基于蒙特卡罗方法的薄膜表面粗糙度的数值模拟

薄膜的表面粗糙度直接影响薄膜的最终性能。本文构建了薄膜的三维生长动力学模型,并采用蒙特卡罗方法实现了薄膜生长的数值模拟,得到了沉积速率、基底温度和原子覆盖度等因素对薄膜表面粗糙度的影响。模拟结果表明:随着沉积速率的增大、基底温度的降低和覆盖度的增大,薄膜的表面粗糙度增大;并且在沉积速率较小时,薄膜的表面粗糙度随沉积速率增加迅速,而沉积速率较大时,薄膜的表面粗糙度随沉积速率增加缓慢。     

溅射压强对薄膜太阳电池背电极电学性能的影响

采用直流磁控溅射工艺,在不同溅射压强条件下制备了薄膜太阳电池用金属Mo背电极。用场发射场发射扫描电子显微镜(FESEM)和四探针测试仪研究了溅射压强对薄膜的成膜速率和电学性能的影响。结果表明,较高溅射压强条件下,制得的薄膜电阻率较高,薄膜与衬底附着性能较好。随溅射压强减小,制备的薄膜电阻率降低,与衬底附着性较差。溅射过程中,改变溅射压强制备的双层Mo薄膜,能同时达到具有良好附着性和较低电阻率的要求,更适合做薄膜太阳电池背电极。     

氧化物薄膜生长与计算机模拟概况

目前关于计算机模拟薄膜的生长的报道主要是以单金属薄膜的生长和多元化合物为主,而氧化物薄膜模拟报道很少。本文基于传统公认薄膜生长过程,介绍了氧化物薄膜的生长模式。同时,介绍了氧化物薄膜的影响因数和计算机模拟氧化物薄膜生长的三种主要方法及其应用特点,包括了速率方程理论、第一性原理分子动力学、蒙特卡罗方法,并详细介绍了当前国内外计算机模拟氧化物薄膜生长的研究现状。     

融入航空航天元素的“薄膜材料与技术”课程教学探索

“薄膜材料与技术”课程是为功能材料和新能源材料与器件专业本科生开设的一门专业选修课。该文结合学校航空航天特色,从真空技术基础、薄膜气相沉积方法、薄膜生长过程及薄膜结构、薄膜表征方法、薄膜材料应用五大章节入手,根据不同内容及特点融入不同的航空航天教学元素,达到既增强学生对课程知识的兴趣和理解力,又培养学生深爱祖国、航空报国的情怀的目的。     

薄膜太阳能电池专利技术分析

针对薄膜太阳能电池专利进行检索和分析,指出美国、日本和中国是薄膜太阳能电池专利申请较活跃的区域;在新型薄膜太阳能电池中,铜铟镓硒薄膜电池的发展势头较好,且转化效率高,在该薄膜电池发展的关键节点上,美国可再生能源实验室起到了关键性的作用。     

打破日美垄断 实现高新绝缘材料产业化——“高性能聚酰亚胺薄膜”成果介绍

高性能聚酰亚胺薄膜,又称为“黄金薄膜”,这不仅因为它有着像黄金一样的金属色泽,而且具有优异的耐高温、耐低温性能,在很宽的温度范围内（-269℃－400℃）内具有稳定而优异的物理、化学、电学和力学性能,是其它塑料薄膜如尼龙薄膜、聚酯薄膜、聚丙烯薄膜和聚乙烯薄膜等无法比拟的,在当今许多高新技术产业。尤其是微电子、电气绝缘、航空航天等领域发挥着重要的作用。     

热氧化法在GaN衬底上合成Cu_2O薄膜

通过真空热氧化法氧化用电子束蒸发技术沉积于GaN衬底表面的Cu薄膜,制备出了单一相外延的Cu2O薄膜。接着对样品在不同的温度下(400℃到800℃)进行真空热退火处理,详细分析讨论了对薄膜所造成的影响。在低于700 oC的温度下退火,薄膜表面的均方根表面粗造度和禁带宽度都基本保持稳定。而X射线研究揭示了Cu2O薄膜保持着先前沉积的Cu薄膜与GaN衬底之间的外延关系。     

电沉积法制备CuInS_2薄膜

本文介绍了CuInS_2薄膜的概念和用途,阐述了电沉积法制备薄膜的方法,着重介绍了制备过程中电极和沉积液等参数的设置,并且对薄膜进行扫描电镜和XRD表征。     

椭偏仪对α-Co纳米薄膜性能的研究

本文采用椭偏仪(SE)测量了不同厚度的Co纳米薄膜的椭偏参数(Ψ和Δ),结合薄膜的特性,建立最优的模型,获得了薄膜的厚度及光学性能。XRD结果表明:纳米薄膜为六方密堆结构α-Co。     

域外科技

松下电器产业开发成功一种薄膜电路制备技术,可直接在有机薄膜上形成厚度小于1μm、具有电容器和电阻等电路元件的薄膜。该技术的最大亮点是:在薄膜制备过程中控制纳米级结晶构造的新工艺。电     

石墨烯薄膜技术发展综述 ——基于DII数据库的分析

通过对石墨烯薄膜技术专利数量的时间序列统计,形成技术发展趋势图,分析石墨烯薄膜技术的发展波动规律.研究表明,石墨烯薄膜技术总体态势呈现上升式循环发展,专利数量逐年增长;波动特征主要表现为大涨大落,波长较短,波幅逐步扩大.发展波动受政府专项计划、技术突破点、研究主体数量变化和技术应用领域拓展等因素影响.构建石墨烯薄膜技术发展波动周期预测模型,使用现有的专利数据,对石墨烯薄膜技术未来10年的发展趋势进行合理预测,为制定石墨烯薄膜技术战略和产业政策提供参考.     

