太阳能电池材料硒化锡纳米线化学合成研究取得进展

中科院大连化物所洁净能源国家实验室太阳能研究部、催化基础国家重点实验室分子催化与原位表征研究组李灿院士、张文华研究组利用溶液化学的优势,采用品种诱导的方法首次生长了直径约20nm的SnSe单晶纳米线,长度从数百纳米到数十微米可调。光谱表征表明．硒化锡单晶纳米线显示明显的量子限域效应：其间接和直接带隙分别达到1．12eV和1．55eV。     

电磁干涉屏蔽与吸波材料研究取得创新成果

化学所有机川体院重点实验室的科研人员在光控有机／无机P-N结纳米线的构筑研究方面取得了新进展,实现了有机／无机半导体P-N结纳米线的可控构筑,获得了基于CdS-PPY的P-N结纳米线,该纳米线是南单晶的CdS纳米线和无定形PPY构成的,有机／无机材料之间具有清楚、致密而均匀的结。     

SiO_xN_y纳米线在碳微结构上的集成特性研究

基于光刻、热解工艺制备了碳微结构阵列,在光刻胶碳化的过程中,利用化学气相沉积法在碳微结构表面一体集成了SiO_xN_y纳米线结构。通过对工艺过程分析,探究了SiO_xN_y纳米线在碳微结构表面的选择性生长现象,揭示了热解和纳米线生长一体化的微纳集成原理,实现了纳米线在三维碳微结构上的定域、有效集成。对该结构进行接触角实验,发现其具有良好的疏水性能。     

气流对纳米氧化线制备的影响

用数值模拟方法研究气流特性对金属基体上氧化物纳米线生长特性的彩响,发现较大的璧面剪应力不利于纳米线的生长,纳米线生长方向和气流方向保持一致.     

镍纳米线的尺寸效应

本文采用分子动力学模拟方法,对不同截面尺寸的面心立方结构（FCC）<001>、<110>、<110>{111}和<111>晶向镍纳米线进行弛豫模拟。论文分析了影响弛豫后纳米线能量和收缩率的主要因素,模拟结果表明弛豫平衡后的平均原子能量与收缩率随着纳米线尺寸的增加而减小,对于相同尺寸的纳米线而言,<110>{111}结构的平均原子能量与收缩率最低。     

Science

正高镍单晶阴极研究Science封面:充入高压的微米级阴极晶体中滑动现象示意图。Science杂志第6522期封面文章报道了如何使富含镍的单晶阴极坚固高效。美国能源部太平洋西北国家实验室的科学家使用高镍含量的单晶材料作为阴极,实现了性能"兼得"。研究人员通过使用高性能单晶作为模型材料,观察了高镍阴极的变化,研究电压如何触发单晶从原子级到微米级的结构变化及其对阴极电化学性能的影响。结果表明,在单晶富镍阴极中观察到沿(003)平面的可逆晶格滑动和微裂纹。论文开发了一种扩散引起的应力模型,以了解平面滑移的起源,并提出了稳定高镍阴极的方法。     

采用RKEF技术生产镍铁合金的工艺

<正>point本文详细介绍了回转窑—矿热炉(RKEF)冶炼红土镍矿工艺的各重要工序,对各环节主要技术特征进行了阐述。目前,RKEF工艺技术是采用红土镍矿火法冶炼生产高镍镍铁合金的主流工艺。其工艺主流程为:红土镍矿→干燥窑干燥→配料→回转窑还原预焙烧→电炉冶炼→精炼→成品。     

0Cr13Ni4Mo不锈钢材料磁性能研究

利用软磁材料磁性测量装置及X射线衍射仪等对不同成分和热处理状态的0Cr13Ni4Mo材料的磁性能及力学性能进行研究。结果表明,相同成分的材料在降低回火温度的情况下磁性能提高。同时降低材料的碳含量及镍当量有利于磁性能的提高。     

Ag掺杂ZnO纳米棒阵列的制备和表征

概述准一维纳米结构材料包括纳米管、纳米线和纳米棒通过多种方法已经被成功制备出来,其独特的物理化学特性,在微电子器件方面有很好的应用前景,现在已经成为物理化学研究者争相研究的热点。ZnO是重要的Ⅱ－Ⅵ族直接带隙宽禁带半导体氧化物,其禁带宽度为3．37eV,激子结合能（60meV）,具有较高的化学稳定性,适宜用作室温或更高温度下的可见和紫外光发射材料。因此,合成准一维ZnO纳米结构及其性质研究迅速受到了科学工作者的广泛关注。基于气－固（VS）和气－液－固（VLS）生长机制,各种形貌的准一维ZnO纳米结构已经被国际上著名的纳米小组报道过,包括纳米带,纳米线阵列,单根纳米线器件,单晶纳米环,超品格纳米弹簧,纳米盘,微米棒等等。     

硅生长过程的热场建模工艺优化研究

本文通过分析晶体的生长界面,得出生长界面的形状对单晶的内在质量参数有着极为重要的影响。等径生长时生长界面是逐渐由凸变平,进而控制成微凹状。保持这种生长界面不仅有利于单晶生长,还可以避免生长界面处受熔体流的冲刷而引起的回熔,有利于降低单晶中微缺陷密度。通过优化热场和工艺参数可以提高晶体品质,降低杂质含量。     

