基于DDS的语音信号采集测量仪

本系统基于声级计原理,实现了对频率范围为20Hz～20KHz,声级范围为0dB～99dB的语音信号的采集测量。系统通过采集模块采集声音信号,然后对信号进行放大、滤波,最后送入控制处理中心进行声级的计算、声音信号频率的测量、特点频率点的存储及显示。详细介绍了硬件组成,主要是AD637构成的有效值测量测量电路和MAX197构成的A/D采样电路。     

基于DSP的汽车转速测量新方法及仪器研制

传统的声级计主要由硬件滤波网络和计权网络构成,而汽车发动机的转速是基于测量机械量的汽车转速表给出.提出了通过非接触传声器测量汽车噪声从而计算汽车发动机转速的新方法;运用小波变换信号降噪处理技术,从汽车排气管口噪声背景中提取有用信息号,研究了提取汽车转速信息的信号处理算法;设计了一种基于DSP和单片机的双CCPU硬件结构,开发了相应嵌入式软件,实现了噪声A计权声压级和汽车转速的分析和测量.研制出基于汽车排气管口噪声测量的汽车发动机转速测量新型仪器,该仪器转速测量范围30～8000RPM,测量误差10转/分;噪声测量范围30～130dB,分辨率0.1dB,准确度优于0.5dB.     

基于DSP的汽车转速测量新方法及仪器研制

传统的声级计主要由硬件滤波网络和计权网络构成，而汽车发动机的转速是基于测量机械量的汽车转速表给出。提出了通过非接触传声器测量汽车噪声从而计算汽车发动机转速的新方法；运用小波变换信号降噪处理技术，从汽车排气管口哚声背景中提取有用信息号，研究了提取汽车转速信息的信号处理算法；设计了一种基于DSP和单片机的双CPU硬件结构，开发了相应嵌入式软件，实现了噪声A计权声压级和汽车转速的分析和测量。研制出基于汽车排气管口噪声测量的汽车发动机转速测量新型仪器，该仪器转速测量范围30～8000RPM，测量误差10转／分；噪声测量范围30～130dB，分辨率0．1dB，准确度优于0．5dB。     

万用表上的dB刻度

介绍了万用表上的dB刻度线,利用万用表如何测量"电平"值,介绍了在通信技术中常用绝对电平来表示信号的强弱。     

标准水听器测量结果的不确定度评定

依据JJG1017-2007《1kHz～1MHz标准水听器》,利用自由场互易法检定装置对于标准水听器进行6次重复性测量,然后对所得的测量数据进行标准不确定度评定分析,得出该装置在2kHz～100kHz频段的扩展不确定度为0.7dB,对于标准水听器的检定有效。     

CMOS高线性度非对称式SPDT开关的设计

介绍了一种具有高线性度非对称式单刀双掷开关,本电路在传统对称式电路结构的基础上进行优化,对称式结构的其中一条支路上增加可变阻抗模块,这种非对称式结构可以满足开关在发射模式下对高功率处理容量的要求。该非对称式工作在15GHz时,在发射模式下,插入损耗为1.9dB,隔离度为18dB,输入1dB压缩点为26dBm,回波损耗S11、S22分别为-21dB和-18dB;在接收模式下,插入损耗为1.4dB,隔离度为21dB,输出1dB压缩点为7.6dBm,回波损耗S11、S22分别为-28 d B和-18dB。     

射频低噪声放大器的ADS设计

采用E-PHEMT晶体管(ATF54143)设计了一个S波段的低噪声放大器。依据放大器的各项指标对电路进行了设计、优化,最后通过S参数及谐波仿真分析得到了放大器的各项性能参数。结果表明设计的低噪声放大器完全符合性能指标,其功率增益可达15dB,噪声系数在0.7dB以下,带内平坦度小于0.5dB,输入/输出驻波比小于1.5dB,1dB压缩点输出功率大于16dBm。     

利用ADS设计电调移相器

文章利用ADS仿真软件高效快速的设计了一种应用于射频预失真系统的电调移相器,采用变容二极管作为相移控制元件。仿真结果显示该移相器能提供范围较大的相移,并且幅度波动较小。     

一种超宽带低噪声放大器的仿真设计

本文介绍了一种超宽带低噪声放大器的仿真设计,采用负反馈技术提高了工作带宽并增强了放大器的稳定性。通过ADS软件的仿真优化提高了设计效率,并进行了原理图-版图协同仿真验证。实验测试该超宽带低噪声放大器在0.1GHz～1.5GHz的带宽内增益大于30dB,增益起伏小于±1.8dB,噪声系数小于1dB,P1dB大于15dBm。     

噪声应激对血压及心率变异性的影响

对被试者分别进行80dB和100dB的噪声刺激，并在第1、5、10、15和20d测定被试者的动脉血压和心电图，并分析心率变异性变化。实验结果表明：噪声应激使被试者的收缩压升高，心率加快．但对舒张压影响不明显，心率变异性频谱分析显示，高频成分、低频成分增大，而R-R间期减小，而且100dB的作用比80dB显著。提示噪声应激对人体心血管系统的活动有明显的影响。     

C波段低噪声放大器的设计

文章介绍了使用Agilent公司的微波电路CAD软件ADS进行仿真和优化设计C波段的低噪声放大器的过程,该LNA达到了预定的技术指标,性能良好。该LNA工作在4.7～6.7GHz范围内,噪声系数≤1dB,带内增益达到26dB,带内增益平坦度△G≤1dB。     