高精度碳膜电阻温度系数的研究

随着微电子技术的飞跃发展,对薄膜集成电路,半导体集成电路的功能、集成度、精度、可靠性和使用寿命等,都提出了越来越高的要求。薄膜混合集成电路中的薄膜电阻无源器件,具有参数精度高、温度系数小、噪声系数低、高频特性好、可靠性高等特点,得到了广泛应用。本文主要论述了薄膜电阻的制作工艺对温度系数的研究。     

多晶钼酸钙薄膜化工制备的研究

随着近年来科学技术的不断发展,薄膜材料被广泛的应用在各行业工作和生产中,对于促进和推动企业的现代化工作和发展发挥着不可替代的作用。21世纪,社会的发展促使先进器械的广泛使用,各种型号的高反膜、分光膜、反射率光膜和增透膜等早已成为各种光学仪器中不可缺少的核心部件。随着社会生产技术的发展,薄膜不仅单纯的应用在光学仪器之中,在其他领域也得到了广泛的应用。多晶钼酸钙薄膜作为主要的薄膜组成成分,受到社会各界的关注与青睐。本文就多晶钼酸钙薄膜的化工制备工艺进行分析与研究,并提出了各种制备原理和优缺点。     

中日美薄膜太阳能专利情报对比分析

采用对比分析法对1990-2010年间中国、日本和美国薄膜太阳能专利数据的动态分析来揭示三国薄膜太阳能技术的专利状况.选用中国国家知识产权局和世界知识产权组织数据库,从竞争环境、竞争对手和竞争技术三个层面七大模块对比了中日美薄膜太阳能专利年度申请态势、区域分布、专利申请人和发明人以及专利技术布局等.研究表明中国与日美薄膜太阳能专利申请行为差距较大.结果可为我国薄膜太阳能技术发展提供有价值的竞争情报.     

等离子体处理对聚四氟乙烯微孔薄膜界面粘结性能的影响

以XPS、动态接触角分析仪和扫描电镜等为手段,研究了不同条件下低温等离子体对聚四氟乙烯微孔薄膜界面粘结性能的影响。结果表明：等离子体处理功率对薄膜界面粘结性能的影响．因等离子体种类的不同而有明显的差别。等离子体处理时间对薄膜界面粘结性能的影响,因等离子体种类和处理功率的不同而有一定的差别。不同的等离子体,对薄膜界面粘结性能的改善效果,因等离子体处理功率的不同而有较明显的不同。     

氧流量对ITO薄膜粗糙度的影响

ITO(氧化铟锡)薄膜是一种应用比较多的透明导电薄膜,在不同的条件下制备的ITO薄膜,其性能也会不同。本文主要阐述了在不同的氧流量下,ITO薄膜表面粗糙度变化的情况。     

基于大数据分析的MEMS电镀铜薄膜耐磨性预测

当前方法MEMS电镀铜薄膜耐磨性的预测值与真实值拟合度较差,预测误差率高。提出基于大数据分析的MEMS电镀铜薄膜耐磨性预测方法研究,进行MEMS薄膜的电镀铜实验,提取薄膜镀层厚度和镀层均匀度的实验数据;利用提取的样本数据,采用智能支持向量机(SVM)的大数据预测方法,进行SVM模型构建和参数优化选择,提高数据分类和预测的精度,实现对MEMS电镀铜薄膜耐磨性的精确预测。实验证明提出的方法能够提高预测的精度、降低误差。     

多晶硅薄膜制备工艺及其应用发展

科学技术的快速发展,使得多晶硅薄膜的制作工艺得到了完善优化,并且,多晶硅薄膜也已经得到了广泛的应用。本文介绍了结合现有工艺条件制作多晶硅纳米薄膜的多种工艺方法,细致研究了工艺条件对多晶硅纳米薄膜应变系数的影响,分析了多晶硅薄膜制备工艺的应用发展,希望能够为相关人员提供参考借鉴。     

磁控溅射镀膜附着力的优化机制研究

复杂元器件上采用磁控溅射镀膜,薄膜与基片结合强度关系产品质量。从薄膜的附着机理入手,构建其结合力学模型。通过实验分析得出,附着力主要与附着类型、附着力的性质、工艺和测量方法有关。影响附着力的因素主要包括材料性质、基片表面状态、基片温度、沉积方式、沉积速率和沉积气氛等。掌握简单附着、扩散附着、通过中间层附着及宏观效应附着内容,通过选择基片能与薄膜形成化学键,清洗基片去除污染层,合理提高温度、加速扩散反应形成中间层等措施来提高附着力。此外,薄膜中存在的内应力通过合理调控工艺指标来消除和减小对薄膜和基片附着力的影响。     

抄纸法制备壳聚糖薄膜材料的研究

壳聚糖属于天然多糖类生物大分子,具有优良的成膜性能和抗菌性能,传统制备壳聚糖薄膜材料的工艺太长,成本高,不利于大规模生产。本文使用一种简单的壳聚糖成膜方法,即采用中和滴定法制备壳聚糖凝絮浆液,用传统的抄纸法制得壳聚糖薄膜。通过正交表试验及单因素研究,以柔软性能的好坏作为薄膜性能的标准,最终确定了最佳壳聚糖薄膜形成的条件,并对壳聚糖薄膜的表面形态进行了表征。