首件国产高压IGBT芯片通过鉴定

最新发现与创新 9月12日,一名技术人员展示装有IGBT芯片的模块 中国科技网讯我国自主研发的高压大功率3300V／50AIGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片及由此芯片封装的大功率1200A／3300VIGBT模块,今天（12日）通过专家鉴定。中国自此有了完全自主的IGBT“中国芯”。     

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在PSM广播发射机调制器中的应用

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种大电流密度、高电压激励的控制器件,是高压高速新型大功率器件,它的耐压能力为600V～1800V、电流容量为100A～400A、关断时间低至0.02μs。所以在PSM广播发射机调制器的功率模块中大量应用了(IGBT)作为电子开关的重要组件。     

成功研制国内首款可产业化IGBT芯片

IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为新型电力电子器件的典型代表,广泛应用于智能电网、新能源发电、新能源汽车、工业变频、机电一体化、家用电器等诸多领域,是关系国家能源、交通、工业、家电等国计民生的核心电子元器件。由于国内IGBT制造工艺的落后,严重制约了我国IGBT产品的全国产化和产业化进程．技术和市场完全被少数国外企业垄断,尤其在高端应用领域。     

移相式PWM软开关高压逆变电源的电路设计与分析

逆变技术是电力电子技术中的一部分,正日益应用于工业生产中的各个领域,在国民经济的发展中起到了重要的作用。逆变电源是一种新兴的电源,作为逆变技术的具体应用,由于其可靠的动静态特性及节能性,正在逐步取代传统的电源。本文采用最新的逆变思想与新型的开关器件—绝缘栅型双极晶体管(I G B T),研制出了移相式P W M软开关高压逆变电源。