)二极管开关应用时开关条件和开关状态下的特点,半导体三极管(NPN型硅管)截止、放大、饱和三种工作状态的条件及特点,NMOS管开关应用时开关条件和开关状态下的特点。1.2 熟悉的内容 半导体硅二极管的伏安特性曲线、主要参数I_F,I_R,U_(BR)的物理意义,半导体三极管(NPN硅管)输入特性和输出特性曲线、主要参数β,α,I_(CBO),I_(CEO),I_(CM),P_(CM),U_((BR)CEO)的物理意义,NMOS管主要参数U_(TN)的物理意义及三个工作区域的特点。1.3 了解的内容  相似文献   

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1 半导体二极管、三极管和 MOS 管1.1 掌握的内容半导体(硅)二极管开关应用时开关条件和开关状态下的特点,半导体三极管(NPN 型硅管)截止、放大、饱和三种工作状态的条件及特点,NMOS 管开关应用时开关条件和开关状态下的特点。1.2 熟悉的内容半导体硅二极管的伏安特性曲线、主要参数 I_F,I_R,U_((BR))的物理意义,半导体三极管(NPN 硅管)输入特性和输出特性曲线、主要参数β,a,I_(CBO),I_(CEO),I_(CM),P_(CM),U_((BR)CEO)的物理意义,NMOS 管主要参数 U_(TN)的物理意义及三个工作区域的特点。1.3 了解的内容  相似文献   

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现将基础写作(上)中的重点教学内容编制成练习题的形式,供学员在复习中参考,望依照这样的类型进行全面的复习和练习。 1 名词解释 (1)构想 (2)段旨 (3) 意义段(4)观察(5)主题句(6)体验(7)层次(8)感发(9)问卷(10)专题积累(11)发散思维(12)普遍凋查(13)列举(14)自然段(15)擒纵(16)课题(17)论题(18)观察(19)材料(20)层次(21)编写提纲(22)起草  相似文献   

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现将基础写作(上)中的重点教学内容编制成练习题的形式,供学员在复习中参考,望依照这样的类型进行全面的复习和练习。1 名词解释(1)构想(2)段旨(3)意义段(4)观察(5)主题句(6)体验(7)层次(8)感发(9)问卷(10)专题积累(11)发散思维  相似文献   

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本学期《电子技术基础》课程模拟电路部分电视课为62学时,内容包括《模拟电子技术基础简明教程》一书中的第一~五各章。基本要求在教材每章后面的《本章小结》中已经写明。第一章.基本放大电路和多级放大电路本章内容比较多,而且都是《模拟电子技术》中最基本的内容,是以后各章的基础,属于本课程的重点章节。一、两种共射放大电路工作原理和特点图1(a)是最简单的共射基本放大电路,图1(b)是电流负反馈式工作点稳定电路,后者从交流通路看也是共射接法。这两种电路  相似文献   

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1 基础知识 包括教材的第一章和第二章。“半导体二极管,三极管和MOS管”是组成电子电路的基本元件。“数字逻辑基础”是分析和设计数字电路的基本教学工具。掌握有关数字电路的基本特性和基本教学工具,为学习数字电路打下基础。  相似文献   

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1 基础知识包括教材的第一章和第二章。“半导体二极管,三极管和 MOS 管”是组成电子电路的基本元件。“数字逻辑基础”是分析和设计数字电路的基本教学工具。掌握有关数字电路的基本特性和基本教学工具,为学习数字电路打下基础。1.1 半导体二极管、三极管和 MOS 管的开关条件及开关状态下的特性(见表1)。  相似文献   

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电子技术基础一数字电子电路是中央电大电气工程、电子工程和计算机应用工程各专业必修的专业基础课,本课程电视学时36,面授学时19,必做实验5个。 本课程教学内容可分为四大部分: (一)基础知识部分 包括教材的第一章和第二章。“半导体二极管,三极管和MOS管”是组成电子电路的基本元  相似文献   

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电子技术基础—数字电子电路是中央电大电气工程、电子工程和计算机应用工程各专业必修的专业基础课,本课程电视学时36,面授学时19,必做实验5个。本课程教学内容可分为四大部分:(一)基础知识部分包括教材的第一章和第二章。“半导体二极管,三极管和 MOS 管”是组成电子电路的基本元件。“数字逻辑基础”是分析和设计数字电路的基本数学工具。掌握有关数字电路的基本特性和基本数学工具,为学习数字电路打下基础。这部分的主要内容归纳如下:1.半导体二极管、三极管和 MOS 管的开关条件及开关状态下的特性(见表1.1)表1.1  相似文献   

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1 半导体二极管、三极管和 MOS 管1.1 重点内容小结(1)半导体二极管的开关条件及特点表1列出了半导体二极管的开关条件及特点  相似文献   

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1 半导体二极管、三极管和MOS管 1.1 重点内容小结 (1)半导体二极管的开关条件及特点 表1列出了半导体二极管的开关条件及特点  相似文献   

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《办公自动化基础》是为广播电视大学文秘、行管等专业开设的一门计算机入门课程。课程性质偏重于办公自动化基础知识、计算机基础知识的传授和微型计算机基本使用能力的培养。为帮助学生更好地学习课程内容、把握课程重点并做好期末复习,本复习提要将对各知识模块中的教学内容和要求作详细说明。 在课程内容教学要求的层次上,有关定义、定理、性质、特征等概念的内容按“掌握、理解、了解”三个层次要求,实践环节按“掌握、能、观察”三个层次要求。 《办公自动化基础》课程期末考试采用卷面(闭卷)考试方式,卷面考试的试题形式主要有简答、填空、选择和叙述简单操作过程等。  相似文献   

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《电子技术基础》(1)——数字电子电路课程电视学时36,面授学时19,必做实验6个(含综合性实验1个),本复习指导为98级电气工程、电子工程各专业和计算机应用专业撰写.复习要求下面按教材章节顺序,分重点掌握、一般掌握和一般了解三个层次介绍教学要求.第一章 半导体二极管、三极管和MOS管(一)重点掌握的内容  相似文献   

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