内应力对钛酸钡钛酸锶超晶格的热力学性质的影响

用横场伊辛模型研究了钛酸钡钛酸锶(BaTiO3/SrTiO3)超晶格的热力学性质,并考虑了界面效应.计算结果表明:内应力对BT/ST双层超晶格的热电响应和电滞回线影响很大.     

超晶格中直流和双频交流电场的整流效应

以弛豫时间近似下的玻尔兹曼方程为基础,研究了超晶格在外加直流和双模交流场中电子的输运行为,同时计算了几种特定情况下超晶格中电流随频率和场强幅值的变化关系,发现超晶格在外加直流和双模交流电场时内部电流随频率的变化是稳定的,而电流随场强幅值的变化是振荡衰减的.     

应变层超晶格晶体结构分析

本文分析了应变层超晶格晶体材料的结构特征，得到在平行于超晶格生长方向的内平面上，每个应变层的晶格常数都是相同的结论，并利用错配度的概念推导了晶格常数的表达式。     

你知道介电体超晶格吗?

南京大学固体微结构物理国家重点实验室闵乃本院士研究组的“介电体超晶格材料的设计、制备、性能和应用”成果获得了2006年度的国家自然科学奖一等奖。到底什么是介电体超晶格呢？它是怎么做出来，又有什么用呢？想必，这是许多人感兴趣的问题。     

界面量子起伏对铁电超晶格介电性质的影响

应用平均场理论，在横场伊辛模型的框架内，研究了界面量子起伏对铁电超晶格介电性质的影响。得到界面的量子起伏会导致铁电超晶格的介电极化率的升高。     

江崎玲玉奈与半导体超晶格

１９９９年恰逢半导体超晶格的概念问世３０年．１９６９年，当时还在美国ＩＢＭ研究中心工作的日本科学家江崎玲玉奈和华裔美国科学家朱肇祥一道提出了半导体超晶格的概念．当时以半导体材料为基础的电子器件的发展经过了一段蓬蓬勃勃的发展之后步伐正渐渐放缓．他们分析了当时提高器件性能的困难，认为主要原因是周期结构的晶体材料的性能达到了极限，而周期材料的性能与晶体的晶格常数有关．用简单的话讲．周期材料的周期太小了，而天然材料的这个周期是无法改变的．他们因此萌发了制造人工晶体，即人工周期材料的设想．把两种不同材料交…     

磁场作用下超晶格单量子阱中束缚态的能级

超晶格由两种不同晶体材料交替生长的具有周期性结构的多层薄膜构成,两种材料的"势垒—势阱"结构就是量子阱.通过理想的无限深势阱模型,讨论了施加磁场作用的超晶格中单量子阱束缚态的能级结构和态密度,得到了体系的本征能量与本征函数.分析表明,沿超晶格生长方向能级不受外加磁场影响,垂直于超晶格生长方向以ωc为回旋频率的谐振运动,超晶格量子阱量子化能级高度简并,简并度和外加磁场成正比.     

超晶格微制冷器物理模型分析

对InGaAsP/InGaAs组成的超晶格,基底为InP的固体微制冷器进行了初步研究,发现热电和热电子转换同时存在于超晶格微制冷器中。提出了简化后的物理模型,具体分析了影响热电转换效率的热阻和电阻、制冷影响因素和误差等因素,计算结果与实际器件接近。     

共轭梯度法研究超晶格GaAs/AlxGa1－xAs的电子结构

改进了一种从头计算方法—共轭梯度方法 ,研究了超晶格 Ga As/ A lx Ga1 - x A s的电子结构 .根据超晶格的基本方程 ,在固定电子密度 n(z)下 ,求解了基本方程的本征值和本征函数 ,并由它们组成新的 n(z) ,重复此过程直到得自洽解 .另按超晶格基本方程的具体情况 ,对每个 kz独立地应用了共轭梯度方法 ,此可大大节省与 Gram-Schm it正交化有关的时间 .计算了超晶格的两个最低子能带之间的能量差和 F ermi能量 ,其模拟计算的结果与对应的实验数值一致     

应力作用下的钛酸钡/钛酸锶超晶格的热力学性质

应用朗道——德文希尔理论研究了生长在(001)SrTiO3上的BaTiO3/SrTiO3超晶格的热力学性质。计算结果表明:通过改变生长在(001)SrTiO3上的BT/ST双层超晶格的层比例,可以得到不同的热电响应和电滞回线。     

