2005年度国家技术发明二等奖复杂型腔工模具表面硬质薄膜材料制备成套设备及关键工艺技术

该技术围绕脉冲直流等离子体化学气相沉积(PCVD)成套工业设备研制、PCVD制备硬质薄膜材料以及在工模具表面薄膜材料强化领域的关键应用等进行了系统研究,主要内容及特点如下:     

’96中科院海内外中国青年学者学术讨论会预告

物理讨论会主题:薄膜材料与物理地点:中国合肥时间:1996.6.24～6.28承办:中国科学技术大学内容:半导体薄膜磁性薄膜介质薄膜超导薄膜薄膜表面与界面薄膜生长及沉积技术薄膜的结构性能及其他     

多晶硅薄膜材料与器件研究进展

多晶硅薄膜是当前在能源科学和信息技术领域中广泛使用的功能材料,综述了多晶硅薄膜材料及其器件的特点、制备方法及研究进展.     

以科研相融合的《薄膜技术与薄膜材料》课程实践教学改革初探

薄膜技术与薄膜材料已成为构筑当今高新技术产业发展的基本要素,薄膜技术与薄膜材料课程是材料科学与工程、应用物理等专业的一门重要专业课程。本文分析了该课程现行实践教学中的不足,对科研与实践教学相结合的教学内容、教学形式进行了阐述和讨论。     

溅射镀膜技术在薄膜材料制备上的研究进展

溅射镀膜技术采用高能粒子轰击靶材,溅射出的粒子重新沉积凝聚在固体表面形成薄膜,这种技术在现代薄膜材料制备过程中得到广泛应用。本文阐述了目前直接利用辉光放电中产生的离子进行溅射镀膜技术在单原子金属、半导体材料、绝缘材料、化合物薄膜材料制备工艺的研究进展以及展望。     

薄膜电极材料超级电容性能综合实验设计

设计了薄膜电极材料的制备及超级电容性能研究的综合性实验。运用电化学沉积的方法制备Co(OH)2薄膜电极材料,采用FESEM对基底与薄膜进行形貌表征,通过差热-热重对薄膜的热稳定性进行分析,重点考察了两种沉积温度对薄膜超级电容性能的影响。结果表明,50℃沉积温度下电流密度为4 A/g时,比容量可达2780 F/g,且分散阻抗较低。该实验原材料简单,过程容易实现,且涵盖薄膜材料制备、表征、性能分析等多个知识点。     

AgNbFeB纳米微晶薄膜材料的制备及磁谱特性研究

利用磁控溅射法制备了AgNbFeB纳米微晶薄膜材料，对其结构和磁谱特征进行了分析和研究，发现该纳米微晶薄膜用作高频材料是很理想的。     

磁控溅射制备MoS_2/C复合薄膜及其结构表征

采用单靶与双靶磁控共溅射技术,在非晶态石英玻璃基底上分别沉积生长了MoS_2薄膜及MoS_2/C复合薄膜.利用X射线衍射、拉曼光谱检测技术对MoS_2薄膜和MoS_2/C复合薄膜材料的结构进行表征,探讨了退火处理前后薄膜结构的变化.结果表明,通过脉冲和射频双靶共溅射制备的MoS_2/C复合薄膜,碳原子对二硫化钼的空隙进行了填充,经过400℃真空退火20分钟,获得了结晶度较好的MoS_2/C复合薄膜材料.     

材料的电输运性质与电子高能级分布

讨论了孤立原子、块状材料、薄膜材料、纳米材料的电子高能级分布的特点及其产生这种特点的原因。指出 ,由于原子物理学学科分工的特点 ,没有讨论孤立原子的核外电子的能级分布与温度的关系 (也无法讨论 ) ;而块状材料和薄膜材料的电子高能级之所以分布在表面上 ,是与其形状有关的 ,原因在于表面上存在着缺陷原子 ,而这些缺陷原子周围存在着悬空键 ,块状材料和薄膜材料的电子高能级分布是连续的 ,这种连续性是由块状材料和薄膜材料单位体积里包含大量的原子造成的 ;纳米材料的电子高能级分布是不连续的 ,这种不连续性是由于纳米颗粒本身包含有限的原子个数造成的。同时定性地解释了稳恒电流无趋肤效应而交流电和超导电流产生趋肤效应的物理原因     

磁控溅射法制备氧化镓薄膜

随着半导体光电技术的日益发展,宽禁带透明导电氧化物薄膜已经成为半导体材料研究的热点之一。氧化镓薄膜具有结构简单、成本低廉、响应快、便于制造的优点,而且还有很高的化学稳定性。它作为一种新型的气体传感器材料近年来日益受到重视。本文研究了通过磁控溅射法制备氧化镓薄膜时,不同的热处理温度对氧化镓薄膜结晶质量的影响。并利用X射线衍射仪,紫外可见透射光谱,对氧化镓薄膜的结构性能及表面形貌进行了测试和分析。     

