Cu层位置对ZnO透明导电薄膜光电特性的影响

采用磁控溅射技术在玻璃基底上制备出了ZnO/Cu/ZnO、ZnO/Cu、ZnO单层三种透明导电薄膜,利用几种表征手段分析了Cu层位置对ZnO薄膜的结构形貌、光电性能的影响。结果表明,Cu层的加入会降低薄膜的透射率和提高导电性,其中ZnO/Cu/ZnO结构的透射率略高,ZnO/Cu结构的电阻率最低。     

跨世纪的高新技术：薄膜

薄膜,是指通过物理或化学过程,以原子、分子或离子形式受控地凝结于某一基体材料上所形成的固体材料。处于薄膜形态的物质,与对应的体材料相比,具有其一系列独特性质。所以,在现代微电子学领域中,薄膜器件正在发挥着越来越大的作用。事实上,薄膜科学与器件技术已经成为现代科学技术中不可缺     

Al2O3过渡层对ZnO薄膜性质的影响

采用磁控溅射（Sputtering）方法在Si（100）上成功生长了Al2O3薄膜,并以此为衬底,实现了ZnO薄膜的低温准外延生长。通过ZnO薄膜的表征。表明,ZnO薄膜能在Al2O3过渡层上沿c轴准外延生长,采用适当的Al2O3过渡层后,其电学性质也有大幅提高。     

光照因素在光热退火法制备多晶硅中的影响分析

为改进多晶硅薄膜制造工艺,研究了非晶硅薄膜的快速光热退火技术.先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后放入快速光热退火炉中进行退火.退火前后的薄膜利用x射线衍射仪(XRD)测试其晶体结构,用电导率设备测试其暗电导率.研究表明光照时间、光照强度都对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响,光波频率的影响作用更大.     

工艺参数对Ti、NdFeB薄膜厚度的影响

本文采用磁控溅射法制备Ti、NdFeB薄膜,并研究分析了工艺参数对Ti薄膜及NdFeB磁性薄膜厚度的影响,这些工艺参数是溅射类型、溅射时间、基靶距。     

脉冲激光沉积PLD技术及其应用

本文综述了脉冲激光沉积(PLD)薄膜技术的机理、特点及薄膜生长的主要过程,并介绍了其在制备半导体、高温超导、类金刚石、生物陶瓷薄膜等方面的应用.大量研究表明,脉冲激光沉积技术是目前最好的制备薄膜的方法之一.     

本征层为In_xGa_(1-x)N结构柔性太阳能电池研究

本文研究一种可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池及制备方法。本论文研究的太阳能电池具体结构是:Al电极/GZO/P型nc-Si:H/I层本征InxGa1-xN/N型nc-Si:H/GZO/Al背电极/AlN/PI柔性衬底;其制备方法是首先磁控溅射制备AlN绝缘层和Al背电极,然后采用ECR-PEMOCVD依次沉积GZO基透明导电薄膜、N型nc-Si:H薄膜、InxGa1-xN量子阱本征晶体薄膜、P型nc-Si:H薄膜、GZO基透明导电薄膜,最后制备金属Al电极。由于本征层InxGa1-xN量子阱本征晶体薄膜具有可调禁带宽度,对该结构的太阳能电池起着巨大的作用,很大程度上提高了该结构太阳能电池的效率。     

神奇的多层薄膜材料

多层薄膜材料已成为新材料领域中的一支新军。所谓多层薄膜材料,就是在一层厚度只有纳米级的材料上,再铺上一层或多层性质不同的其他薄层材料,最后形成多层固态涂层。由于各层材料的电、磁及化学性质各不相同,多层薄膜材料会拥有一些奇异的特性。目前,这种制造工艺简单的新型材料正受到各国关注,已从实验室研究进入商业化阶段,可以广泛应用于防腐涂层、燃料电池及生物医学移植等领域。新出版的《科学新闻》报道说,从事多层薄膜材料研究达10年之久的麻省理工学院鲁伯诺称,多层薄膜材料的研究开发已经到了开始收获的阶段。该材料的处理工艺简…     

日制造出只有一个原子厚的硅薄膜

日本北陆尖端科学技术大学院大学30日宣布,其研究小组开发出能制作大面积硅薄膜“silicene”的技术。这种只有一个原子厚的薄膜,可具备半导体的性质,有望用于制造高速电子线路等。     

水-气界面自组装合成二氧化钛薄膜

纳米材料的广泛研究为纳米结构薄膜材料的开发和研究提供了坚实的基础.目前,利用自组装的方法制备类似生物材料的有序纳米结构,技术也已经较为成熟.本文采用聚乙二醇（PEG）作为有机添加剂,通过控制PEG的量,可以制备出更小尺寸和形状的二氧化钛薄膜纳米颗粒膜.     