半导体超晶格量子阱中声子运动对电子运动的影响

本文利用寝渐键荷模型研究了ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ（００１）中声子运动对电子运动的影响，导出了量子阱中计入声子影响后电子的波函数。本文的计算结果及理论对于研究超晶格半导体中的声子模及极化子的运动具有重要价值。     

非线性超晶格的能带结构和多稳态现象

研究非线性超晶格的能带结构随非线性系数的变化和多稳态现象。将非线性Kronig—Penney超晶格的定态非线性薛定额方程,化为一个二维实映射,进行数值分析得到非线性超晶格的能带结构与非线性系数及波强度有关,给出了不同非线性系数情况下的能带结构以及透射波强度对于入射波强度呈现的多稳态结构。     

硅基光电子材料的研究

综述了硅基发光材料的研究新进展，分别以发光多孔硅、多孔碳化硅、纳米硅薄膜和发光硅基超晶格为例，分析了讨论了其准备、物理特性及发光机理。     

A—SiNx:H/A—Si:H超晶格材料制备X射线衍射及光学性质的研究

本文报道了对A—SiNx:H/A—Si:H超晶格材料X射线和光学性质等方面的研究。提出一个非晶超格材料X射线衍射模型,和实验符合得较好,由此得到一个根据衍射峰相对强度获得界面情况的简单方法。观察到量子阱效应使光学带隙移动,发光峰移动,发光强度增大等现象。     

调制光热技术测量超晶格材料的有效热扩散率的分析

调制光热技术提供了基于测量均匀材料热扩散率的线性关系的有效方法。本文分析了这类线性关系对层状复合层和超晶格材料的适用性，讨论了由面激发和点激发相结合测量层状复合层纵向和横向有效热扩散率的不同情况，并通过这些数据和表观热扩散率获得每层材料的热参数。     

静电场能量与价电子在晶格势场中电势能的改变

利用凝聚态物理学方法研究了处于静电平衡状态的带电体周围空间静电场能量的来源问题,讨论了改变导体内价电子在晶格势场中电势能的方式,得出了改变价电子密度、加热和使导体载流等三种方式均可以改变价电子在晶格势场中电势能的结论。进一步分析了处于静电平衡状态的导体周围空间的静电场能量来源的问题,得出了静电场能量来源于导体内载流子在晶格势场中电势能变化量的结论。     

固体物理学中的一维晶格问题

通过对一维晶格晶体性质的研究，我们得到了学习固体物理学的简单方法，并加深了对固体物理学相关知识的巩固和理解。     

高性能工具镀涂层及其制备技术概况与进展

结合温州市材料成型工艺与模具技术重点实验室和温州市聚合物材料及其机电产品表面改性技术重点实验室的研究,从机电产品及工模具材料的特性,以及工具镀涂层材料的类别、结构特性、合金化工艺、纳米复合涂层和超晶格涂层的发展趋势等方面,分析高性能工具镀涂层及其制备技术概况与进展。同时阐述电磁驱动离子镀技术和闭合磁控溅射技术的发展,以及其在制备高性能涂层、超晶格涂层方面的应用现状和趋势。     

a—Si：H／a—SiNx：H超晶格材料拉曼散射

本文讨论了a-Si:H/a-SiNXx:H超晶格材料拉曼散射的实验结果,指出半高宽的变化,是由界面数目变化和界面间相互影响的综合作用结果,并得到描述半高宽变化的经验公式：△w=1980d^-3/2 85,可用于讨论界面存在对半高宽的影响,从而也可用于讨论界面的键角畸变。     

电子能态研究与接触电位差、温差电现象的新解释

用经典物理学模型和凝聚态物理学方法研究了载流子能态的问题,得出了如下的结论:载流子能态的能量是由其在晶格势场中的电势能、轨道运动动能和热运动动能及定向运动对轨道运动影响的能量构成的。影响载流子在晶格势场中电势能的因素有载流子密度和外界温度,前者是以斥力势能的方式表现的,后者是以引力势能的方式表现的,载流子定向运动对其轨道运动动能产生影响但对其在晶格势场中的电势能不产生影响。用新的观点解释了内接触电位差和温差电现象,指出,内接触电位差是载流子密度变化改变了载流子在晶格势场中的电势能的宏观表现。温差电现象是在同一电路中不同温度处载流子不同能态变化的反应。