ZnO薄膜的电化学沉积及其性能研究

以透明导电玻璃(TCO)为衬底,用硝酸锌水溶液作为电解液,采用阴极电沉积法合成了ZnO薄膜.通过改变电解液浓度、温度和沉积电压等实验条件,系统研究了锌氧化物薄膜材料的电化学沉积过程.用扫描电镜、X射线衍射、紫外-可见光谱法等技术对沉积物的形貌、结构及光学性质进行了表征.结果表明,通过控制电解液的浓度和温度及沉积电压等反应条件可以制备出不同形貌的ZnO薄膜.XRD结果表明,所得的ZnO纯度高且呈六方纤锌矿结构;光谱法研究表明,该薄膜在344 nm和552 nm处有两个吸收峰,禁带宽度为3.25 eV.     

LiCoO2纤维的合成及电化学性能表征

利用水溶胶-凝胶法,以醋酸锂和醋酸钴为原料、柠檬酸为螯合剂制得了LiCoO2凝胶纤维．采用TG、XRD、FTIR和SEM对材料结构进行了研究,结果表明：在700℃可得到晶化较好的六方层状的LiCoO2纤维;SEM结果表明所得凝胶纤维的直径约10μm,经700℃热处理后所得纤维收缩,表面变得疏松;微电极循环伏安测试表明：随着循环次数的增加,LiCoO2纤维的可逆性降低．     

微电极法研究氯化物体系中Sn(Ⅱ)电沉积机理及电化学行为

本文用微盘电极,采用CV及LSSV方法研究锡在氯化物体系中的电沉积过程的机理,与文献报导的RDE法有相同的结果,并测定了锡放电反应的一些动力学参数.     

铁基PbO2电极的电沉积制备和表征

采用电沉积方法制备PbO2/Fe电极,研究了电镀液配方、电沉积温度、电流密度、添加剂以及底层(SnO2 Sb2O3)的制备对电极外观、电极的导电性能和使用寿命的影响.采用正交实验法得出了制备铁基PbO2电极的最佳工艺条件:先在低温40℃、大电流密度55mA/cm2条件下电沉积2h制备α-PbO2底层,而后在高温70℃、小电流密度35mA/cm2条件下沉积4h制备β-PbO2.     

电沉积合成大规模的单晶形的GaN纳米棒及光学特性

通过电沉积,在Al2O3模板中我合成直径大约80 nm和长度2 m 单晶形GaN 纳米棒。这些纳米棒通过X射线衍射仪 (XRD)、扫描电子显微镜 (SEM)、透射电子显微镜 (TEM)、选区电子衍射仪 (SAED)、X射线能谱仪分析 (EDS),结果显示这些纳米棒不仅有很高的产率,而且具有形貌相同的化学计量的单晶形的GaN的性质。同时样品的光学性质也被测定,它在318 nm具有强的发射峰,这对GaN纳米材料应用是一个新的突破。*     

电沉积制备CdS/Ti电极及沉积反应条件规律的探索

本文介绍了电化学沉积制备CdS/Ti电极的方法和流程,比较深入讨论了在电沉积过程中电位、温度、pH值、反应物浓度、时间、磁力搅拌器转速等各种重要参数对制备CdS/Ti电极光电性能的影响,并得出一些重要规律和制取高性能电极方法的条件,优化了制作工艺。     

铂的电沉积

综述铂的电沉积制备工艺和方法 ,并对电沉积机理作了简要的介绍     

正交法优化电沉积CuInSe2薄膜条件的研究

本研究以导电玻璃作基体材料,在0.1 mol/L的柠檬酸和KC1溶液中,在pH为1.5的条件下,采用了正交实验设计和电沉积法,制备了不同的CuInSe2薄膜样品,分析了各样品的X射线衍射测试结果,优选出较佳的电沉积条件,制备了质量较好黄铜矿型的CuInSe2薄膜。     

液相沉积法制备光催化TiO2/SiO2复合薄膜及其表征

通过液相沉积法在较低的温度下制备了TiO2/SiO2复合薄膜,利用UV-Vis、XRD和SEM等表征手段对薄膜的透明性、物相和表面形貌进行了表征;并在紫外光照下,通过薄膜对罗丹明B水溶液的光催化降解实验,评价了沉积薄膜的光催化活性.实验结果表明,在室温下制备的液相沉积膜具有较好的光催化活性.     

中性红聚合膜的电化学表征及性质

在中性溶液中用重复电位扫描法在玻碳电极上制备了中性红聚合膜.中性红的聚合是在高电位引发下,氧化中性红产生自由基发生链式引发聚合.用铁氰化钾作为探针采用循环伏安法和电化学扫描电镜表征了不同聚合圈数的电极的表面性质.随着扫描圈数的增加,聚合膜的厚度也增加,同时电极由导体向绝缘体转变.电极表面的形貌图也说明了这一现象.     

铝掺杂氧化锌薄膜的制备及其特性

采用直流反应磁控溅射法,制备了铝掺杂的氧化锌薄膜.结果显示：薄膜在500℃退火后透光率高,光敏特性良好,并且有明显的紫外光响应.其XRD衍射谱表明随着O2与Ar流量比的增加,对应于（002）晶面的衍射峰趋于尖锐,c轴取向突出明显.     

