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主要阐述了功率晶体管背面多层金属化电极结构,通过降低硅-金属界面态电阻,采用热处理合金手段,进一步降低功率晶体管正向压降VF和热阻Rth,增加芯片粘附强度,提高晶体管的可靠性指标。 相似文献
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在焦炉的设备中磨电道是焦炉五大机车必不可少的供电设备,生产中集电极在磨电道上的运行轨迹是平稳直线,供电运行中集电极与磨电道充分接触,才能保证电压稳定,可在现实生产中,以上设备受"季节温度""机械磨损"等原因造成集电极脱落引起相间短路和接地,停电事故时有发生,针对"接地"与"短路"以上故障原因进行分析。 相似文献
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本文介绍了肖特基二极管背面金属化原理和制作过程,针对背面多层金属化系统的特点,分析了影响蒸发镀膜质量的原因,提出了相关解决措施。 相似文献
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半导体材料是制作功率器件、晶体管、集成电路、光电器件的基础材料,随着社会不断的进步和发展,直接或间接的影响着人们的生活,同时半导体业的也是物理材料研究的主要方向之一,因此本篇文章对新型的半导体材料的性能以及其应用前景进行了分析和概述。 相似文献
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据报道,美国圣母大学和宾夕法尼亚州立大学的科学家们表示,他们借用量子隧穿效应,研制出了性能可与目前晶体管相媲美的隧穿场效应晶体管（TFET）。最新技术有望解决目前芯片上晶体管生热过多的问题,在一块芯片上集成更多晶体管,从而提高电子设备的计算能力。晶体管是电子设备的基本组成元件,在过去40年间,科学家们主要通过将更多晶体管集成到一块芯片上来提高电子设备的计算能力,但目前这条道路似乎已快走到尽头。 相似文献
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最近，日本电信电话公司(NTT)开发研制出一种超小型电源(变频器)．其体积只有0．2立方厘米，相当于一个半导体零部件大小。这种超小型电源的主要特点是装有一个利用薄膜技术制成的感应体。这种电源除能够与用于携带式袖珍电器的芯片电源相连接外．还可根据电路情况具有多个电源。这一发明为实现功率管理．有效地控制电力消费开辟了一条新路。 相似文献
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在我国最近的几年时间里,半导体激光器所应用的功率逐渐升高,所以相应引发的散热情况成为了目前阻碍半导体激光器进一步发展的最大原因。由于机器芯片的升温最终会使得激光器的工作性能不断降低,想要使得半导体激光器能够在大功率的工作原理下依旧保持持续稳定的工作性能,就只能让芯片的工作得到很好的散热,经过对半导体激光器中的芯片升温现象对半导体激光器各项功能的影响程度分析,得出了芯片升温对半导体激光器有着非常重要的影响。本文根据半导体激光器在芯片升温中出现的问题进行了探讨,对如何解决这一问题提出了方法。 相似文献
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中微半导体设备（上海）有限公司（以下简称中微公司）创立于2004年,是由上海市国资创投集合国际半导体界海归人员共同组成的,主要研制集成电路芯片制造用高端关键装备。中微公司的产品之一——半导体芯片刻蚀设备是一种半导体芯片生产设备,是芯片前段生产设备中的三大核心设备之一,由该公司开发的刻蚀设备属于绝缘体刻蚀设备,每年市场份额约为20亿至30亿美元。 相似文献
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美首次制造出不使用半导体的晶体管科技日报讯据美国每日科学网站6月21日报道,美国科学家首次利用纳米尺度的绝缘体氮化硼以及金量子点,实现量子隧穿效应,制造出了没有半导体的晶体管。该成果有望开启新的电子设备时代。 相似文献
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<正>电力电子技术（Power Electronics）是电气工程行业的一个分支,是一门应用于电力领域的电子技术,其在日常生活、生产中广泛应用。该技术具体是使用半导体电力电子器件,如常用的绝缘栅双极晶体管（IGBT）、可关断晶闸管（GTO）、金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）等,电力电子技术通过对电压或者电流进行变换、控制和调制,以期得到所需的电压或者电流。电力电子技术所转换调节的电力功率可大至数千MW甚至GW,也可以小到数W甚至uW,其通常以四种方式进行电力变换,即直流-直流变换（DC-DC）、直流-交流变换（DC-AC）变换、交流-直流（AC-DC）变换以及交流-交流（AC-AC）变换。 相似文献
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