青海省新能源研究所有限公司年产1000吨单晶硅项目简介

由青海省新能源研究所有限公司实施的“年产1000吨单晶硅项目”系青海省2006年重点项目，总投资3亿元，于2006月29日在西宁（国家级）经济技术开缓区东川工业园区开工建设。单晶硅项目系一期工程，计划分三批建设，每批建成64台φ8＂产品规格的单晶炉，共192台单晶炉，二期工程为年产5000吨晶体硅．其中单晶炉256台，多晶浇铸炉64台。经测算．预计一期工程投产后可实现年产值约16亿元，全部达产后可实现年产值近70亿元。     

物理前沿

镍基超导研究进展电子科技大学物理学院乔梁教授团队发现无限层镍氧化物超导体（镍基超导）超导电性的关键性元素（氢）和奇异电子态（间隙位s轨道），为镍基超导领域的发展开辟了崭新的思路。相关成果发表于《自然》。在当前基于铜氧化物的高温超导（铜基超导）研究陷入瓶颈的情况下，对类铜结构的无限层镍氧化物超导电性的深入研究，对于揭示高温超导的本征物理机制和新一代超导技术的发展具有重要推动作用。此次研究发现，氢元素就像一只“看不见的手”，在无限层结构镍基氧化外延单晶薄膜的制备过程中悄悄地起到改变费米面电子结构的作用，并在镍基材料超导电性的产生过程中扮演着关键性的角色。     

钛氧化物场发射冷阴极的研究

由于TiO2纳米线独特的结构、优异的性能和广阔的应用前景,自发现以来就受到了人们的广泛关注。二氧化钛纳米线具有大的长径比、化学稳定性、导电性以及有意的场发射特性等特点,在场发射冷阴极方面有着巨大的应用前景。文章首先1介绍了几种制备二氧化钛纳米线的方法,然后研究了其场发射特性。通过对比,最终采用PVD法在硅片上生长了TiO2纳米线。测得其开启场为19．3V／μm、阈值电场为30V／μm。     

一维有机纳米有序组装结构研究新进展

一维有机纳米结构的生长及器件研究受到了越来越多的关注,但是,关于一维有机纳米有序组装结构方面的报道却很少。理化技术所张晓宏研究组在前期研究工作的基础上,把简单的溶剂挥发生长纳米线和液-液界面的自组装方法结合在一起,     

六硼化镧晶体表面的角分辨俄歇谱

用角分辨俄歇谱(ARAES)研究了LaB6晶体的不同晶面.第一,对(100),(110)和(111)三种晶面,La(625ev)俄歇信号的极角角分布所显示的前向聚焦效应表明这些晶面是无弛豫、无重构的;第二,La(78ev)和B(180ev)强度之比的角分布则给出了硼和镧在晶体表面上的相对分布情况,表明:有序单晶的上述三种表面主要是镧面:而在多晶或无序单晶表面上则硼与镧的机会均等。另外还研究了温度对镧在晶体表面上富集的影响,结果与表面功函数的测量一致。     

锗晶片的抛光工艺研究进展

锗单晶晶片作为一种重要的外延层衬底材料被广泛应用于航天航空领域。衬底外延生长要求锗晶片表面有极低的表面粗糙度、无表面/亚表面损伤和残余应力等,需要通过对锗表面进行抛光去除表面缺陷、提高表面质量,从而满足外延生长。本文综述了锗单晶衬底抛光的技术进展,分析了抛光液组分、pH值、离子强度、抛光工艺参数等对锗片抛光质量的影响,阐述了锗晶片的化学抛光机理,指出了目前锗抛光技术中存在的问题并对其未来发展方向进行了展望。     

大尺寸低阻ZnO单晶衬底

<正>项目概况ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力,如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。本成果提供一种氧化锌体单晶生长技术。作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体,又是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院所属单位的科研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶材料的新型技术方法-化学气相传输法(CVT法),而且采用CVT法已生长出了直径32毫米和直径45毫米,4毫米厚的ZnO单晶。     

大尺寸低阻ZnO单晶衬底

正项目概况ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力,如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。本成果提供一种氧化锌体单晶生长技术。作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体,又是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院所属单位的科研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶材料的新型技术方法-化学气相传输法(CVT法),而且采用CVT法已生长出了直径32毫米和直径45毫米,4毫米厚的ZnO单晶。     

实验室里成功长出“芯片大脑”

正澳大利亚科学家成功引导大鼠脑细胞在半导体芯片上生长,并形成神经回路,开发出所谓的"芯片大脑"。这项研究是在半导体芯片上布好一定结构的纳米线,就像脚手架一样,然后引导大鼠脑细胞生长,并形成神经回路。相关成果已发表在《纳米通讯》月刊上。     

我国科学家把石墨烯单晶的生长速度提高了150倍

正在国家自然科学基金项目(项目编号:51522201,11327902)资助下,由俞大鹏院士领导的"纳米结构与低维物理"研究团队的刘开辉课题组在大单晶石墨烯的生长方面取得新的重要进展。研究成果于2016年11月7日以"Ultrafast growth of single-crystal graphene assisted by a continous oxygen supply(氧化物衬底辅助石墨烯单晶超快生长)"为题在Nature Nanotechnology发表。