交互性教学在《薄膜材料与技术》课程中的应用

以能源材料国家级特色专业体系中的《薄膜材料与技术》课程教学为切入点,运用交互性教学理论诠释其教学活动,提出交互性《薄膜材料与技术》课程教学模式。该模式中,学生作为课堂活动的主体通过教学交互、环境交互和情感交互三方面多流向、多维度地对材料信息进行调整与积累,获得了良好的学习效果。     

等离子手术刀

德国GFD公司正处于科技发展的最前沿。这个由戴姆勒克莱斯勒研究中心与乌尔姆大学联合创立的公司宣称是世界最小手术刀的制造商。GFD的Diamaze刀片由金刚石薄膜制成,其刀尖仅相当于几个原子大小。普通的手术刀大多数为钢板制成,而Diamaze刀片则是由气体开始制作的。GFD采用等离子体化学气相沉积(PCVD)的工艺流程,制造出了刻痕宽度为0.12毫米的超微刀片。这项技术具有极高的精确性,可将手术刀刃尖端的曲度降至仅3纳米,比现在最好的金属外科手术刀片精细上千倍。这种大面积沉积薄层金刚石结晶的方法是研究人员于1980年代开发的,直至90年…     

《薄膜物理与技术》课程教学改革的研究与实践

《薄膜物理与技术》是微电子、光学工程、应用物理学等相关专业本科生重要的专业基础课,其教学目的是使学生掌握薄膜制备技术、薄膜形成与生长、薄膜性能表征、薄膜的性质和应用等薄膜材料与薄膜技术领域的基本知识。针对《薄膜物理与技术》的内容与特点,结合自身教学体会,从完善教学内容、改进教学方法和教学手段等方面进行课程的改革与探索,切实提高教学质量。     

伊辛薄膜的Monte—Carlo计算

应用Ｍｏｎｔｅ－Ｃａｒｌｏ方法模拟了伊辛薄膜，得到了薄膜的表面磁性，体磁性以及系统的磁化率与温度的关系曲线。根据模拟结果发现在大块材料的临界温度附近磁化率存在一有限峰；并且在系统温度大于大块材料的体监界温度时，进一步跟踪研究了薄膜上，下表面的磁化强度，由此讨论了其它文献中利用有效场理论处理薄膜的一些争议的问题。     

太阳能电池产业与半导体锗硅薄膜的应用综述

综述了世界及我国太阳能电池产业的发展。指出提升现有多晶薄膜型太阳能电池的光电转换效率并降低其成本是当前光伏电能领域的主要课题。为了同单晶硅太阳能电池竞争，薄膜型光电池必须在性能方面与之相当，成本应该更低。要获得更低的成本，最好的出路是探索更高性能的电池材料和新颖的电池结构。文章阐明用多晶锗硅薄膜作为太阳能电池材料，能获得比多晶硅薄膜太阳能电池更高的发电效率和更低的成本。     

MOVPE法生长HgCdTe/CdZnTe结构薄膜研究

碲锌镉(CdZnTe)衬底是生长红外焦平面列阵(IRFPAs)所用碲镉汞(HgCdTe)薄膜材料的首选衬底.本文讨论在单晶的碲锌镉衬底上,用MOVPE法生长一层碲锌镉过渡层,可以避免单晶碲锌镉衬底的一些杂质和缺陷延伸到碲镉汞薄膜材料中而影响到碲镉汞薄膜的结构质量.实验表明,有碲锌镉过渡层的碲镉汞薄膜的结构质量有了较大改善.     

脉冲激光引发过渡金属与硅及锗硅薄膜固相反应研究

本项目《脉冲激光引发过渡金属与硅及锗硅薄膜固相反应研究》涉及的学科领域是微电子薄膜材料,主要内容是脉冲激光制备用于集成电路（IC）纳米超浅的源、漏结接触材料的硅／锗硅的过渡金属化合物及其特性。     

薄膜涂层材料--聚对二甲苯

聚对二甲苯薄膜(N、C、D型)是一种性能优良的涂层材料,文章主要介绍聚对二甲苯薄膜的成膜原理、工艺流程、性能及广泛用途.     

梯度氮化铁的制备试验

叙述了受梯度功能材料的启发,利用对向靶薄膜溅射仪制备梯度氮化铁薄膜的试验,对解决钢铁的耐腐蚀问题,进行了有益的探索。     

椭圆偏振仪测量薄膜折射率及周期厚度解的分析

运用Mathematica,通过最优化理论开发迭代程序,计算SiO2、ZrO薄膜的折射率和单周期及多周期厚度,并与其他方法的计算结果进行对比分析,表明此方法计算结果可以达到较高的精度。通过分析椭偏参数和薄膜厚度的关系可知,一定厚度的薄膜材料存在一个最佳入射角,在该角度下测得的薄膜厚度具有最高的精度。