反应磁控溅射Cu-Al-O薄膜的结构和光电学性质研究

反应磁控溅射方法在玻璃基片上沉积Cu-Al-O薄膜,并对薄膜进行退火处理,研究溅射功率和退火温度对薄膜结构和光电学性质的影响。用X射线衍射仪、分光光度计等仪器对薄膜的性质进行表征,采用拟合正入射透射谱数据计算薄膜的厚度。结果表明：不同溅射功率条件下制备的薄膜为非晶态,透射率在近红外部分达到60%以上,电阻率随溅射功率的增加呈U型变化,在120 W附近,电阻率达到极小值;退火后,薄膜的XRD谱出现Cu4O3、Cu O和Al2O3的混合相,薄膜透射率有所提高,电阻率随退火温度的提高而先增大后减小。     

Preparation of Nano-Particles （ Pb, La）TiO3 Thin Films by Liquid Source Misted Chemical Deposition

Nano-particles lanthanum-modified lead titanate (PLT) thin films are grown on Pt/Ti/SiO2/Si substrate by liquid source misted chemical deposition (LSMCD). PLT films are deposited for 4-8 times, and thenannealed at various temperature. XRD and SEM show that the prepared films have good crystallization behavior and perovskite structure. The crystallite is about 60nm. The deposition speed is 3nm/min. This deposition method can exactly control stoichiometry ratios, doping concentration ratio and thickness of PLT thin films. The best annealing process is to bake at 300℃ for 10min and anneal at 600℃ for 1h.     

Research progress of transparent conducting ZnO:Al(ZAO)films

Owing to both of its high carrier concentration and large band gap,ZnO:Al(ZAO)films which is an n-type degenerate semiconductor,exhibits low resistance and high transmittance in the visible range.This work studies the crystal structure,optical and electrical properties and preparation methods of ZAO films,and discusses the existing problems and application prospective of ZAO films.     

Co-Pi和Cu2O共修饰TiO2薄膜及其光电化学性质研究

用阳极氧化法在Ti基片上制备出TiO2薄膜,然后通过电化学沉积法将Co-Pi和Cu2O沉积在TiO2薄膜表面.通过扫描电镜、X-射线衍射和光电化学性质测试,发现TiO2薄膜表面先沉积Co-Pi能够有效阻止Cu2O颗粒堆积,光电流显著提高.而先沉积Cu2O后沉积Co-Pi,则会使Cu2O还原为Cu,同时形貌发生改变.特别地,沉积300秒Co-Pi后再沉积Cu2O颗粒,能得到200 mA/cm2的最大光电流.     

电化学沉积制备纳米银粒子的研究

1-乙基-3-甲基咪唑网氟硼酸盐中,在超声波氛围下采用电化学牺牲阳极法直接从金属银制备了球形银纳米粒子．采用X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）对所制备样品的结构、组成以及形态进行了表征．结果表明．在小实验条件下制得的纳米银粒子杂质含量低,纯度较高,粒度分布集中,颗粒均匀一致,基本呈球形．     

各向异性粒种沉积的分形性质研究

通过计算机仿真模拟,研究了各向异性粒种扩散沉积集团的维数与多重分形谱.研究结果表明,各向异性粒种扩散沉积集团具有随机分叉、开放的结构,明显的多重分形性质.集团的维数与质量分布非均匀性随着各向异性的增加而增加.     

微波辅助制备Fe3O4纳米材料及表征

考察了在微波辅助技术的前提下32Fe ＋/Fe ＋摩尔比、氨水用量和微波功率变量因素对制备34Fe O 纳米材料的影响,并筛选出较优的制备条件。同时,对该样品进行X-射线衍射（XRD）和高分辨率透射电镜（TEM）扫描分析。其结果表明：（1）32Fe ＋/Fe ＋摩尔比1：1、氨水用量15mL、油酸钠1.00g、微波辐射功率200W 和反应30min 为制备34Fe O 纳米材料的最优条件;（2）根据Scherer公式计算,该样品的平均粒径为10nm～20nm,且样品微粒形状规则,近似球形,晶体形状较好,粒径大小较为均一;（3）通过对比研究制备34Fe O 纳米微粒的微波辅助合成法、共沉淀法和沉淀氧化法,从XRD谱图分析可知,用微波辅助合成法制得的34Fe O 纳米微粒的特征衍射峰明显,分散性好,且强度较高,说明该法所制得的34Fe O 微粒晶化度较高。     

V2O5光电薄膜的溶胶——凝胶制备及性能研究

以V2O5为原料，苯甲醇，异丁醇为溶剂，采用溶胶0－凝胶（Sol-Gel）工艺制备了V2O5薄膜。采用差热－失重（DTA－TG）、付里叶红外光谱（FT－IR）、X－射线衍射（XRD）等分析手段研究了V205薄膜的结构特性。并研究了V2O5薄膜的透射光谱、气敏、伏安特性及温阻特性。实验发现沉积在ITO导电玻璃衬底上的V2O5薄膜，烧结温度起高,透光性能越好；V2O5薄膜在常温下对NOx气体具有一定的气敏性能。