一种平面结构的宽带水平极化全向天线

设计并加工了一种平面结构的宽带水平极化全向天线,该天线由四个改进的弯曲偶极子加上各自的耦合单元构成。天线在水平面内能很好地实现全向辐射特性,在4.8～6.8GHz的频带范围内,回波损耗小于-10dB,水平极化不圆度小于±0.7dB,交叉极化优于-20dB。     

基于EBG结构功分器的设计

利用Aglient-ADS软件,仿真和设计出用EBG结构代替3dBWilkinson功分器A／4部分,使其在频率f=2.4GHz时特性阻抗为70．7Ω,相移为90°,不断在原理图中对整体结构进行调试、优化,使得在该中心频率下回波损耗小于-30dB,很好的实现了功率二等分。制作实物通过测量,发现和仿真结果有很好的一致性,从而验证了此EBG结构应用于二等分功分器的可行性。     

一种高线性度共栅CMOS混频器的分析与设计

本文利用多栅晶体管技术,设计了一种共栅跨导级混频器。通过Volterra级数对该电路进行非线性分析,该结构能大大改善电路的线性度。采用TSMC0.18μmCMOS工艺,在ADS2008环境下进行仿真,仿真结果表明,该电路的单边带噪声系数为12.288dB,双边带噪声系数为9.043dB,转换增益为3.346dB,IIP3为20.28dBm。     

互连电缆对伪钞鉴别仪辐射骚扰特性的影响

测试了伪钞鉴别仪在连接外部显示器和禾连接外部显示器情况下的辐射骚扰特性,研究了互连电缆对受试设备（EUT）电磁辐射的影响。实验结果表明,未连接外部显示器的伪钞鉴别仪最大辐射骚扰准峰值为45．2dBμV／m,并且较大辐射骚扰幅值主要集中在100MHz-300MHz频率范围内。而连接了外部显示器的伪钞鉴别仪的最大电磁辐射骚扰准峰值为67．2dBμV／m,比未连接外部显示器时高了22dB。在100MHz-300MHz频率范围内辐射骚扰幅值比未连接外部显示器时明显增大,增大了约11dB。     

300-350kA电解槽打壳气缸噪声降噪装置的设计应用

我公司300-350kA中心下料预焙阳极电解槽打壳气缸采用＂铜质烧结式可调节式及铁质小孔迷宫式消音器＂对进排气尾声进行消声处理,工作区域噪声值在85～95 dB（A）之间,不符合国家相关标准要求的85 dB（A）效果,通过自行设计实施的＂打壳气缸噪声降噪装置＂,噪声值已控制在75 dB（A）之下,符合国家环保和职业病防范控制要求,整体技术达到国内铝行业领先水平。     

2．0～4．0GHz低噪声放大器的设计

介绍了S波段低噪声放大器（LNA）的设计原理和流程,并分析级联放大器的S参数,详细分析通过优化元件参数,获得了一种在2．0～4．0GHz范围内具有低输入回波损耗、低噪声系数的放大器。结果表明：在2．0～4．0GHz的范围内,该宽带低噪声放大器输入输出驻波比小于1．9,增益G〉20dB,带内增益波动小于±0．5dB,噪声系数〈1dB。     

两款V波段硅基滤波器的设计与分析

文章介绍了两款采用硅基工艺和SIW结构的带通滤波器。滤波器结构采用高阻硅作为衬底材料,通过金属通孔阵列形成微波滤波器谐振腔,输入输出采用共面波导-微带转换结构,易于外部集成,通过探针台可以进行快速测试;同时该滤波器尺寸较小而且易于加工。将第一款滤波器的模型在HFSS上进行了仿真分析得到结果,第二款滤波器在第一款的基础上增加阶数以提升滤波器的带外抑制性能。仿真数据说明,不同尺寸的两款滤波器的通带频率均是55 GHz～60GHz,插入损耗分别是1.7dB和2.1dB,驻波比低于1.1,在50GHz带外抑制分别达到31dB和62dB。     

多层宽带蜂窝吸波材料设计及制备

本文采用芳纶纸蜂窝芯材浸渍吸波浆料方式制备了一系列均匀吸波蜂窝材料,并采用遗传算法优化设计均匀蜂窝堆叠方式,同时利用CST电磁仿真软件验证优化结果,最后实验制备出具有良好宽带吸收性能的多层吸波蜂窝材料,其四层结构在2.8～18GHz频率范围内达到-10dB吸收性能,在7～18GHz频率范围内能达到-15dB吸收性能;五层结构在3.2～18GHz频率范围内达到-10dB吸收性能,在7～18GHz频率范围内能达到-15dB吸收性能。本文设计制备的多层吸波蜂窝材料具有结构简单,制备容易,易于大规模生产等特点,具有广阔的应用前景。     

一种应用于海事卫星数据通信的L波段压控移相器的研究与设计

针对海事卫星数据通信业务需要,利用ADS软件仿真并设计一种射频移相器单元电路,该单元由一个3dB电桥、2个变容二极管SMV1245-079LF和数控单元组成,移相器带内插入损耗小于2.5dB,移相范围大于135度,驻波比小于1.5。