Structures and electronic properties of domain walls in BiFeO3 thin films

Domain walls (DWs) in ferroelectrics are atomically sharp and can be created, erased, and reconfigured within the same physical volume of ferroelectric matrix by external electric fields. They possess a myriad of novel properties and functionalities that are absent in the bulk of the domains, and thus could become an essential element in next-generation nanodevices based on ferroelectrics. The knowledge about the structure and properties of ferroelectric DWs not only advances the fundamental understanding of ferroelectrics, but also provides guidance for the design of ferroelectric-based devices. In this article, we provide a review of structures and properties of DWs in one of the most widely studied ferroelectric systems, BiFeO₃ thin films. We correlate their conductivity and photovoltaic properties to the atomic-scale structure and dynamic behaviors of DWs.     

CIGS薄膜太阳能电池的制备工艺和产业化前景

文章介绍了CIGS薄膜太阳能电池的结构及特性、吸收层的主要制备工艺、并简述了其产业化前景。     

功能陶瓷研究进展与发展趋势

简要评述了陶瓷基板,微波介质陶瓷,铁电压电陶瓷,半导体陶瓷,铁电薄膜和智能材料等功能陶瓷的研究进展和发展趋势,对我院功能陶瓷的发展提出了一些建议。     

铁电斯特林制冷机的生态学优化性能

应用有限时间热力学理论，研究热阻及回热损失对铁电斯特林制冷机生态学优化性能的影响，所得结论可为铁电斯特林制冷机的研制和设计提供参考。     

BaO-ZnO-P2O5玻璃粉体在铂膜传感器中的应用研究

合成了ＢａＯ－ＺｎＯ－Ｐ２Ｏ５玻璃粉体,并研究了它对铂膜传感器电阻和温度系数的影响。研究表明,形成的保护膜透明,机械强度高,对器件性能的影响比用电真空低软化点封接材料包封后低。     

基于铁电体移相器的相控阵天线设计

本文介绍了一种基于铁电体移相器的相控阵天线,该天线采用空馈形式,简化了天线结构,降低了天线成本,有利于相控阵技术的推广。     

磁控溅射镀膜附着力的优化机制研究

复杂元器件上采用磁控溅射镀膜,薄膜与基片结合强度关系产品质量。从薄膜的附着机理入手,构建其结合力学模型。通过实验分析得出,附着力主要与附着类型、附着力的性质、工艺和测量方法有关。影响附着力的因素主要包括材料性质、基片表面状态、基片温度、沉积方式、沉积速率和沉积气氛等。掌握简单附着、扩散附着、通过中间层附着及宏观效应附着内容,通过选择基片能与薄膜形成化学键,清洗基片去除污染层,合理提高温度、加速扩散反应形成中间层等措施来提高附着力。此外,薄膜中存在的内应力通过合理调控工艺指标来消除和减小对薄膜和基片附着力的影响。     

Dynamics and manipulation of ferroelectric domain walls in bismuth ferrite thin films

Ferroelectric domain walls differ from domains not only in their crystalline and discrete symmetry, but also in their electronic, magnetic, and mechanical properties. Although domain walls provide a degree of freedom to regulate the physical properties at the nanoscale, the relatively lower controllability prevents their practical applications in nano-devices. In this work, with the advantages of 3D domain configuration detection based on piezoresponse force microscopy, we find that the mobility of three types of domain walls (tail-to-tail, head-to-tail, head-to-head) in (001) BiFeO₃ films varies with the applied electrical field. Under low voltages, head-to-tail domain walls are more mobile than other domain walls, while, under high voltages, tail-to-tail domain walls become rather active and possess relatively long average lengths. This is due to the high nucleation energy and relatively low growth energy for charged domain walls. Finally, we demonstrate the manipulation of domain walls through successive electric writings, resulting in well-aligned conduction paths as designed, paving the way for their application in advanced spintronic, memory and communication nano-devices.     

ZnO薄膜的制备及光致发光性研究

采用湿化学刻蚀的方法在金属制品锌箔表面获得了一层薄膜。通过XRD、扫描电镜、荧光光谱对所生成的薄膜进行一系列的表征。证明该薄膜为ZnO薄膜,六方片状结构,荧光光谱分析结果显示其在380,460有两个发光峰。     

玻璃基板上溶胶凝胶法铌酸锂薄膜的制备及其表征

用溶胶凝胶法在玻璃基板上以LiNb（OR）6先驱体溶液（用甲酸作稳定剂,乙二酸作对照实验）制备了铌酸锂薄膜,并对薄膜进行了IR、XRD和SEM表征,结果表明,生成的铌酸锂为多晶,与乙二酸相比,用甲酸作稳定剂制备的铌酸锂薄膜形貌更好。